diffusion annealingとは 意味・読み方・使い方

In annealing, the thermal diffusion of impurity is inhibited by the impurity diffusion inhibition layer, electrical junction depth becomes shallower, and at the same time impurity concentration becomes higher at a region being shallower than the impurity diffusion layer, thus reducing resistance in the impurity diffusion layer.例文帳に追加

アニール時における不純物の熱拡散がこの不純物拡散抑制層により抑制され、電気的接合深さが浅くなるとともに、不純物拡散層より浅い領域では不純物濃度が高濃度となり、不純物拡散層の抵抗を下げる。 - 特許庁

To rapidly cool an object after thermal process from an annealing temperature to a room temperature, related to a vertical diffusion device.例文帳に追加

縦型拡散装置において、熱処理済みの被処理物をアニール温度から室温に高速に冷却することを可能にする。 - 特許庁

The facility for producing the Ni-plated thin steel sheet where an Ni-electric plating apparatus for applying the Ni-plating on the thin steel sheet is directly connected with a continuous annealing furnace for applying a diffusion treatment to the Ni-plated steel sheet, is characterized in that the continuous annealing furnace is a horizontal type annealing furnace.例文帳に追加

薄鋼板にNiメッキを施すNi電気メッキ装置と、Niメッキの拡散処理を行う連続焼鈍炉とを直結したNiメッキ薄鋼板の製造設備であって、該連続焼鈍炉が横形焼鈍炉であることを特徴とするNiメッキ薄鋼板の製造設備。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion step is performed to dispose a heating device 920 such as a laser annealing device, a heat gas annealing device, or a lamp annealing device on the one surface 10s side and heat the semiconductor layer 1a with the temperature on the one surface 10s side being higher than that on the other surface 10t side.例文帳に追加

その後、不純物拡散工程において、一方面１０ｓ側にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置９２０を配置し、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で半導体層１ａを加熱する。 - 特許庁

In the annealing step, platinum particles in the high-temperature melting layer 3B are melted, rendering the adhesion and diffusion-preventive effect.例文帳に追加

そして、アニール工程においては、高温溶融層３Ｂにおいて白金粒子が溶融し、密着性および拡散防止効果が発揮される。 - 特許庁

To suppress variations in the band gaps in a quantum well active layer and the diffusion of Zn, i.e., P-type dopant, into the quantum well active layer in thermal annealing treatment.例文帳に追加

熱アニール処理による量子井戸活性層内のバンドギャップのばらつき、および、Ｐ型ドーパントのＺｎの量子井戸活性層への拡散を抑制する - 特許庁

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、ＲＬＳＡプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

Since the treatment chamber for annealing is constituted of quartz, the thermal stability of the chamber is extremely high and the diffusion of contaminants can be prevented to a high degree.例文帳に追加

アニール処理を行う処理室がともに石英で構成されているので、熱的安定性が極めて高く汚染物質の拡散を高度に防止することができる。 - 特許庁