c112とは 意味・読み方・使い方

A sampling transistor 115 writes a signal Vsig inputted from a signal line DTL101 directly to the hold capacitor C111 not through coupling between the additional hold capacity C112 and a capacitor component including the gate capacitance of the drive transistor 111.例文帳に追加

サンプリングトランジスタ１１５は、信号線ＤＴＬ１０１から入力された信号Ｖｓｉｇを、追加保持容量Ｃ１１２及びドライブトランジスタ１１１のゲート容量を含む容量成分との結合を介することなく、直接保持容量Ｃ１１１に書き込む。 - 特許庁

A mail control part 104 adds a cryptographic key a 112 to the cipher sentence C112, transmits it to a user B as a mail main body, adds the cryptographic key b108 to the mail to which a session key Ke 107, session information (t) and file information F are added and sends the mail later as an auxiliary mail.例文帳に追加

メール制御部１０４は、暗号文Ｃ１１２に暗号鍵ａ１１２を添付しメール本体として利用者Ｂに送信し、セッション鍵Ｋｅ１０７及びセッション情報ｔ、ファイル情報Ｆを添付したメールに暗号鍵ｂ１０８を添付して副メールとして後送する。 - 特許庁

The capacitor C111 is connected between the node ND1 and the second node, the serially connected tuning coil L112 and the capacitor C112 are connected between the node ND1 and the node ND2 in parallel to the tuning coil L111, and an output node of the tuning circuit 1101b by the node ND1 is formed.例文帳に追加

キャパシタＣ１１１がノードＮＤ１と上記第２のノードとの間に接続され、同調コイルＬ１１１と並列に、直列接続された同調コイルＬ１１２とキャパシタＣ１１２がノードＮＤ１とノードＮＤ２間に接続され、ノードＮＤ１により同調回路１１０１ｂの出力ノードが形成されている。 - 特許庁

A tuning circuit 1101b includes a first tuning coil (inductor) L111 and a second tuning coil (inductor) L112 for forming a receiving antenna, a first capacitor C111, a second capacitor C112, and a first node ND1 and a second node ND2 connecting both terminals of a tuning coil L111 respectively.例文帳に追加

同調回路１１０１ｂは、受信アンテナを形成する第１の同調コイル（インダクタ）Ｌ１１１、第２の同調コイル（インダクタ）Ｌ１１２、第１のキャパシタＣ１１１、第２のキャパシタＣ１１２、同調コイルＬ１１１の両端子がそれぞれ接続される第１のノードＮＤ１、および第２のノードＮＤ２とを含む。 - 特許庁

An interpolation capacitor C112 is formed with a compounded capacitor of a capacitor formed between a first wiring layer 123 constituting a gate electrode of a transistor 111 and a polysilicon layer 126 as a semiconductor layer, a capacitor formed between the polysilicon layer and a second wiring layer 128, and a capacitor formed between the second wiring layer 128 and a third wiring layer 130.例文帳に追加

補間容量Ｃ１１２は、トランジスタ１１１のゲート電極を形成する第１配線層１２３と半導体層であるポリシリコン層１２６との間に形成される容量、ポリシリコン層と第２配線層１２８との間に形成される容量、さらに第２配線層１２８と第３配線層１３０との間に形成される容量の合成容量により形成されている。 - 特許庁