silicon diffusion sourceとは 意味・読み方・使い方

In a semiconductor device where contact with the source diffusion layer and the drain diffusion layer of a transistor is made by a polysilicon contact plug, a film for preventing diffusion of inter-lattice silicon or cavity is formed between the source diffusion layer or the drain diffusion layer and the polysilicon contact plug.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers (14, 15) are formed on the surfaces of a silicon substrate 1, and a silicide layer 17 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

シリコン基板１の表面部にソース／ドレイン拡散層（１４，１５）を形成し、その表面にシリサイド層１７を形成する。 - 特許庁

Source diffusion is made deeper than the implant damaged depth so that a short channel having a length of about 0.7 microns may be formed along the undamaged silicon.例文帳に追加

約０．７ミクロンの短いチャネルが未損傷のシリコンに沿うように、ソース拡散部が注入損傷深さよりも深く作られる。 - 特許庁

In the silicon nitrided film 12a, a common source line 13 connected to the source diffusion layer 7a is formed by embedding, and on the silicon nitrided film 12b, a bit line 14 connected to the drain diffused layer 7b is formed.例文帳に追加

シリコン酸化膜１２ａにはソース拡散層７ａに接続される共通ソース線１３が埋め込み形成され、シリコン酸化膜１２ｂの上にはドレイン拡散層７ｂに接続されるビット線１４が形成される。 - 特許庁

MOS transistors M1 to M9 are formed on the SOI substrate having the silicon substrate, the BOX oxide film, and a silicon active layer, and a bottom of source diffusion layer and a bottom of a drain diffusion layer are formed reaching the BOX oxide film.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ９は、シリコン基板、ＢＯＸ酸化膜及びシリコン活性層を有するＳＯＩ基板に形成され、かつ、ソース拡散層の底部及びドレイン拡散層の底部がＢＯＸ酸化膜に到達して形成されている。 - 特許庁

The impurities 110 are introduced into a silicon substrate 101 using a silicon nitride film pattern 107 and a polycrystal silicon film pattern 108 as a mask, a high concentration impurity diffusion layers of an N type (N^+ type diffusion layers 111, 112) are formed at positions of a source region and a drain region of the MOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、シリコン窒化膜パターン１０７、多結晶シリコン膜パターン１０８をマスクにして、不純物１１０を導入し、ＭＯＳ型トランジスタのソース領域、及びドレイン領域の位置に、Ｎ型の高濃度不純物拡散層（Ｎ^+型拡散層１１１、１１２）を形成する。 - 特許庁

A first plug connected to the first source-drain diffusion layer and constituted of polycrystalline silicon and a second plug connected to the second source-drain diffusion layer and constituted of a metallic material are provided between the first gate structures.例文帳に追加

第１ゲート構造間に第１ソース・ドレイン拡散層と接続され、多結晶多結晶シリコンにより構成された第１のプラグと、第２ソース・ドレイン拡散層と接続され、金属材料により構成された第２プラグが配設される。 - 特許庁

To solve the problem that a hard-to-remove compound is formed on a silicon semiconductor substrate when a diffusion region is formed using a liquid state impurity source.例文帳に追加

液状不純物源を使用して拡散領域を形成すると、除去し難い化合物がシリコン半導体基板上に形成される。 - 特許庁