voltage regionとは 意味・読み方・使い方

This semiconductor device, a semiconductor memory device or a flash memory includes a high voltage region including a high voltage component, a low voltage region including a low voltage component and a switch transistor for connecting the high voltage region and the low voltage region, such as a low voltage switch transistor.例文帳に追加

半導体装置、半導体メモリ装置、またはフラッシュメモリは高電圧構成要素を含む高電圧領域、低電圧構成要素を含む低電圧領域、および低電圧スイッチトランジスタのような前記高電圧領域と低電圧領域とを連結するスイッチトランジスタを含む。 - 特許庁

The voltage value V1 is a voltage for operating the drive transistor Tdr in a saturation region and the voltage value V2 is a voltage for operating the drive transistor Tdr in a non-saturation region.例文帳に追加

電圧値Ｖ1は駆動トランジスタＴdrを飽和領域にて動作させる電圧であり、電圧値Ｖ2は非飽和領域にて動作させる電圧である。 - 特許庁

A breakdown voltage structure 20 provided between an active region 10 and an isolation region 30 is composed of a forward breakdown voltage structure region 40 and a reverse breakdown voltage structure region 50.例文帳に追加

活性領域１０と分離領域３０との間に設けられた耐圧構造部２０は、順方向耐圧構造領域４０と逆方向耐圧構造領域５０とからなる。 - 特許庁

This DMOS device includes: a high-voltage transistor region and a low-voltage transistor region; a drift diffused region formed in the high-voltage transistor region; and a well region formed in the low-voltage transistor region, wherein the drift diffused region and the well region have substantially the same depth.例文帳に追加

高電圧トランジスタ領域及び低電圧トランジスタ領域と、前記高電圧トランジスタ領域に形成されたドリフト拡散領域と、前記低電圧トランジスタ領域に形成されたウェル領域と、を含み、前記ドリフト拡散領域と前記ウェル領域が同一の深さを有することを特徴とするＤＭＯＳ素子を構成する。 - 特許庁

A voltage value of the feed-through voltage is adjusted so as to accord with a voltage in a non-sensitive region of a voltage-permeability characteristic.例文帳に追加

フィードスルー電圧の電圧値を、電圧−透過率特性の不感領域の電圧に一致するように調整する。 - 特許庁

Moreover, an n-type extension region 9 is formed with common use of an n-channel intermediate voltage resistance MIS of an intermediate voltage resistance MIS region and an extension region of an n-channel high voltage resistance MIS in a high voltage resistance MIS region.例文帳に追加

また、中耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の中耐圧ＭＩＳと高耐圧ＭＩＳ領域のＮチャネル型の高耐圧ＭＩＳのエクステンション領域を共有化し、Ｎ型エクステンション領域９とする。 - 特許庁

A semiconductor substrate has a cell region, a high voltage region, and a low voltage region, wherein a mask is used that exposes the cell region and part of a device isolation film of the high voltage region.例文帳に追加

本発明の製造方法によると、セル領域、高電圧領域、低電圧領域を有する半導体基板において、セル領域と高電圧領域の素子分離膜の一部とを露出させるマスクを用いる。 - 特許庁

The peripheral region is a region on an outer side of the display region, and a reference voltage pad is formed.例文帳に追加

周辺領域は表示領域の外側の領域であり、基準電圧パッドが形成されている。 - 特許庁