halide CVDとは 意味・読み方・使い方

In a nucleation process as a previous process, a nucleation process S1 for generating a crystalline nucleus on the substrate is performed by a reactant thermal CVD method or the plasma CVD method using higher-order silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and germanium halide gas for deposition gas.例文帳に追加

また前工程として、前記核生成工程では、Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスとハロゲン化ゲルマニウムガスとを成膜ガスに用いた反応性熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって基板上に結晶核を生成するための核生成工程Ｓ１を行う。 - 特許庁

To obtain a raw material for CVD which uses an inexpensive metal halide compound and has the excellent supply stability and the excellent composition controllability of a raw material, and to provide a method for manufacturing thin film using the same.例文帳に追加

安価なハロゲン化金属化合物を用い、原料の供給安定性及び組成制御性に優れたＣＶＤ用原料、並びにこれを用いた薄膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

By a plasma CVD method using a silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=1, 2, 3, ...) and a germanium halide gas as source gases, a process for depositing the silicon thin film containing a crystalline structure on a substrate is performed.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝１，２，３,…)で表されるシラン系ガスと、ハロゲン化ゲルマニウムガスとを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する工程を行う。 - 特許庁

Unreacted raw material gas and intermediate products contained in a CVD waste gas are decomposed or converted by reaction to decompose a part thereof, following which hydrogen halide, silicon gas, and hydrogen chloride are separated and recovered.例文帳に追加

ＣＶＤ排ガス中に含まれる未反応の原料ガス及び中間生成物を分解処理又は反応転化処理して一部を分解した後、ハロゲン化水素ケイ素ガスと塩化水素とを分離回収する。 - 特許庁

By a plasma CVD method, a thin film of amorphous tantalum nitride is formed on a substrate through the plasma decomposition of inorganic tantalum halide and nitrogen source gas, or a thin film of amorphous tantalum nitride is formed on the substrate by the plasma decomposition of inorganic tantalum halide, nitrogen source gas, and a silicon source gas.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法に従って、無機タンタルハロゲン化物および窒素源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル窒化物の薄膜を形成すること、または無機タンタルハロゲン化物、窒素源ガスおよびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物の薄膜を形成すること。 - 特許庁

The chemical vapor deposition (CVD) apparatus and method are provided with external metal halide gas generators that reduce air leakage into the generators so as to improve efficiency of use of the metal charge residing in each generator.例文帳に追加

各ジェネレーターに存在する金属電荷の使用効率を改良するようにジェネレーターへの空気の漏れを減少する外部のハロゲン化金属ガスジェネレーターを備える化学蒸着法（ＣＶＤ）装置及び方法が提供される。 - 特許庁

A microcrystalline semiconductor film is formed by using a microwave plasma CVD apparatus at a frequency of not less than 1 GHz and using silicon hydride or silicon halide as source gas, and a thin-film transistor using the microcrystalline semiconductor film and a display element connected to the thin-film transistor are formed.例文帳に追加

水素化珪素またはハロゲン化珪素を原料ガスとし、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて微結晶半導体膜を成膜し、当該微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタ及び当該薄膜トランジスタに接続する表示素子を形成する。 - 特許庁