diffusion boundary layerとは 意味・読み方・使い方

In the electrode structure composed of a polymer electrolyte membrane, and an anode and a cathode having a catalyst layer and a diffusion layer, ruthenium is dispersedly distributed on a boundary surface between an anode catalyst layer and the anode diffusion layer and/or on a boundary surface between the polymer electrolyte membrane and the anode catalyst layer.例文帳に追加

高分子電解質膜、触媒層および拡散層を有するアノードおよびカソードからなる固体高分子型燃料電池用電極構造体において、アノード触媒層とアノード拡散層との界面、または／および、高分子電解質膜とアノード触媒層との界面に、ルテニウムを分散配置する。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

To provide a producing method of a reaction layer raw material of a remarkably high performance gas diffusion electrode increased in three phase zone boundary surface.例文帳に追加

三相帯界面が増加した、著しく高性能のガス拡散電極の反応層原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the grain boundaries of the first platinum layer 81 are fed, while being difficult to continue to the grain boundary of the second platinum layer 82, a grain boundary diffusion is made hard to occur and reductant seeds are difficult to reach the oxide dielectrics film 7 via the grain boundary, even under hydrogen sintering with an aluminum wiring layer.例文帳に追加

第１白金層８１の粒界が少なく、また第２白金層８２の粒界とは連続しにくいので、粒界拡散が生じにくく、アルミ配線層１１の水素シンタを行っても還元種が粒界を介して酸化物誘電体膜７に到達しにくくなる。 - 特許庁

The second impurity diffusion layer 31A and the third impurity diffusion layer 21B are formed adjacently to each other with an element separation region 15 provided across a boundary between the first well and the second well, therebetween.例文帳に追加

第２不純物拡散層３１Ａと第３不純物拡散層２１Ｂとは、第１ウェルと第２ウェルとの境界上に跨って設けられた素子分離領域１５を挟んで隣接して形成されている。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

A boundary wall 65 is formed at a boundary part between the isotropic layer 63 and the anisotropic layer 64 to prevent diffusion of a monomer or radical from the respective areas to the adjacent other areas during formation of the phase difference layer 61.例文帳に追加

そして、等方層６３と異方層６４との境界部分には、位相差層６１を形成する際、それぞれの領域から隣接する他の領域にモノマーやラジカルの拡散が進行することを防ぐ境界壁６５が形成されている。 - 特許庁

To prevent the diffusion of gas from being hindered by a boundary layer formed on a gas passage in a unit cell and to sufficiently improve a gas utilization factor.例文帳に追加

単セル内ガス流路に形成される境界層によってガスの拡散が妨げられるのを防ぎ、ガス利用率を充分に向上させる。 - 特許庁