saphireとは 意味・読み方・使い方

SAPHIRE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

サファイア基板およびその製造方法 - 特許庁

As the mother material to constitute the main body 11, a saphire, a silicon carbide or a nitride III-V compound is used.例文帳に追加

基板本体１１を構成する母材としては、サファイア，炭化ケイ素あるいは窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物が用いられる。 - 特許庁

An n-contact layer 2, an n-clad layer 3, an MQW active layer 4 and a p-first clad layer 5 are sequentially formed on a saphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にｎ−コンタクト層２、ｎ−クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ−第１クラッド層５が順に形成される。 - 特許庁

To provide a method, except for wet etching, as a method for forming a through-hole in the manufacturing method of a substrate which is constituted of saphire and which has a through-hole whose diameter is under 0.1 mm.例文帳に追加

サファイアからなり、直径0.1mm未満の貫通孔を有する基板の製造方法において、貫通孔を形成する方法としてウエットエッチング以外のものを提供する。 - 特許庁

To form a crystal layer of a high quality nitride semiconductor which ensures good reproducibility, on a substrate which is formed of a material mismatching with lattice from a nitride semiconductor such as a saphire substrate and silicon carbide substrate.例文帳に追加

サファイア基板や炭化珪素基板などの窒化物半導体とは格子不整合な材料からなる基板の上に、再現性よく品質の高い窒化物半導体の結晶層が形成できるようにする。 - 特許庁

A semiconductor laminate 1 includes a saphire substrate 104, a lower GaN clad layer 106 grown/formed on the substrate, a GaN/InGaN-MQW layer 107 which is a blue light emitting layer and an upper GaN clad layer 108.例文帳に追加

半導体積層体１は、サファイア基板１０４と、これに成長形成された下部ＧａＮクラッド層１０６、青色発光層であるＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ層１０７、及び上部ＧａＮクラッド層１０８を含む。 - 特許庁

To provide a crystal growth method growing a good ZnO crystal by reducing a crystal defect of ZnO crystal grown on a saphire substrate in regard to the ZnO crystal, its growth method, and a semiconductor device using it.例文帳に追加

ＺｎＯ結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置に関し、サファイヤ基板上に成長されるＺｎＯ結晶の結晶欠陥を低減し、良質なＺｎＯ結晶を成長する結晶成長方法を提供する。 - 特許庁