charge regionとは 意味・読み方・使い方

The surface of the n-type buried region 106 is an n-type in the region where the charge accumulator 152 and charge holding region 154 are formed.例文帳に追加

Ｎ型埋込領域１０６の表面部は、電荷蓄積部１５２および電荷保持領域１５４が形成された領域においてＮ型とされる。 - 特許庁

In the semiconductor region, a second conductivity-type charge mixing prevention region opposes at least part of the charge storage region via part of the semiconductor region, and is formed on the back side of the semiconductor substrate rather than in the charge storage region.例文帳に追加

半導体領域内には、電荷蓄積領域よりも半導体基板の裏面側に、半導体領域の一部を介して電荷蓄積領域の少なくとも一部に対向する第２導電型の電荷混入防止領域が形成されている。 - 特許庁

Thereby, a part of the P-type region 5 of one side of the electric charge transfer region 7 is set as an element isolation region 5a, and another part of the P-type region 5 of the other side of the electric charge transfer region 7 is set as a read-out gate region 5b.例文帳に追加

これによって、電荷転送領域７の一側方のＰ型領域５部分を素子分離領域５ａとし、電荷転送領域７の他側方のＰ型領域５部分を読み出しゲート領域５ｂとする。 - 特許庁

In the structure, the excessive charge exhaust region is located inside the semiconductor substrate, and so it is separate from the charge storage region and a region where an inversion layer is formed during transfer of signal charge.例文帳に追加

この構造では、過剰電荷排出領域は、半導体基板の内部に位置するので、電荷蓄積領域や、信号電荷の転送時に反転層が形成される領域から離れている。 - 特許庁

The channel region protrudes over the source region and the drain region, and the electric charge storage layer is separated from the source region and the drain region.例文帳に追加

前記チャンネル領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域より突出しており、前記電荷保存層は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と離隔されている。 - 特許庁

The charge storage film includes a charge film formed on the active region and having predetermined charge trap characteristics, and an altered charge film formed on the element isolation insulating film and having charge trap characteristics inferior to those of the charge film.例文帳に追加

電荷蓄積膜は、活性領域上に形成され所定の電荷トラップ特性を有するチャージ膜と、素子分離絶縁膜上に形成されチャージ膜よりも電荷トラップ特性の劣る変質チャージ膜とを備える。 - 特許庁

A charge read region 4 is formed between a photoelectric conversion part 2 and a charge transfer path 3 corresponding to the photoelectric conversion part 2, and a PD-VCCD element isolation region 5 is formed in a region except for the charge read region 4 out of a region between the photoelectric conversion part 2 and the charge transfer path 3 at a side thereof.例文帳に追加

光電変換部２とこれに対応する電荷転送路３との間には電荷読み出し領域４が形成され、光電変換部２とこの側部にある電荷転送路３との間の領域のうち、電荷読み出し領域４を除く領域には、ＰＤ−ＶＣＣＤ間素子分離領域５が形成されている。 - 特許庁

A transfer electrode is placed between the electric charge generation region and the signal electric charge region in the second region R2 and has a part extending along the periphery of the second region R2.例文帳に追加

転送電極は、第２の領域Ｒ２内における電荷発生領域と信号電荷収集領域との間に位置すると共に、第２の領域Ｒ２の縁に沿って伸びる部分を有している。 - 特許庁