vbgとは 意味・読み方・使い方

A band gap voltage generation part 10 in a reference voltage output part 1 is constituted so as to output output-voltage VBG by NPN transistors Q1, Q2 and resistors R1 to R3.例文帳に追加

基準電圧出力部１のバンドギャップ電圧生成部１０は，ＮＰＮトランジスタＱ１，Ｑ２，抵抗Ｒ１〜Ｒ３により，出力電圧ＶBGを出力するように構成されている。 - 特許庁

The BIP chip 20 obtains the constant-voltage VOUT, in conformity with the resistance ratio of the power supply sense resistor, based on the corrected reference voltage (VBG+β) obtained from the adding section 23.例文帳に追加

そして、ＢＩＰチップ２０は、加算部２３で得られた補正基準電圧（ＶＢＧ＋β）により電源検出抵抗の抵抗比に応じた一定電圧ＶＯＵＴを取得する。 - 特許庁

An error amplifier 3 generates current Id corresponding to difference between charging voltage V (Cref) up to the charging time termination of capacitance Cref supplied to an inverted input terminal through a peak hold circuit 1 and the voltage Vbg of a voltage source Vbg supplied to a noninverted input terminal and supplies the current Id to an LC oscillation circuit 5 and the upper part of a switch element SW1.例文帳に追加

誤差アンプ３は、ピークホールド回路１を介して、反転入力端に供給される容量Ｃｒｅｆの充電時間終了時までの充電電圧Ｖ（Ｃｒｅｆ）と、非反転入力端に供給される電圧源Ｖｂｇの電圧Ｖｂｇとの差に応じた電流Ｉｄを生成し、ＬＣ発振回路５と、スイッチ素子ＳＷ１上方に供給する。 - 特許庁

In this case, the detecting resistor element R3 is made of an element having temperature characteristics similar to those of resistor elements R1 and R2, and the conversion reference power source VREF is generated from band gap reference voltage VBG.例文帳に追加

その場合、検出用抵抗素子Ｒ３を、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２と同等の温度特性を備える素子にして、変換用基準電源ＶREFをバンドギャップ基準電圧ＶBGより生成する。 - 特許庁

A compensation current application circuit 2 is added to a band gap circuit 1 outputting a voltage VBG formed by adding an output voltage of a differential amplifier T to base-to-emitter voltage of a transistor Q1.例文帳に追加

トランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧に差動増幅器Ｔの出力電圧を加えた電圧ＶＢＧを出力するバンドギャップ回路１に対し，補償電流印加回路２を付加した。 - 特許庁

In this way, in the high temperature area in which an output voltage VBG of the band gap circuit 1 shows a negative temperature characteristic, the base-to-emitter voltage of the transistor Q1 is increased by the applied current from the compensation current application circuit 2 for easing the temperature characteristic.例文帳に追加

これにより，バンドギャップ回路１の出力電圧ＶＢＧの温度特性が負となる高温域において，補償電流印加回路２の印加電流によりトランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧を増加させ，温度特性を緩和している。 - 特許庁

Current to be outputted from a transistor Q16 of a constant current circuit 12 is supplied to a band gap cell circuit 14 as bias current through a current mirror circuit 26 and a constant voltage line 23 from which reference voltage VBG is outputted, folded by the current mirror circuit 26 and becomes bias current of an operational amplifier 15.例文帳に追加

定電流回路１２のトランジスタＱ１６から出力される電流は、カレントミラー回路２６と基準電圧ＶBGが出力される定電圧線２３とを通してバンドギャップセル回路１４にバイアス電流として供給されるとともに、カレントミラー回路２６で折り返されてオペアンプ１５のバイアス電流となる。 - 特許庁

This surface emission semiconductor laser includes a first mirror 102, an activation layer 103 formed above the first mirror 102, and a second mirror 106 formed above the activation layer 103, wherein at least any one of the first mirror 102 and the second mirror 106 has a VBG (Volume Bragg Grating) 180.例文帳に追加

本発明に係る面発光型半導体レーザは，第１ミラー１０２と、第１ミラー１０２の上方に形成された活性層１０３と、活性層１０３の上方に形成された第２ミラー１０６と、を含み、第１ミラー１０２および第２ミラー１０６のうちの少なくとも一方は，ＶＢＧ（Volume Bragg Grating）１８０を有する。 - 特許庁