boundary reactionとは 意味・読み方・使い方

A reaction layer 2c with the oxide, nitride or boride of metal or Si element is formed on the boundary between the coating 2 and the vitrified bond.例文帳に追加

被覆２とビトリファイドボンドとの境界に、金属の酸化物、窒化物、または硼化物とＳｉ元素との反応層２ｃが形成されている。 - 特許庁

Also, the foaming reaction in a boundary corner part 25 is fully performed and the round sagging in the boundary corner part 25 is avoided since a larger board thickness L1 of the cavity in the boundary corner part is set by digging concave groove 64 and 65 deep on the mold face of fixed mold 60 in the boundary portion between the general use cavity C1 and the vertical wall cavity C2.例文帳に追加

そして、一般部用キャビティＣ１と縦壁部用キャビティＣ２との境界部分における固定側金型６０の型面に凹溝６４，６５を掘り込み形成して、境界部分でのキャビティの板厚Ｌ１を大きく設定することで、境界コーナー部２５における発泡反応を充分行なわせ、境界コーナー部２５でのＲ垂れを回避する。 - 特許庁

The ceramic electronic component (10) includes a first dielectric layer (11), a second dielectric layer (12), and a boundary reaction layer (13).例文帳に追加

本実施形態のセラミック電子部品１０は、第１の誘電体層１１と、第２の誘電体層１２と、境界反応層１３とを含むものである。 - 特許庁

In June 1582, as soon as Nobunaga died in the Honnoji Incident, Hideyoshi's Chugoku Ogaeshi (the term refers to the reaction to Honnoji Incident by Hideyoshi Hashiba, in which he rushed back to Bicchu even though he was in a battle with Mitsuhide Akechi in Yamazaki which was near the boundary between Settsu Province and Yamashiro Province when he learnt the news) and the Battle of Yamazaki started.発音を聞く 例文帳に追加

天正10年（1582年）6月、信長が本能寺の変で死去、秀吉の中国大返しと山崎の戦いが始まった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The boundary layer includes a reaction product of the part A reactive component and the part B reactive component and is disposed between the first layer and the second layer.例文帳に追加

境界層が、パートA反応性成分とパートB反応性成分との反応生成物を含み、そして、第一層と第二層との間に配置される。 - 特許庁

A reaction is carried out with the grade of the magnetic susceptibility developed in the boundary surface of a phase by changing the magnetic susceptibility of the phase reacting therein in a uniform magnetic field.例文帳に追加

均一磁場にあって、反応が起こる相の磁化率を変えることにより、相の境界面に磁化率勾配が生成した状態で反応を行う。 - 特許庁

To decrease a leakage amount to improve substrate treatment quality and to reduce running cost when sealing the boundary between a reaction tube and an adapter using a sealing gas in substrate treatment equipment having the reaction tube and the adapter.例文帳に追加

反応管とアダプタを有する基板処理装置に於いて、反応管とアダプタの境界部をシールガスでシールする場合に、リーク量を減少させ、基板の処理品質を向上させると共にランニングコストを低減する。 - 特許庁

For a field effect transistor, a conductive oxide is used for a gate electrode 4 and one kind selected from among SiO2, silicate, the boundary reaction layer of a metal oxide or the conductive oxide and Si and the boundary reaction layer of the same and SiO2 is used for a gate insulation layer 3 on a channel, using an Si semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１を用いたチャネル上に導電性酸化物をゲート電極４に、ＳｉＯ２、シリケート、金属酸化物あるいは導電性酸化物とＳｉとの界面反応層、ＳｉＯ２との界面反応層から選ばれた一種をゲート絶縁層３に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁