activation regionとは 意味・読み方・使い方

On the region not to be the activation region, a silicon oxide film 15A thicker than the silicon oxide film 15B is formed.例文帳に追加

一方、活性化領域とならない領域にはシリコン酸化膜１５Ｂよりも厚いシリコン酸化膜１５Ａが形成される。 - 特許庁

Since the activation of the impurity region is made by the above method, the impurity region can be activated without losing crystallizability.例文帳に追加

不純物領域の活性化を上記の方法で行うことにより結晶性を損なうことなく活性化することができる。 - 特許庁

To achieve a higher activation rate in an ion-implanted region of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置のイオン注入領域において更なる高活性率化を図る。 - 特許庁

As described above, since activation annealing is performed by use of the radiant heat, it is possible to reduce a difference in temperatures between an end of an activation region and an element isolation region, similarly to the case of using a diffusion furnace.例文帳に追加

このように、輻射熱を用いて活性化アニールが行われるため、活性領域端と素子分離領域との温度差は、拡散炉を用いた場合と同様に小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device without a small concentration of electric field at a corner portion 6 of an activation region 2.例文帳に追加

活性化領域２のコーナー部分６への電界集中が少ない半導体装置を提供する。 - 特許庁

Since a temperature in a deep region in the surface of the substrate can be raised to an activation temperature or above without overheating a shallow region, activation of junction in the deep region can be carried out without causing warpage or cracking of the substrate.例文帳に追加

これにより、基板表面の浅い領域を必要以上に加熱することなく深い領域をも活性化温度以上に昇温することができ、基板に反りや割れを生じさせることなく深い接合の活性化を行うことができる。 - 特許庁

When activation annealing is performed to a source region 14 and a drain region 15 of a polysilicon layer 11, the amount of hydrogen can be reduced in diffusing from the second gate insulating film 17 to a channel region 13 of the polysilicon layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン層11のソース領域14およびドレイン領域15の活性化アニールの際に、第２ゲート絶縁膜17からポリシリコン層11のチャネル領域13へと拡散する水素量を低減できる。 - 特許庁

Heat treatment for activation is performed under a state where the n^-type epitaxial layer 2, the source region 4 and the drain region 5 are covered with the silicon oxide film 6.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜６によってｎ^-型エピ層２、ソース領域４及びドレイン領域５を覆った状態で活性化のための熱処理を行う。 - 特許庁