etching guideとは 意味・読み方・使い方

A groove (H) transversing the optical waveguide is formed in the wave guide thin film (12) by dry etching, and the groove (H) is dug down in the silicon substrate (11) halfway by dry etching with the wave guide thin film (12) as a mask.例文帳に追加

光導波路を横切る溝(H)をドライエッチングにより導波薄膜(12)に形成し、その導波薄膜(12)をマスクとするドライエッチングによりシリコン基板(11)の途中まで溝(H)を掘り下げる。 - 特許庁

Based on the etching rate the first guide layer 18 is etched so as to leave specified thickness.例文帳に追加

このエッチングレートに基づいて所定の厚さが残るように第１のガイド層１８がエッチングされる。 - 特許庁

A second anisotropic etching groove which connects with the first anisotropic etching groove and has the same axis as the first anisotropic etching groove and is a guide for a making position of the core layer of the optical waveguide is formed on the other side of the substrate.例文帳に追加

基板の他方には、前記第１の異方性エッチング溝と連通し、同軸で、かつ、光導波路のコア層の作製位置をガイドするように第２の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁

A skin layer 22 formed on the surface of the light guide plate 14 is removed using etching treatment.例文帳に追加

まず、導光板１４の表面に形成されているスキン層２２を、エッチング処理を用いて、除去する。 - 特許庁

The substrate (11) and the wave guide thin film (12) are made of materials which can be subjected to dry etching, and the dry etching speed of silicon being the material of the substrate (11) is ≥10 times as high as that of polyimide resin being the material of the wave guide thin film (12) in the etching condition of the substrate (11).例文帳に追加

基板(11)と導波薄膜(12)は共にドライエッチング可能な材料から成り、基板(11)のエッチング条件において、基板(11)材料であるシリコンのドライエッチング速度は、導波薄膜(12)材料であるポリイミド樹脂のドライエッチング速度の１０倍以上である。 - 特許庁

Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion.例文帳に追加

ガイドリング９の材質をＳｉＯ_2にすることにより、ＡｒイオンによりスパッタエッチングされたＳｉＯ_2のうちのＯ_2原子が被エッチング体６の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。 - 特許庁

In the plasma etching equipment 1, four first guide pins 23 are newly arranged on front, rear, right and left portions of an upper surface of an insulating ring 11, and second guide pins 24 whose diameter is smaller than that of the first guide pins 23 are arranged on upper parts of the pins 23.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング装置1は、絶縁リング１１の上面に新たに前後左右４つの第１ガイドピン２３と、それらの上部に第１ガイドピン２３よりも径の小さい第２ガイドピン２４が設けられている。 - 特許庁

Afterwards, etching is carried out from the upper face of the optical guide layer 53 to the middle of the thickness direction of the active layer 52 so that a groove 53a is formed.例文帳に追加

その後、光ガイド層５３の上面から活性層５２の厚さ方向の途中までエッチングして、溝５３ａを形成する。 - 特許庁