weak inversionとは 意味・読み方・使い方

A drain breakdown voltage at the time of weak inversion or inversion in a channel forming region, is made smaller than the maximum drain applied voltage.例文帳に追加

チャネル形成領域が弱反転あるいは反転時のドレイン耐圧を最大ドレイン印加電圧より小さくした。 - 特許庁

The input protection circuit 16 regulates a voltage at the input of the power supply 10 and limits a current at the input 10, when making a switch from a weak mode to a strong mode and prevents inversion of the current, when switching from a strong mode to a weak mode.例文帳に追加

入力保護回路１６は、電源１０の入力における電圧を調整し、弱いモードから強いモードにスイッチする時には、入力１０における電流を制限し、また強いモードから弱いモードにスイッチする時には、電流の反転を防止する。 - 特許庁

To provide position information, even when a reception intensity of GPS signals is weak through compensating for phase inversion of a navigation message and integrating the phase over a long time.例文帳に追加

航法メッセージの位相反転を補償して長時間の位相積分を行なうことで、ＧＰＳ信号の受信強度が弱い場合でも位置情報を提供できるようにする。 - 特許庁

A signal processing circuit contains one or more ion-sensitive field-effect transistors, namely, ISFET, and a bias circuit for biasing them or each ion-sensitive field-effect transistor so as to operate in a weak inversion region.例文帳に追加

１つ以上のイオン感応電界効果トランジスタ、すなわちＩＳＦＥＴと、弱反転領域で動作するよう前記または各々のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるためのバイアス回路とを含む信号処理回路である。 - 特許庁

The optical waveguide element which has a substrate consisting of a material having an electrooptic effect and an optical waveguide formed on the substrate and wherein a part of the substrate concerning the optical waveguide part has a polarization inversion region 10, 11, or 12 has the polarization domain wall in the polarization inversion region inclined in the direction toward which structural strength of the substrate is made weak.例文帳に追加

電気光学効果を有する材料からなる基板と、該基板上に形成された光導波路と、該光導波路部に係る基板の一部が分極反転領域１０，１１，１２を有する光導波路素子において、該基板の構造的強度の弱い方位に対して傾斜している該分極反転領域の分極ドメイン壁を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for using the ion-sensitive field-effect transistor to monitor properties of a medium includes the step of biasing the ion-sensitive field-effect transistor in a weak inversion region, exposing the ion-sensitive field-effect transistor to the medium, and analyzing the output of different ion-sensitive field-effect which depends on the properties.例文帳に追加

イオン感応電界効果トランジスタを用いて媒体の性質をモニタする方法は、弱反転領域のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるステップと、イオン感応電界効果トランジスタを前記媒体に露出するステップと、前記性質に依存して異なるイオン感応電界効果の出力を分析するステップとを含む。 - 特許庁

When a negative input voltage is input to an internal circuit to a first terminal P1, an NMOS transistor 12 is controlled to be turned off but since the input voltage is negative, on the basis of an inter-gate-source voltages of the NMOS transistor 12 at that time, the NMOS transistor 12 is not completely turned off but operates in e.g., a weak inversion area.例文帳に追加

第一端子Ｐ１が内部回路への負の入力電圧を入力される時、ＮＭＯＳトランジスタ１２はオフするよう制御されているが、入力電圧が負であるので、この時のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲート・ソース間電圧に基づき、ＮＭＯＳトランジスタ１２が完全にオフしないで例えば弱反転領域で動作する。 - 特許庁