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f-electronとは 意味・読み方・使い方
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「f-electron」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
The aperture member 25 has an opening 25a at a front side of the electron emitting direction of the filament F.例文帳に追加
アパーチャ部材25は、フィラメントFの電子放出方向前方に開口25aを有する。 - 特許庁
And, F(Rcosθ, Rsinθ)(=F(X, Y)) is computed, and intensity distributions of electron beams are computed through an inverse Fourier transformation (step S20).例文帳に追加
そして、F(Rcosθ,Rsinθ)(=F(X,Y))を計算し、逆フーリエ変換して電子ビームの強度分布f(x,y)を算出する(ステップS20)。 - 特許庁
This functional metal complex polymer obtained from a compound of formula (1) (R is H, Cl, Br, F, NO_2, CN, or Ph group) as an electron acceptor and any other metal ion as an electron donor.例文帳に追加
下記(1)式の を電子受容体とし、他の金属イオンを電子供与体として得られる機能性金属錯体高分子である。 - 特許庁
A charge amount distribution C(x, y) in an irradiation region and a non-irradiation region is calculated by using the irradiation amount distribution E(x, y) and the fogging electron amount distribution F(x, y, σ) (S108).例文帳に追加
照射量分布E(x,y)とかぶり電子量分布F(x,y,σ)を用いて、照射域及び非照射域の帯電量分布C(x,y)を算出する(S108)。 - 特許庁
A fogging electron amount distribution F(x, y, σ) is calculated by using the irradiation amount distribution E(x, y) and a function g(x, y) describing a fogging spread distribution (S106).例文帳に追加
照射量分布E(x,y)とかぶり広がり分布を記述する関数g(x,y)とを用いてかぶり電子量分布F(x,y,σ)を算出する(S106)。 - 特許庁
The sidewall member 24 has an opening 24a at the electron-emitting direction side of the filament F, and is provided on the base member 23 so as to surround filament F.例文帳に追加
側壁部材24は、フィラメントFの電子放出方向側に開口24aを有し、フィラメントFの周囲を取り囲むようベース部材23に設けられる。 - 特許庁
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「f-electron」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 32件
Furthermore, because of energization of the electromagnetic coil 3 for deflection, and because the electron beam is incident on the refuge part F3 of the hood electrode F in the defocus state, damage of the hood electrode F is suppressed.例文帳に追加
また、偏向用電磁コイル3の通電により、電子ビームはフード電極Fの退避部位F3にデフォーカス状態で入射されるため、フード電極Fの損傷が抑制される。 - 特許庁
Then, by a deflecting system 15, the Auger electron that passes through a focus point (f) of an input lens 12 is deflected to an input lens 12.例文帳に追加
そして、偏向器15により、インプットレンズ12のフォーカス点fを通過したオージェ電子はインプットレンズ12の方へ偏向される。 - 特許庁
When a current-carrying quantity to the filament F is adjusted so that an electron quantity per unit time generated in the filament F becomes constant, such a change that the frequency f of an alternating current supplied to the filament F is lowered below a prescribed value and then increased is observed, and after the frequency change like this, the filament F is disconnected quickly.例文帳に追加
フィラメントFで発生する単位時間当たりの電子量が一定となるようにフィラメントFへの通電量を調整していると、フィラメントFへ供給される交流の周波数fが所定値以上低下した後に増加するという変化が観察され、このような周波数変化の後にフィラメントFが速やかに断線する。 - 特許庁
In the reaction space F where laser beam L1 passes in multiplex, the electron beam E and the laser beam L interact with each other to generate X-ray.例文帳に追加
レーザー光L1が多重に通過する反応空間Fで、電子ビームEとレーザー光Lとを相互作用させ、X線を発生させる。 - 特許庁
When being irradiated with an electron beam EB from an electron emission source 7, the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 is excited, and deep UV light DUV is radiated from a light-extraction face F of a sapphire (0001) substrate 1.例文帳に追加
電子放出源7より電子線EBが照射されると、Al_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層5が励起されて深紫外光DUVがサファイア(0001)基板1の光取り出し面Fより放射される。 - 特許庁
The protective film forming material for the resist layer used for the electron beam or EUV lithography is obtained by dissolving a fluorine-containing polymer (F) in an organic solvent.例文帳に追加
フッ素含有ポリマー(F)を有機溶剤に溶解してなる、電子線又はEUVリソグラフィーに用いられるレジスト層用の保護膜形成用材料。 - 特許庁
Furthermore, by making the direction of the center orbit E of the electron beam e which enters into the throttle hole 8 be changed, the position of the focus F can be changed easily and freely.例文帳に追加
さらに、絞り孔8へ入射する電子ビームeの中心軌道Eの方向を変えるようにすることで、焦点Fの位置を容易にかつ自在に変えることができる。 - 特許庁
This method comprises rectifying granules F to a single-granule array, dropping the resultant array in the air, imparting rotation to each falling granule and horizontally or diagonally irradiating each rotatingly falling granule F with electron beams.例文帳に追加
粒状物Fを単粒の配列になるように整流して空中に落下させ、落下する粒状物の各粒に回転運動を付与し、回転しながら落下する粒状物Fの各粒に水平又は斜め方向から電子線を照射する。 - 特許庁
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