growth defectsとは 意味・読み方・使い方

In accordance with the present invention, a hard disk drive system (50) is configured with logic that time correlates growth defects.例文帳に追加

本発明によれば、ハードディスク・ドライブ・システム（５０）は成長欠陥を時間と関連付けるロジックで構成されている。 - 特許庁

To provide a GaN system semiconductor having a low dislocation area with few crystal defects by epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor growth apparatus where gallium nitride crystal hardly having defects vapor-grows at a high speed.例文帳に追加

欠陥が少ない窒化ガリウム結晶を高速で気相成長する気相成長装置に関するものである。 - 特許庁

Crystal growth is carried out under such a condition that the center part of the crystal becomes a region free from defects, a region where stacking faults caused by oxidation are formed or a region where infrared scattering defects are formed.例文帳に追加

結晶中心部が無欠陥領域、酸化誘起積層欠陥発生領域又は赤外散乱欠陥発生領域となる条件で結晶育成を行う。 - 特許庁

To provide an electronic component of which growth defects produced by crystallographic defects, especially pin holes, nanopipes and/or pits and hilogs are less than those of a currently known electronic element.例文帳に追加

結晶欠陥、特にピンホール、ナノパイプ及び／又はピット及びハイログにより生成される成長欠陥が既知の電子素子より少ない電子部品を提供する。 - 特許庁

To block the micro pipe defects in the silicon carbide single crystal substrate but not to block the micro pipe defects in a new growth layer.例文帳に追加

新たな成長層にてマイクロパイプ欠陥を閉塞させるのではなく、炭化珪素単結晶基板に存在しているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることができるようにする。 - 特許庁

To suppress the generation of defects and abnormal growth in performing epitaxial growth on a semiconductor film such as, for example, SiC and GaN after synthesizing the same in a gaseous phase.例文帳に追加

例えばＳｉＣ、ＧａＮなどの半導体膜を気相から合成してエピタキシャル成長させていくときに、欠陥や異常成長が生じるのを抑制する。 - 特許庁

To provide a growth method of a nitride semiconductor substrate that has no protection films and small number of defects.例文帳に追加

窒化物半導体基板の成長方法であって、保護膜を有さずに低欠陥の窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁