crude densityとは 意味・読み方・使い方

If, for example, the gates of the dense patterns are connected, the dependence of the line widths on the crude density is corrected.例文帳に追加

例えば、密パターンのゲートをつなげると、線幅の疎密依存性が是正される。 - 特許庁

To correct the dependence on the crude density of line widths depending upon the distances between the patterns of fine processing patterns using a phase shift.例文帳に追加

位相シフトを用いた微細加工パターンのパターン間距離に依存した線幅の疎密依存性を補正する。 - 特許庁

Thus, the failure of the contact plug specific to the logic circuit which is caused by crude density (randomness) of a diffusion layer, wiring layer, and contact plug layer, is easily detected for the defect analysis.例文帳に追加

これにより、拡散層と配線層及びコンタクトプラグ層の粗密（ランダム性）に起因するロジック回路特有のコンタクトプラグ不良を容易に検出し、不良解析できる。 - 特許庁

The amount of the oozing components remaining in the elastic conductive layer, the crude density of the three dimensional net structure formed by the cross-linking reaction of the surface resin conductive cover layer, and the film thickness of the conductive cover layer are all specified.例文帳に追加

導電性弾性層中に残存している染み出し成分の量と、表面樹脂導電性被覆層の架橋反応により形成される三次元網目構造の粗密度および導電性被覆層の膜厚を規定する。 - 特許庁

To perform appropriate correction in order to suppress dimension nonuniformity in the plane of a semiconductor substrate or between the semiconductor substrates to the minimum by suppressing influence from the circumference of a pattern to the minimum when exposing the pattern which is fine with a large difference in crude density.例文帳に追加

微細且つ密度の粗密差の大きいパターンを露光する際に、当該パターンの周囲からの影響を最小限に抑え、半導体基板面内や半導体基板間における寸法ばらつきを最小限に抑えるべく適切な補正を実現する。 - 特許庁

To provide a bone absorption inhibitor which enables long-term administration and is safe and highly effective by finding an action to advantageously inhibit bone absorption causing the lowering of bone density from crude drugs having reduced side effects, and a prophylactic and therapeutic agent for osteoporosis.例文帳に追加

本発明の目的は、骨密度低下において原因となる骨吸収を優位に抑制する作用を、副作用の少ない生薬より見いだし、長期間服用可能な安全かつ有効性の高い骨吸収抑制剤ならびに骨粗鬆症の予防及び治療剤の提供を目的とする。 - 特許庁

In forming the mask patterns to be used for the ordinary exposure, the sizes of the light shielding patterns (gate electrodes) on a mask for the ordinary exposure superposed on the positions corresponding to the fine patterns on the mask for the high-resolution exposure are changed in the direction of reducing the line width difference after the resolution which occurs according to the crude density of the fine patterns.例文帳に追加

その通常露光に用いるマスクパターンの生成に際し、高解像度露光用マスク上の微細パターンに対応した位置に重ねられる当該通常露光用マスク上の遮光パターン（ゲート電極）のサイズを、微細パターンの疎密性に応じて生じる解像後の線幅格差を縮小する方向に変化させる。 - 特許庁