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eDRAMとは 意味・読み方・使い方
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コンピューター用語辞典での「eDRAM」の意味 |
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「eDRAM」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
INTEGRATED CIRCUIT INCORPORATING EDRAM AND DATA ACCESSING METHOD例文帳に追加
EDRAMを組込んだ集積回路及びデ—タ・アクセス方法 - 特許庁
NEW MICROCELL REDUNDANCY SYSTEM FOR HIGH PERFORMANCE eDRAM例文帳に追加
高性能eDRAM用の新しいマイクロ・セル冗長性方式 - 特許庁
To enable a relief of a defective data line in an I/O area of eDRAM.例文帳に追加
eDRAMのI/O領域内の不良データ線を救済できる。 - 特許庁
Enhanced DRAM replaces standard DRAM and the SRAM in the L2 (level 2) cache on the mainboard.発音を聞く 例文帳に追加
EDRAMはメインボード上のL2(レベル2)キャッシュで標準DRAMおよびSRAMに取って代る。 - コンピューター用語辞典
COLUMN REDUNDANT SYSTEM AND METHOD FOR MICROCELL IMBEDDED DRAM (eDRAM) ARCHITECTURE例文帳に追加
マイクロセル埋め込みDRAM(eDRAM)アーキテクチャのための列冗長システムおよび方法 - 特許庁
An EDRAM 12 and a logic element 14 are formed on the same substrate and they are connected by a memory bus 36.例文帳に追加
EDRAM12とロジック・エレメント14とを同一基板上に形成し、これらをメモリ・バス36により接続している。 - 特許庁
A video signal of the picked-up image for which a plurality of signal processes are completed is written into an eDRAM 22, and this written video signal is supplied to the display unit 30 to display a moving image.例文帳に追加
複数の信号処理が完了した撮像画の映像信号をeDRAM22に書き込み、この書き込まれた映像信号を表示部30に供給して動画表示を行う。 - 特許庁
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「eDRAM」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
For each bank of microcell array units comprising the eDRAM, at least one microcell unit is prepared as the redundancy to replace a defected microcell within the bank.例文帳に追加
eDRAMを含むマイクロセル・アレイ・ユニットのバンクごとに、少なくとも1つのマイクロセル・ユニットが、そのバンク内の欠陥を有するマイクロセルと置換するための冗長性として準備される。 - 特許庁
The EDRAM 12 includes plural pairs of DRAM banks 16 and SRAM caches 18, each bank includes a matrix-shaped storage position and storage data for its one column can be loaded to a corresponding cache.例文帳に追加
EDRAM12は、複数対のDRAMバンク16及びSRAMキャッシュ18を含み、各バンクは行列状の記憶位置を含み、その1列分の記憶データが対応するキャッシュにロード可能である。 - 特許庁
On the upper and lower surfaces of the board of the lead frame 10 having the metal ball members 20, the memory chip 30 and the logic circuit chip 32 respectively produced by individual producing processes are installed to form EDRAM.例文帳に追加
金属球体20を有するリードフレーム10の基板の上面および下面に、それぞれ個別の製造プロセスにより製造されたメモリチップ30及び論理回路チップ32を設置することによりeDRAMを構成させる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device, capable of reducing the problem of an RC delay caused by the extension of a data line, such as a global data line or a local data line, and achieving high speed and large capacity for, e.g., an eDRAM constituted by stacking submacros.例文帳に追加
グローバルデータ線やローカルデータ線等のデータ線の線長に由来するRC遅延の問題を軽減し、サブマクロを積み重ねて構成される例えばeDRAMを高速、大容量化できる半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁
Thus, the substitute of dual gate oxide for MOSFET, in which a high voltage region in the counter-doped part is used for the memory array of DRAM, EDRAM, SRAM and NVRAM and the like, is supplied.例文帳に追加
この方法によって、ドープした層にある低電圧領域がサポート・デバイス用に使用され、カウンタ・ドープした部分にある高電圧領域がDRAM、EDRAM、SRAM、NVRAMなどのメモリ・アレイに使用される、MOSFET用デュアル・ゲート酸化物の代替物が提供される。 - 特許庁
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