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fusiとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 フシ、フージ (Fuži) は、イストラ地方の伝統的なパスタである。
「fusi」を含む例文一覧
該当件数 : 24件
In the FUSI contact 41, a contact opening CH1, passing through inside the interlayer insulating film 4, is filled with a FUSI contact layer 411 which is completely turned into silicide, and the contact 41 has the same height as the FUSI gate electrode 32.例文帳に追加
ＦＵＳＩコンタクト部４１は、層間絶縁膜４を貫通するコンタクト開口部ＣＨ１内に、完全にシリサイド化されたＦＵＳＩコンタクト層４１１を充填して構成されており、ＦＵＳＩゲート電極３２と同じ高さを有している。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a MOSFET device having a full-silicified (FUSI) gate.例文帳に追加
フルシリサイド（ＦＵＳＩ）ゲートを有するＭＯＳＦＥＴデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
Two FUSI contacts 41 are arranged, passing through the thickness direction of an interlayer insulating film 4 and reaching silicide layers 35 in the upper layers of the two source/drain layers 34 and the FUSI gate electrodes 32.例文帳に追加
層間絶縁膜４を厚さ方向に貫通して２つのソース・ドレイン層３４上層部のシリサイド層３５およびＦＵＳＩゲート電極３２にそれぞれ達する２つのＦＵＳＩコンタクト部４１が設けられている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an FUSI structure having a uniform composition without depending on a gate width.例文帳に追加
ゲート幅に依存することなく、均一な組成を持つＦＵＳＩ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a FUSI gate electrode having an even silicide phase.例文帳に追加
均一なシリサイド相を有するＦＵＳＩゲート電極を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which has a FUSI electrode and can be manufactured with sufficient yield, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加
ＦＵＳＩ電極を備え、歩留まり良く製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To suppress both high resistance and shallow junction breakdown of a silicide film on an impurity layer in an FUSI gate CMOS transistor.例文帳に追加
ＦＵＳＩゲートＣＭＯＳトランジスタにおいて、不純物層上シリサイド膜の高抵抗化及び浅接合破壊を共に抑制する。 - 特許庁
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「fusi」を含む例文一覧
該当件数 : 24件
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of acquiring an FUSI gate electrode in which film components are well controlled.例文帳に追加
膜組成が良好に制御されたＦＵＳＩゲート電極を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device including an FUSI gate electrode having a uniform silicide phase, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
均一なシリサイド相を有するＦＵＳＩゲート電極を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
This method is available for preventing formation of a short circuit between the FUSI and a contact to a source and/or drain region.例文帳に追加
この方法は、ＦＵＳＩとソース及び／又はドレイン領域へのコンタクトとの間の短絡形成を防止するのに使用可能である。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with an FUSI electrode and a polysilicon resistor and capable of being easily manufactured, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
ＦＵＳＩ電極とポリシリコン抵抗体とを備え、簡便に製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain an MISFET having a gate electrode having an FUSI (full silicide) structure of a uniform composition without depending on a gate length.例文帳に追加
ゲート長に依存することなく均一な組成のＦＵＳＩ構造を持つゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴを得られるようにする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a simple structure in which a FUSI gate electrode is selectively formed, and a production method thereof.例文帳に追加
選択的にＦＵＳＩゲート電極を形成した簡単な構造の半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁
To enable two or more gate electrodes of different length to have each an FUSI structure uniform in composition independently of the length of a gate.例文帳に追加
ゲート長が異なる複数のゲート電極に、ゲート長に依存することなく均一な組成を持つＦＵＳＩ構造を得られるようにする。 - 特許庁
Side walls composed of oxide films 10, 12 and a nitride film 11 are formed on both sides of a gate insulating film 4 and an FUSI gate 50.例文帳に追加
ゲート絶縁膜４およびＦＵＪＩゲート５０の両側面には、酸化膜１０，１２および窒化膜１１からなるサイドウォールが形成されている。 - 特許庁
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