bridgmanとは 意味・読み方・使い方

The compound semiconductor single crystal is manufactured by growing a GaAs single crystal or an InP single crystal by a vertical Bridgman method using the vessel.例文帳に追加

この容器を使用して縦型ブリッジマン法によってＧａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶を育成して化合物半導体結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal production device effective in enhancing the growth rate of a seed crystal and increasing the length of a grown compound semiconductor single crystal, in a compound semiconductor crystal production process by a VB(vertical Bridgman) method.例文帳に追加

ＶＢ法による種結晶部の成長速度の高速化、結晶の長尺化に有効な化合物半導体結晶の製造を可能にすること。 - 特許庁

The growth by a Bridgman method is carried out while controlling the amount of a raw material to be charged in the crucible so that 10 to 50% of a melt of the raw material is accommodated in the upper crucible part 1 when the raw material is melted.例文帳に追加

るつぼ内に投入する原料の量を、原料を溶融させた時の融液が上部るつぼ部品に１０〜５０％入る程度に規制しつつ、ブリッジマン育成を行なう。 - 特許庁

To inhibit dislocation due to thermal strain from being caused and to make a cooling rate high in a method for the production of compound semiconductor crystal using a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いた化合物半導体結晶の製造方法において、熱歪みによる転位発生の抑制と冷却速度の高速化を実現することを可能とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a crystal having a structure with which a high quality single crystal is stably obtained by a simple process, in a growth apparatus of a single crystal by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置において、簡便な方法で、高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an La_3Ga_5SiO_14 single crystal by a Bridgman method in which the generation of a dissimilar phase or a crack at the time of growing the single crystal can be suppressed by preventing the deviance in the composition.例文帳に追加

組成ずれを防ぐことにより、単結晶育成時の異相やクラックの発生を抑制することができるブリッジマン法によるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method by which a good quality lithium tetraborate single crystal which is free from a light-scattering material and suitable as an optical element can be grown by a vertical bridgman method.例文帳に追加

光学素子用として好適な、光散乱体を含まない極めて良質な四ほう酸リチウム単結晶を、垂直ブリッジマン法により育成させることができる新規な方法を提供する。 - 特許庁

To grow a single crystal having a low dislocation density in a good yield by preventing that the solid-liquid interface becomes a shape recessed to the melt side when the single crystal is grown by a vertical Bridgman method.例文帳に追加

垂直ブリッジマン法を用いるに当たり、固液界面の形状が融液側に凹面になってしまうのを抑制することにより、転位密度の低い単結晶を歩留まり良く育成する。 - 特許庁