amorphizeとは 意味・読み方・使い方

Electrically inactive ions are implanted into the polysilicon layer 18 to amorphize a surface layer 20.例文帳に追加

ポリシリコン層１８に電気的に不活性なイオンを注入して表層２０をアモルファス化する。 - 特許庁

When the oxygen concentration of the oxide semiconductor is increased, generation of microcrystal is suppressed to amorphize.例文帳に追加

酸化物半導体の酸素濃度を高くすることで微結晶の生成が抑制され非晶質化する。 - 特許庁

A magnetically-separated magnetic recording pattern is formed by forming a magnetic layer on a non-magnetic substrate, then exposing the surface of the magnetic layer partially to a reactive plasma such as oxygen and halogen, or to various kinds of reactive ions generated in the plasma so as to amorphize the portion of the magnetic layer and to modify the magnetic characteristics.例文帳に追加

非磁性基板上に磁性層を形成した後、該磁性層の表面を部分的に酸素、ハロゲン等の反応性プラズマにさらし、もしくは該プラズマ中に生成した各種反応性イオンにさらし、該箇所の磁性層を非晶質化せしめ、磁気特性を改質することにより磁気的に分離した磁気記録パターンを形成する。 - 特許庁

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.例文帳に追加

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁