ion nitridedとは 意味・読み方・使い方

Additionally, it is favorable that the hard film is an ion plating film 26 and/or the piston ring is nitrided.例文帳に追加

さらに、硬質皮膜がイオンプレーティング皮膜２６であること及び／又はそのピストンリングが窒化処理されていることが好ましい。 - 特許庁

Due to the effect of a part 24 where BCB was nitrided by Ti ion, no peeling of the Cu film 25 takes place during polishing or that of the Cu wiring 26 in a post process.例文帳に追加

TiイオンでBCBが窒化された部分２４の効果により、研磨中のCu膜２５の剥離や、後工程でのCu配線２６の剥離は発生しない。 - 特許庁

On the surface of the pin for hole as cast, a nitrided layer having 400-1100 Vickers hardness (load: 100 gf) is formed by using an ion- nitriding method or an radical-nitriding method and a sulfide layer having the lubricity is formed on the nitrided layer.例文帳に追加

イオン窒化法又はラジカル窒化法を用いて鋳抜きピンの表面に、ビッカース硬度（荷重：１００ｇｆ）４００〜１１００の硬さを有する窒化層を形成させ、その上に潤滑性を有する硫化物層を形成させる。 - 特許庁

The surface hardened layer is a nitrided layer formed by subjecting the surface of the alloy member body l to nitriding treatment or a coated layer formed by reactive sputtering or ion plating.例文帳に追加

表面硬化層は、合金部材本体１の表面を窒化処理することにより形成された窒化層、あるいは反応性スパッタまたはイオンプレーティングにより形成されたコーティング層である。 - 特許庁

The surface treatment layer 8 is selected among a CrN film by means of ion plating, CrN film solutionized with oxygen, a film composed of a mixture of CrN or CrN solutionized with oxygen and Cr, a DLC film, a Cr plating film, a nitrided layer or the like.例文帳に追加

表面処理層８は、イオンプレーティングによるＣｒＮ皮膜、酸素を固溶したＣｒＮ皮膜、ＣｒＮ又は酸素を固溶したＣｒＮとＣｒとの混合物からなる皮膜、ＤＬＣ皮膜、Ｃｒめっき皮膜、又は窒化層等から選択される。 - 特許庁

To reduce a leakage current in a silicon substrate by forming holes by a thin nitride film having an oxide film surface nitrided without difficulty in processing nor deterioration in light collection efficiency as compared with conventional constitution and capturing interstitial Si atoms generated by ion injection into the holes.例文帳に追加

酸化膜表面が窒化された薄い窒化膜により、従来の構成に比べて加工の困難性もなく集光効率の悪化もなく、空孔を発生させ、イオン注入によって発生した格子間Ｓｉ原子を空孔に捕獲させることによりシリコン基板内のリーク電流を低減させる。 - 特許庁

At the time of forming the contact hole of an MOS transistor, a nitrided film is used as the stop film of etching so that the over-etching of an Si base can be prevented, and ion injection is carried out by using the contact hole as a mask so that a high concentration diffused area constituting a source/drain area can be formed.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタのコンタクトホールを形成する際、チッ化膜をエッチングのストップ膜として使用しＳｉ基盤のオーバーエッチをなくし、そのコンタクトホールをマスクとしイオン注入を行い、ソース・ドレイン領域を構成する高濃度拡散領域を形成すことを特徴とする。 - 特許庁