thermal ion sourceとは 意味・読み方・使い方

The negative ion charge attached to the case body of the light-emitting source is discharged outside from a bulb wall face efficiently through air volume expansion by thermal expansion.例文帳に追加

発光源の筐体に付着したマイナスイオン電荷は、熱膨張作用による空気の体積膨張によって効率よく電球壁面から外部に放出される。 - 特許庁

The gas electric field ion source includes an emitter unit (155), a cooling unit (146), and a thermal conductivity unit for thermal conductivity from the cooling unit to the emitter unit, wherein the thermal conductivity unit is adapted for reduction of vibration transfer from the cooling unit to the emitter unit.例文帳に追加

本発明によるガス電界イオン源は、エミッタユニット（１５５）と、冷却ユニット（１４６）と、冷却ユニットからエミッタユニットへの熱伝導のための熱伝導ユニットとを含み、熱伝導ユニットが冷却ユニットからエミッタユニットへの振動伝達の低減を可能とするように構成されている。 - 特許庁

To relax and suppress stress imposed on a filament caused by thermal expansion of a filament holder holding the filament in an ion source, and thereby to prevent malfunction of the filament caused by breaking, deformation or the like of the filament.例文帳に追加

イオン源において、フィラメントを保持するフィラメント保持具の熱膨張によりフィラメントが受ける応力を緩和および抑制し、これによって、フィラメントの破断や変形によるフィラメントの機能不全を予防する。 - 特許庁

The negative ions generated in the negative ion-generating unit can be diffused into an outer environment efficiently from a bulb case part by utilizing the heat generated in the light-emitting source through a volume expansion effect of air by thermal expansion.例文帳に追加

マイナスイオン発生装置から発生するマイナスイオンは、発光源から発生する熱を利用して、熱膨張作用による空気の体積膨張効果によって、電球筐体部から有効に外部環境に拡散できる。 - 特許庁

A processing/control part 10 controls an ion source power supply 12 to increase thermal electron current emitted from a filament 4, and simultaneously controls a quadrupole power supply 15 to shift the applied voltage to a quadrupole filter 8 toward negative direction.例文帳に追加

処理・制御部１０はフィラメント４から放出される熱電子電流を増加すべくイオン源電源部１２を制御すると同時に、四重極フィルタ８に印加される電圧が負方向にシフトするように四重極電源部１５を制御する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、Ｐ型シリコン基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を介して、ゲート電極１０３を形成後、ゲート電極１０３等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、ｎ−低濃度不純物領域１０６を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which can cope with micronization by enabling a thin oxide film to be formed on the surface of a silicon substrate by the same thermal oxidation process before ion implantation process for formation of source and drain diffused layers, and enabling an oxide film of sufficient thickness to secure reliability to be formed at the sidewall of a gate electrode, and the end of a gate.例文帳に追加

ソース、ドレイン拡散層形成のためのイオン注入工程前に、同一の熱酸化工程によりシリコン基板表面に薄膜の酸化膜を形成できると共に、ゲート電極側壁及びゲートエッジ端に信頼性を確保するのに十分な膜厚の酸化膜を形成できることより、微細化に対応可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁