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flash EPROMの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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flash EPROMとは 意味・読み方・使い方

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日英・英日専門用語辞書での「flash EPROM」の意味

「flash EPROM」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

CHARGING METHOD IN FLASH EPROM INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE例文帳に追加

フラッシュ・イーピーロム集積回路構造におけるチャージ方法 - 特許庁

PROGRAMMING METHOD FOR DATA PATTERN IN FLASH EPROM INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

フラッシュ・イーピーロム集積回路におけるデータ・パターンをプログラムする方法 - 特許庁

IMPROVEMENT OF ANISOTROPICAL CHEMICAL ETCHING METHOD OF SILICON OXIDE IN MANUFACTURING MOS TRANSISTOR FLASH EPROM DEVICE例文帳に追加

MOSトランジスタ・フラッシュEPROM装置を製造する際の酸化珪素の異方性化学的エッチング法の改良 - 特許庁

The buried layer 500 reduces the size of a channel of a flash EPROM cell and achieves higher array density.例文帳に追加

埋込層(500)はフラッシュEPROMセルのチャネルの大きさを低減し、より高いアレイ密度を提供することを可能にする。 - 特許庁

Then the CPU 2 starts up data transfer control software written in the EPROM 5a to transfer main software from the EPROM 5a to a flash memory 3 via an address bus 6 and a data bus 7.例文帳に追加

すると、CPU2は、EPROM5aに書き込まれたデータ転送制御ソフトウェアを起動させることにより、メインソフトウェアをEPROM5aからアドレスバス6およびデータバス7を介してフラッシュメモリ3に転送する。 - 特許庁

A low resistance path is provided between the channels of the flash EPROM cell by the buried layer 500, thereby reducing the channel of the flash EPROM until erasure can be performed by giving the voltage (potential difference) between a gate line 28 and the substrate of the cell.例文帳に追加

フラッシュEPROMセルのチャネルは、埋込層が(500)フラッシュEPROMセルのチャネル間に低抵抗経路を設けるのでゲートとセルの基板との間に電圧電位差を与えることによって消去が行なわれることを可能にするまでフラッシュEPROMのチャネルは低減される。 - 特許庁

例文

The runway writing detecting circuit block 111 outputs the reset signal to the CPU 102, if the CPU attempts illegal writing to an EPROM 103 and a flash ROM 104.例文帳に追加

暴走書き込み検出回路ブロック111はまた、CPUがEPROM103およびフラッシュROM104に対し不正に書き込みを行った場合にもリセット信号をCPU102に出力する。 - 特許庁

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「flash EPROM」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

To provide a blood bag equipped with a memory element such as a radio IC memory (e.g. semiconductor memory such as EPROM or EEPROM) or a flash memory for improving work efficiency without uselessly producing refuse.例文帳に追加

作業効率が向上するとともに、無駄にごみを出さないラジオICメモリー(例えばEPROMやEEPROMなどの半導体メモリー)またはフラッシュメモリー等の記憶素子を装着した血液バッグを提供すること。 - 特許庁

例文

The E beam system stores the calibration data by using a flash EPROM and generates one set of super-parallel beams with a scale of 1,000 beams by receiving on/off signals directed by an address system of a memory array with each electron source mounted on the memory array as a geometrical array to trace a memory array structure.例文帳に追加

Eビーム・システムは、フラッシュEPROMを使用して較正データを記憶し、メモリ・アレイのアドレス・システムによって向けられたオン/オフ信号を受信することにより1000本の規模の1組の超並列ビームを発生し、個々の電子源はメモリ・アレイの構造を追跡する幾何学的アレイとしてメモリ・アレイの上に取り付けられる。 - 特許庁

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