valence-bandとは 意味・読み方・使い方

The valence band of the AlGaAs is formed in a range lower in energy level than the upper end of the valence band of the GaAs layer and higher than that of the InAlP layer.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ層の価電子帯は、ＧａＡｓ層の価電子帯の上端よりも低く、ＩｎＡｌＰ層の価電子帯の上端よりも高いエネルギ準位の範囲に形成される。 - 特許庁

The hole transfer layer 4 has a valence electron band 4a which has an energy band width narrower than that of the valence electron band 2d of the light-absorbing layer 2 and passes positive holes at a given energy level E_h selectively.例文帳に追加

正孔移動層４は、光吸収層２における価電子帯２ｄのエネルギー幅より狭いエネルギー幅を有しており所定のエネルギー準位Ｅ_ｈの正孔を選択的に通過させる価電子帯４ａを有する。 - 特許庁

In operation, the conduction band of the island is lowered when a positive gate voltage is applied and a valence band is raised when a negative gate voltage is applied.例文帳に追加

動作時、正のゲート電圧を印加するとアイランドの伝導帯が降下し、負のゲート電圧印加で価電子帯が上昇する。 - 特許庁

Therefore, a dip is formed in a valence band instead of a conduction band in the interface between the light-emitting layer SP- and the gallium nitride semiconductor layer P.例文帳に追加

このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 - 特許庁

Thus, since a valence band energy difference ΔEv between the emitter layer 14 and the base layer 13, and a valence band energy difference ΔEv between the collector layer 12 and the base layer 13 are increased, both the breakdown voltage and the current gain are increased.例文帳に追加

これにより、エミッタ層１４とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V 、及びコレクタ層１２とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V が大きくなるため、耐圧及び電流利得が共に増大する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a first III-V semiconductor layer 110 having an energy level of a first conduction band and a first valence band, a second III-V semiconductor layer 120 having an energy level of a second conduction band and a second valence band, and a metal layer 130 having a Fermi evergy level.例文帳に追加

半導体デバイス１００は、第１の伝導帯および第１の価電子帯のエネルギレベルを有する第１のIII−Ｖ族半導体層１１０、第２の伝導帯および第２の価電子帯のエネルギレベルを有する第２のIII−Ｖ族半導体層１２０、およびフェルミエネルギレベルを有する金属層１３０を含む。 - 特許庁

According to this method, a hole in the second semiconductor layer 12B is excited by the valence band of the first semiconductor layer 12A.例文帳に追加

これにより、第２の半導体層１２Ｂ中の正孔が第１の半導体層１２Ａの価電子帯に励起される。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor, a band structure is optimized, by giving tensile strain to a channel layer where a two-dimensional electron gas flows and controlling band discontinuity on the side of the valence band.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて二次元電子ガスの流れるチャネル層に対して引張り歪みをあたえるとともに価電子帯側のバンド不連続を調節してバンド構造を最適化する。 - 特許庁