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side etchとは 意味・読み方・使い方
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「side etch」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 67件
Material of the first etch-stop material layer and that of the side wall insulating film are different by etch selectivity.例文帳に追加
第1エッチング阻止物質層と側壁絶縁膜とはエッチング選択比の異なる物質を用いる。 - 特許庁
Next, first side walls 35 are formed on the side walls of the support holes by using an etch back method.例文帳に追加
次に、エッチバック法を用いて、支持体穴の側壁に第1サイドウォール35を形成する。 - 特許庁
To provide an etchant which ensures small side etch, little unevenness of an etched side face and small environmental load.例文帳に追加
サイドエッチが小さく、エッチング側面の凹凸が少なく、かつ環境負荷が小さいエッチング液を提供する。 - 特許庁
The side surface of the memory gate 115 in contact with the control gate 126 is formed by etch back.例文帳に追加
コントロールゲート126と接するメモリーゲート115の側面をエッチバックにより形成する。 - 特許庁
To pattern a film of transition metal which is difficult to dry etch so that side etching is minimized.例文帳に追加
ドライエッチングが困難な遷移金属の膜を、サイドエッチングが極力生じないようにパターニングする。 - 特許庁
Consequently, at the same time of suppressing an etching quantity in the depthwise direction of a cavity 15, a side etch quantity can be increased.例文帳に追加
従って、窪み15の深さ方向のエッチング量を抑えると同時に、サイドエッチ量を大きくできる。 - 特許庁
There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加
界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁
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「side etch」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 67件
Tapered protrusions 20 by a side etch phenomenon is formed at a spot where the through-hole 11a is photo-etched.例文帳に追加
貫通孔11aがフォトエッチングされた箇所には、サイドエッチ現象によるテーパー状の突起20が形成される。 - 特許庁
The conductivity of the thin film on the side wall is enhanced by ion bombardment carried out periodically during the etch process.例文帳に追加
側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 - 特許庁
To obtain a shape without skirt trailing and side etch while preventing the penetration through a base oxide film upon dry etching of polysilicon.例文帳に追加
ポリシリコンのドライエッチング時に、下地酸化膜の突き抜けを防止しながら、スソ引き及びサイドエッチの無い形状を得る。 - 特許庁
To prevent side etch formation due to fluorine compounds (CFX) generated during barrier insulating film etching.例文帳に追加
バリア絶縁膜をエッチングする際にフッ素化合物(CF_X)が生成され、それが原因でサイドエッチが形成されることを防止する。 - 特許庁
The manufacturing method has a GP etch processing for forming the gate electrode of a MOS transistor, a SW etch processing for forming sidewalls in the side walls of the gate electrode, and an anneal processing for performing an anneal processing, after forming the gate electrode and the side walls.例文帳に追加
MOSトランジスタのゲート電極を形成するGPエッチ処理工程と、ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成するSWエッチ処理工程と、ゲート電極およびサイドウォールの形成後にアニール処理を行うアニール処理工程とを有している。 - 特許庁
There is provided an etch resistant liner which covers a side wall of a transistor gate stack and resides along a part of a substrate at a lower part of the transistor gate stack.例文帳に追加
トランジスタ・ゲート・スタックの側壁を覆い、トランジスタ・ゲート・スタックの下部の基板の一部分に沿ったエッチ耐性ライナを設ける。 - 特許庁
To pattern a comparatively thick ITO thin film, which was formed by room temperature film formation on a flexible board, through etching without causing residue or side etch.例文帳に追加
フレキシブル基板上に室温成膜した比較的厚いITO薄膜をエッチングにより残渣やサイドエッチなくパターニングすること。 - 特許庁
To improve the etching efficiency and reliability of an etching device for silicon wafer by constituting the device in such a way that the device can etch the rear surface side of a silicon wafer while the device etches the front surface side of the wafer.例文帳に追加
シリコンウエハの表側面をシールしつつ裏側面にエッチングを施す構成とすることにより、エッチング処理の効率化、信頼性の向上を図る。 - 特許庁
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