channel PMOSFETとは 意味・読み方・使い方

To realize a channel concentration profile of a pMOSFET having a metal gate electrode structure and a buried channel structure as desired.例文帳に追加

金属ゲート電極構造および埋め込みチャネル構造を有するｐＭＯＳＦＥＴのチャネル濃度プロファイルを所望通り実現する。 - 特許庁

The positive fixed charge present in the gate insulating film 105 of the PMOSFET decreases the channel impurity concentration of the PMOSFET, resulting in an increased operation current.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０５中に存在する正の固定電荷によってＰＭＯＳＦＥＴのチャネル不純物濃度を減らすことができ、動作電流を増大することができる。 - 特許庁

To suppress a junction leakage and a contact leakage due to a misalignment while restraining the short channel effect, by reducing the dopant concentration of a substrate in a surface channel type PMOSFET.例文帳に追加

表面チャネル型のＰＭＯＳＦＥＴにおいて、基板不純物濃度を低減して、短チャネル効果を抑制しながら、接合リークや合わせずれに対するコンタクトリークを抑制すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can suppress short-channel effect in a PMOSFET and can assure an operation in a shorter gate length, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴにおいて、ショートチャネル効果を抑制でき、より短いゲート長での動作を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

A surface channel-type transistor (e.g. CMOSFET or PMOSFET) which is previously determined in size so as to be smaller than, for instance, 0.25 μm is formed on a substrate 11.例文帳に追加

基板上に形成され予め定められたサイズ（例えば、０．２５μｍ）以下表面チャネル型トランジスタ（例えば、ＣＭＯＳＦＥＴ又はＰＭＯＳＦＥＴ）が形成されている。 - 特許庁

A PMOSFET 100 is formed on an active region segmented by an element isolation insulating film 16, and a stress providing film 17 for applying a compression stress in a gate length direction on the channel region of the PMOSFET 100 is formed on the upper part of the element isolation film 16.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１６によって区画された活性領域にＰＭＯＳＦＥＴ１００が形成されており、素子分離絶縁膜１６の上部には、ＰＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域にゲート長方向に圧縮応力を印加する応力付与膜１７が形成されている。 - 特許庁

A PMOSFET is equipped with a compressive strain Si-Ge channel layer 19 which is sandwiched in between P+ drain/source diffusion layers 18 is formed on the surface of the Si substrate 10.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴはＳｉ基板１０の表面にトランジスタのソース又はドレインであるｐ^+ 拡散層１８に挟まれて圧縮歪みＳｉ−Ｇｅチャネル層１９が形成されている。 - 特許庁