dislocation loopとは 意味・読み方・使い方

An interstitial dislocation loop is formed as uniformly distributed in the SiGe layer during the annealing.例文帳に追加

このアニール中、格子間型転位ループ（interstitial dislocation loop）がＳｉＧｅ層内に均一に分布するものとして形成される。 - 特許庁

Longitudinal dislocation, lateral dislocation and an inclination still remaining even when the dislocation is corrected by the loop formation, are detected by correcting the dislocation by integrally moving a loop roller and a register roller, and these dislocations are corrected based on a detecting result.例文帳に追加

ループローラとレジストローラとを一体に移動させてズレ補正を行うことにより、ループ形成によるズレ補正を行ってもなお残る縦ズレ、横ズレ及び傾きを検知し、検知結果に基づいてこれらのズレを補正する。 - 特許庁

The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate.例文帳に追加

この格子間型転位ループが、ＳｉＧｅ層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。 - 特許庁

The rack gear 24a in the negative dislocation rack 24 is generating processed by the loop shaped nodal part of the negative dislocation curve.例文帳に追加

負転位ラック２４におけるラック歯２４ａは、負の転位曲線のループ状の結節部により創成加工されている。 - 特許庁

Since the interstitial dislocation loop is uniformly distributed, the misfit dislocation is uniformly distributed as well, thereby the SiGe layer is loosened.例文帳に追加

格子間型転位ループが均一に分布するので、このミスフィット転位も均一に分布し、それによってＳｉＧｅ層が緩和される。 - 特許庁

To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.例文帳に追加

転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.例文帳に追加

ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁