focused ion beamsとは 意味・読み方・使い方

To obtain piezoresistance characteristics in a microstructure made of diamond like carbon manufactured with focused ion beams.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて作製したダイアモンドライクカーボンによる微小構造体で、ピエゾ抵抗特性が得られるようにする。 - 特許庁

With the emission of focused ion beams, a micro sample piece is cut out of a sample substrate, and separated and picked out by a microprobe, and then the mesh held in the inclined groove of the sample stage face is inclined so that the side face of the mesh is directed perpendicular to the focused ion beams.例文帳に追加

集束イオンビームの照射により試料基板から微小試料片を切り出し、マイクロプローブで分離摘出後、前記試料ステージ面の傾斜溝に挟み込まれたメッシュを、メッシュの側面が前記集束イオンビームに垂直な向きとなるように傾ける。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is irradiated with focused ion beams 5 to form a convex part 2 acting as a solid immersion lens on a main surface 3a.例文帳に追加

半導体基板１に集束イオンビーム５を照射して、その主面３ａに固浸レンズとして作用する凸部２を形成する。 - 特許庁

This invention relates to irradiation of ion beams inclined with respect to an optical axis of the optical system by controlling a diaphragm, tilt deflector, beam scanner, and objective lens in a focused ion beam optical system.例文帳に追加

本発明は、集束イオンビーム光学系における絞り，チルト偏向器，ビームスキャナー、及び対物レンズを制御し、該光学系の光軸に対して傾斜したイオンビームを照射することに関する。 - 特許庁

Then, the formed microstructure is heated to remove ions of the focused ion beams from the microstructure to make the microstructure exhibit the piezoresistance characteristics (step S102).例文帳に追加

次に、形成した微小構造体を加熱して微小構造体より集束イオンビームのイオンを除去して微小構造体にピエゾ抵抗特性を発現させる（ステップＳ１０２）。 - 特許庁

The invention enables automatic endpoint-detection for a segregation process of the extraction sample and the sample in sampling of a microsample using focused ion beams.例文帳に追加

本発明によれば、集束イオンビームを用いた微小試料のサンプリングにおいて、摘出試料と試料との分離加工の終点検知等を自動的に実施できるようになる。 - 特許庁

To provide a fine region analyzer using focused ion beams capable of simply and accurately reproducing the optimum positional relationship of a focused ion beam irradiation axis, an electronic beam irradiation axis, an axis of a secondary particle take-in port of the analyzer and a sample surface with each other when a sample is exchanged.例文帳に追加

試料交換を行った際に、集束イオンビーム照射軸と電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸および試料表面の最適な位置関係を、簡便に精度良く再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を提供する。 - 特許庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁