この方法は、プラントのプロセスストリームに含まれる遷移金属不純物の放射性同位体を除去するための金属イオン封鎖樹脂を提供する工程と、金属イオン封鎖樹脂をプラントのプロセスストリーム中に分配することにより、金属イオン封鎖樹脂がプロセスストリームと相互作用して遷移金属不純物を除去する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer constituted so as to accurately analyze a transition metal such as iron, copper or the like contained in the hafnium-containing film on a semiconductor substrate being a sample 2 as impurities.例文帳に追加

試料２である半導体基板上のハフニウム含有膜に、不純物として含まれる鉄、銅などの遷移金属を、正確に分析すること。 - 特許庁

To remove metal impurities beneath the surface of Si, the main cause of surface defects on the Si surface, especially Ni of a transition metal, to make a high-cleanness Si surface and to planarize the Si surface accompanied therewith.例文帳に追加

Ｓｉ表面上の表面欠陥の主たる原因である表面下の金属不純物、特に遷移金属であるＮｉを除去し、Ｓｉ表面を高純度化し、それにともないＳｉ表面を平坦化する。 - 特許庁

To stably provide a high purity nickel material low in the contents of impurities such as alkali metal elements, radioactive elements, transition metal elements, carbon and gaseous components and suitable as the material for forming a thin film at a low cost.例文帳に追加

アルカリ金属元素，放射性元素，遷移金属元素，炭素及びガス成分等の不純物含有量が低くて薄膜形成用材料として好適な高純度ニッケル材を安定かつ低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor substrate for evaluating contamination, which is used so that contaminant of transition metal impurities in a semiconductor silicon substrate manufacturing process or a semiconductor device manufacturing process is exactly evaluated, and to provide a method for evaluating contaminant of metal impurities or the like by using the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体シリコン基板の製造或いは半導体デバイス製造工程に於ける遷移金属不純物等の汚染物質を正確に評価するのに用いる汚染評価用半導体基板の構造、及び該半導体基板を用いた金属不純物等の汚染物質の汚染評価方法を提供する。 - 特許庁

例文

The method for producing carbides of groups 4A, 5A or 6A transition metals of the Periodic Table and/or double carbides of such transition metals and iron comprises conducting solid-phase reaction of a ferroalloy containing such a transition metal and unavoidable impurities with a carbonaceous material comprising carbon as the main component by co-milling under vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

周期率表の第４Ａ族、第５Ａ族または第６Ａ族の遷移金属、鉄および不可避的不純物を含有するフェロアロイと、炭素を主体とする炭素材料とを、真空または不活性ガス雰囲気下で共粉砕により固相反応させる、該遷移金属を含む炭化物または該遷移金属および鉄を含む複合炭化物の製造方法。 - 特許庁

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「transition metal impurities」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17件

例文

To provide a method for purifying a carbonaceous material by at least partially removing transition metal-based impurities from the carbonaceous material containing a nanoscale carbon tube or a nanoscale carbon tube including the transition metals or the alloy in a void to decrease the content.例文帳に追加

ナノスケールカーボンチューブ又は遷移金属もしくはその合金をチューブ内空間部に内包するナノスケールカーボンチューブを含有する炭素質材料から、遷移金属系不純物を、少なくとも部分的に除去して、その含有量を減少させることにより、該炭素質材料を精製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an active material for a lithium secondary battery by which impurities causing problems in synthesizing an active material for a lithium secondary battery including a lithium transition metal oxyanion compound are removed efficiently and the enhancement of energy density is achieved.例文帳に追加

リチウム遷移金属オキシアニオン化合物を含むリチウム二次電池用活物質を合成する際に問題となる不純物の除去を、効率的に行い、高エネルギー密度化を実現させるリチウム二次電池用活物質の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxygen-trapping resin composition is the one prepared by adding a transition metal compound to a polyamide resin using metaxylylenediamine, wherein the content of specified impurities in the composition is equal to or smaller than a specified value, or wherein the content of specified impurities in the starting metaxylylenediamine is equal to or smaller than a specified value.例文帳に追加

メタキシリレンジアミンを使用したポリアミド樹脂に、遷移金属化合物を添加してなる酸素捕捉性樹脂組成物において、樹脂組成物中の特定不純物成分の含有量を特定値以下とした樹脂組成物、あるいは原料メタキシリレンジアミン中の特定不純物成分の含有量を特定値以下とした樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal of group III nitride, capable of doping impurities of a transition metal, and the like, to the crystal of group III nitride at a desired concentration in a controllable manner, the crystal of group III nitride, a device of the crystal of group III nitride and a light-emitting device.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶に対して、遷移金属等の不純物を所望の濃度で、制御性良くドーピングすることの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよび発光デバイスを提供する。 - 特許庁

Cellulose plastic mainly comprising a lower fatty acid ester of cellulose and containing impurities is processed in an aqueous solution containing both at least one peroxide and at least one transition metal compound or in an aqueous solution containing at least one halide oxide and bromo anion and/or iodo anion.例文帳に追加

セルロースの低級脂肪酸エステルを基材として不純物を含むセルロースプラスチックを、過酸化物および遷移金属化合物を含む水溶液、または酸化ハロゲン化合物と臭素アニオンおよび／または沃素アニオンとを含む水溶液で処理する工程を含むセルロースプラスチックの不純物除去方法。 - 特許庁

This method for reacting an olefinically unsaturated compound with carbon monoxide and hydrogen in the presence of a hydroformylation catalyst containing a group VIII transition metal in the periodic table and an organic phosphorus compound comprises controlling the amount of hydrogen halide mixed with the reaction system as the impurities so that the molar ratio thereof to the group VIII transition metal included in a catalyst-containing liquid may be ≤0.9.例文帳に追加

周期律表第VIII族遷移金属及び有機リン化合物を含むヒドロホルミル化触媒の存在下、オレフィン性不飽和化合物を一酸化炭素及び水素と反応させてアルデヒドを製造する方法において、反応系内に不純物として混入するハロゲン化水素化物の量を、触媒含有液中に含まれる第VIII族遷移金属に対するモル比が０．９以下となる様に制御することを特徴とするアルデヒドの製造方法。 - 特許庁

This method for reacting an olefinically unsaturated compound with carbon monoxide and hydrogen in the presence of a hydroformylation catalyst containing a group VIII transition metal in the periodic table and an organic phosphorus compound comprises controlling the amount of nitrogen oxide mixed with the reaction system as the impurities so that the molar ratio thereof to the group VIII transition metal included in a catalyst-containing liquid may be ≤5.例文帳に追加

周期律表第VIII族遷移金属及び有機リン化合物を含むヒドロホルミル化触媒の存在下、オレフィン性不飽和化合物を一酸化炭素及び水素と反応させてアルデヒドを製造する方法において、反応系内に不純物として混入する窒素酸化物の量を、触媒含有液中に含まれる第VIII族遷移金属に対するモル比が５以下となる様に制御することを特徴とするアルデヒドの製造方法。 - 特許庁

例文

This alloy material for an R-T-B-based rare-earth permanent magnet contains: an R-T-B-based alloy comprising R which represents two or more kinds selected from rare earth elements, T which represents a transition metal essentially containing Fe, B, and unavoidable impurities, wherein a Dy content is >10 and <31 mass%; and metal powder.例文帳に追加