first-order reaction rateとは 意味・読み方・使い方

While sustaining discharge, second etching is supplied into the reaction chamber at a flow rate in the range of ±10% that of the first etching gas and at a gas pressure in the range of ±50% that of the first etching gas and plasma is generated in order to etch the insulating film 3.例文帳に追加

放電を継続した状態で、反応室内に、ガス流量が第１のエッチングガスのガス流量の−１０％〜＋１０％、ガス圧力が第１のエッチングガスのガス圧力の−５０％〜＋５０％である第２のエッチングガスを供給し、プラズマを生成して絶縁膜３をエッチングする。 - 特許庁