flr-5とは 意味・読み方・使い方

The second FLR layer 5 is provided on the first primary surface of the first semiconductor layer 2, spaced apart from the first FLR layer 4 so as to surround the first FLR layer 4.例文帳に追加

第２のＦＬＲ層５は、第１の半導体層１の第１の主面に第１のＦＬＲ層４と離間して第１のＦＬＲ層４を取り囲むように設けられる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加

ベース領域４及びエミッタ領域５を取り囲むように、不純物としてＰを含むｎ型のＦＬＲ領域６が、第１Ｓｉ層２と第２Ｓｉ層３との境界近傍の位置に環状に形成されており、ＦＬＲ領域６は第２Ｓｉ層３の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁

An electric field relaxing region (31) acting as an FLR is provided between the extending part (5b) of the first electrode (5) and the second electrode (6) where no electric field relaxing effect can be obtained, and the electric field relaxation effect by the field plate is complemented.例文帳に追加

フィールドプレートによる電界緩和効果が得られない第１の電極(5)の延長部(5b)と第２の電極(6)との間にはＦＬＲとして作用する電界緩和領域(31)が設けられ、フィールドプレートによる電界緩和効果が補完される。 - 特許庁

At that time, SF_6 gas is added for etching in addition to Cl_2 and O_2 used for etching gas to make isotropic etching possible, and thereby an amount of etching residues 9 left on the side surface of an FLR 5 can be reduced.例文帳に追加

半導体基板３上のＰｏｌｙ−Ｓｉ膜をドライエッチングにより加工し、ゲート電極８Ｇを形成する際、エッチングガスに使用するＣｌ_２及びＯ_２ガスに加え、ＳＦ_６ガスを添加してエッチングすることにより、等方性エッチングを可能にし、ＦＬＲ５の側面のエッチング残り９の量を低減させる。 - 特許庁