clamp formationとは 意味・読み方・使い方

A chamber 1 for film formation is provided with clamp electrodes 19a and 19b, and a carbon fiber 23 is extended on the space between the clamp electrodes 19a and 19b.例文帳に追加

成膜用チャンバ１にクランプ電極１９ａ、１９ｂを備え、クランプ電極１９ａ、１９ｂ間に、カーボンファイバー２３を張り渡す。 - 特許庁

In such a disk clamp 38, the rigidity of the flat plate 39 is reduced in a formation area of the through-hole 51.例文帳に追加

こうしたディスククランプ３８では、貫通孔５１の形成領域で平板３９の剛性は低下する。 - 特許庁

To provide a cylindrical outer surface scanner enabling a punch hole and/or notch formation processing and a clamp processing to a recording drum in the state that accurate positioning is performed.例文帳に追加

正確な位置決めがされた状態でのパンチ孔及び／又は切り欠き形成処理及び記録ドラムへのクランプ処理が可能な円筒外面走査装置を提供する。 - 特許庁

Hereby, the formation of a temperature detection unit 12 comprising the cylindrical thermal insulator 16 and a pair of the temperature sensors 18, 20 becomes simpler, more inexpensive and more compact, compared with a conventional clamp type ampere meter.例文帳に追加

これにより、筒状断熱材１６および１対の温度センサ１８、２０からなる温度検出ユニット１２の構成を、従来のクランプ式電流計に比して簡単かつ安価でコンパクトなものとする。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a conductor pattern formed on the semiconductor substrate 11 in a formation region of the capacitative element 10 and a voltage clamp terminal 28 for clamping voltage of the conductor pattern.例文帳に追加

そして、容量素子１０の形成領域内の半導体基体１１上に形成されている導体パターンと、導体パターンの電位を固定するための電位固定端子２８とを備える半導体装置を構成する。 - 特許庁

The temperature measuring tool 10 is comprised of a substrate 11 made of a silicon wafer; a thermocouple 12 which is formed by using film formation method, photo lithograph method, and etching method; and a clamp pad (electrode pad) 13 which is arranged at the edge of the substrate 11, and is connected with the thermocouple 12.例文帳に追加

温度測定具１０は、シリコンウェハからなる基板１１と、成膜法、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を使用して形成された熱電対１２と、基板１１の縁部に配置されて熱電対１２と接続されたクランプパッド（電極パッド）１３とにより構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁