flashlampとは 意味・読み方・使い方

That is, compared with conventional flashlamp annealing, the light-emission output of the flashlamp is increased more gradually, is kept to be constant for a certain period of time, and is then decreased more gradually.例文帳に追加

すなわち、従来のフラッシュランプアニールに比較して、フラッシュランプの発光出力を緩やかに上昇させてしばらく一定に維持した後に緩やかに下降させている。 - 特許庁

(l) Pulse generators or xenon flashlamp drivers that fall under any of the following発音を聞く 例文帳に追加

五十　パルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次のいずれかに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

3. Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers that require pulse rise times less than 10 microseconds against a resistance load less than 40 ohms発音を聞く 例文帳に追加

（三）　四〇オーム未満の抵抗負荷に対して一〇マイクロ秒未満のパルス立上がり時間を要するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

(a) Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers that fall under all of the following 1. through 6.発音を聞く 例文帳に追加

イ　モジュール方式のパルス発生器又はキセノンせん光ランプの発光装置であって、次の（一）から（六）までのすべてに該当するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The peripheral edge of the optical film 20 formed on the principal surface of the substrate 10 is shielded by a light shielding part 60, from the application of flashlight from a flashlamp 40.例文帳に追加

この基板１０の主面に形成された光学膜２０の周縁部は、遮光部６０によって、閃光ランプ４０からの閃光照射から遮蔽されている。 - 特許庁

6. Modular pulse generators or xenon flashlamp drivers designed to be usable from below -50 degrees centigrade to over 100 degrees centigrade, or designed to be usable for space use発音を聞く 例文帳に追加

（六）　零下五〇度より低い温度から一〇〇度を超える温度まで用いることができるように設計したもの又は宇宙で用いることができるように設計したもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Then the surface temperature of the semiconductor wafer is kept within a range of a variation width of ±25°C from the target temperature for 3 to 50 milliseconds by performing a second irradiation in which light-emission output of the flashlamp gradually decreases from the maximal value I_max over a period of time from 3 to 50 milliseconds.例文帳に追加

続いて、フラッシュランプの発光出力を３ミリ秒以上５０ミリ秒以下の時間をかけて最大値Ｉ_maxから漸次低下させる第２照射を行うことにより、半導体ウェハーの表面温度を目標温度から±２５℃以内の範囲内に３ミリ秒以上５０ミリ秒以下維持している。 - 特許庁

Then the surface temperature of the semiconductor wafer W is kept within a range of a variation width of ±25°C from the target temperature T2 for 3 to 50 milliseconds by performing a second irradiation in which light-emission output of the flashlamp gradually decreases from the maximal value over a period of time from 3 to 50 milliseconds.例文帳に追加

続いて、フラッシュランプの発光出力を３ミリ秒以上５０ミリ秒以下の時間をかけて最大値から徐々に低下させる第２照射を行うことにより、半導体ウェハーＷの表面温度を目標温度Ｔ２から±２５℃以内の範囲内に３ミリ秒以上５０ミリ秒以下維持している。 - 特許庁