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tin-9とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「tin-9」の意味 |
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「tin-9」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
Further, the tin plated surface is plated with tin to form conductive bumps 9 and 10 (J).例文帳に追加
さらに、この錫メッキ７の上面に、錫メッキを施して導電性バンプ９，１０を形成する（Ｊ）。 - 特許庁
After the TiN film 16 is subjected to isotropic etching, the polyimide resin 9 is baked.例文帳に追加
ＴｉＮ膜１６を等方性エッチングした後、ポリイミド樹脂９をベークする。 - 特許庁
Over the whole circumference, a tin plated metal wire 9 of a round shape at the cross-sectional face is prepared.例文帳に追加
全周にわたってスズメッキされた断面円形の金属ワイヤ９を用意する。 - 特許庁
9. The Class I Designated Chemical Substance listed in (ccxxxix) of Appended Table 1: tin発音を聞く 例文帳に追加
（９） 別表第一第二百三十九号に掲げる第一種指定化学物質 スズ - 日本法令外国語訳データベースシステム
A barrier layer 11 prevents alloying of the tin-solder with the layers 9, 10 of the back electrode layer 4.例文帳に追加
バリア層１１はスズ−ハンダが裏面電極層４の層９、１０と合金化するのを防止する。 - 特許庁
A heat-resistant pipe 9 is placed under a glass ribbon 10 in a tin bath 5 of a float bath 2 in a state crossing the ribbon and bubbles are blasted from the heat-resistant pipe 9 to form unevenness on the bottom face (surface contacting with tin) of the glass ribbon.例文帳に追加
フロートバス２の錫浴５中にガラスリボン１０下方を横断するように耐熱管９を配置し、この耐熱管９から気泡を生じさせてガラスリボンのボトム面（錫接触面）に凹凸を形成する。 - 特許庁
The transparent conductive film (pixel electrode 9) has indium tin oxide as a principal component and has a plurality of portions (a first conductive layer 9a, a second conductive layer 9b) having different tin concentration which is a ratio of tin atomic number against the total atomic number of indium atom and tin atom.例文帳に追加
本発明に係る透明導電膜（画素電極９）は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位（第１の導電層９ａ、第２の導電層９ｂ）を有している。 - 特許庁
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「tin-9」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 53件
The circumferential surface and tip surface of the spindle body 3a are coated with a TiN layer 9 by ion plating.例文帳に追加
スピンドル本体３ａの外周面及び先端面にはイオンプレーティングによりＴｉＮ層９をコーティングする。 - 特許庁
The second TiN wiring layer 14 is formed after the barrier metal layer 11, and first TiN wiring layer 12 are successively formed and the contact holes 9 and 10 are filled up with tungsten.例文帳に追加
上記バリアメタル層１１及び第１のＴｉＮ配線層１２を積層し、さらにコンタクト９、１０をタングステンで埋め込んだ後に第２のＴｉＮ配線層１４を形成する。 - 特許庁
Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加
ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁
A second glass substrate 2 on which a common electrode 5 is disposed is provided with an outer ITO (Indium Tin Oxide) 9 on the surface on the side opposite from liquid crystal 3.例文帳に追加
コモン電極５が設けられた第２のガラス基板２は、液晶３とは反対側の面に外部ＩＴＯ９を備える。 - 特許庁
Tin plating 6, 13 is applied to both of the outer surface 5a of each strand 5 and the wire connection portion 9.例文帳に追加
そして、複数の素線５それぞれの外表面５ａと、電線接続部９と、の双方に錫鍍金６，１３が施されている。 - 特許庁
A second Ti film 8 and an AlCu alloy film 9 are formed one by one inside the via hole 7 and on the TiN film 6.例文帳に追加
その後、ビアホール７内及びＴｉＮ膜６上に第２のＴｉ膜８及びＡｌＣｕ合金膜９を順次形成する。 - 特許庁
A contact 9 formed through the layer insulating film 8 and polysilicon film 5 is connected to the TiN film 4 directly.例文帳に追加
層間絶縁膜８及びポリシリコン膜５を貫通して形成されたコンタクト９は、ＴｉＮ膜４と直接に接続されている。 - 特許庁
Co-precipitate 5 produced after finishing the dropping is fired 8 to obtain antimony tin oxide 9 which is the solar radiation shielding material.例文帳に追加
滴下終了後に生成させた共沈物５を焼成８し、日射遮蔽材料であるアンチモン錫酸化物９を得る。 - 特許庁
1
TIN2
遺伝子名称
2
Ho Man Tin Estate
百科事典
3
TIN1
遺伝子名称
4
TINAG
遺伝子名称
6
Jam Tin Grenade
百科事典
7
San Tin Highway
百科事典
8
AW552114
遺伝子名称
9
D14Wsu146e
遺伝子名称
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