ion spattering methodとは 意味・読み方・使い方

The inorganic oxide layer is preferably manufactured by a vacuum deposition method, a spattering method, an ionization vapor deposition method, an ion beam method, or a chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

前記無機酸化物層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンビーム法、または化学気相蒸着法により作製されるのが好ましい。 - 特許庁

A thin film 7 is formed to cover the dent surfaces 1a and the protruded surfaces 1b by a physical vacuum evaporation method such as an ion plating method or a spattering method, a coating method or a plating method.例文帳に追加

この凹面１ａと凸面１ｂを覆うように薄膜７がイオンプレ−ティング、スパッタリング等の物理蒸着法や塗装法、メッキ法で形成される。 - 特許庁

This manufacturing method of the transparent conductive film is used for forming the transparent conductive film by a method selected from a pulse laser deposition method, a spattering method, an ion plating method and an EB deposition method, by using the sintered body as a target.例文帳に追加

前記の焼結体をターゲットとして、パルス・レーザー蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法およびＥＢ蒸着法から選ばれる方法により成膜する透明導電膜の製造方法。 - 特許庁

A carbon film 7 is formed on the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 through spattering method, and then, activating anneal is effected under a condition that the n-type drift layer 2 and the ion implantation layer 6 are covered by the carbon film 7 to change the ion implantation layer 6 into a p-type well region 8.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６の上に、スパッタ法によりカーボン膜７を形成し、カーボン膜７でｎ型ドリフト層２及びイオン注入層６を覆った状態で、活性化アニールを行なって、イオン注入層６をｐ型ウェル領域８に変化させる。 - 特許庁

The method comprises a process wherein the second film is removed from a specimen to be evaluated which includes a first film containing an oxide, and a second film arranged on the first film by spattering employing oxygen ion, and another process wherein the first film is evaluated.例文帳に追加

本発明の膜の評価方法は、酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、前記第１の膜を評価する工程と、を含む。 - 特許庁

On an electrode with SiO_x (0.2<x<1.4) formed on a collector, lithium is reacted with an irreversible capacity equivalent quantity of metal having a redox potential more electropositive than that of lithium and producing silicate by a deposition, spattering or ion plating method or electrochemically.例文帳に追加

ＳｉＯ_ｘ（０．２＜ｘ＜１．４）を集電体上に形成した電極上に、リチウムと、それよりも酸化還元電位が貴であって、且つケイ酸塩を生成する金属を蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング法あるいは電気化学的に不可逆容量相当量を反応させる。 - 特許庁

Firstly, a silicon film having the suitable thickness, is formed on the surface of the steel material in the general film forming method, such as vapor-deposition, spattering, ion-plating and the silicon is diffused into the inner part of the steel material by heating and holding this in the vacuum or in the inert gas atmosphere to form the silicon permeated layer on the surface layer of the steel material.例文帳に追加

先ず、鋼材の表面上に蒸着、スパッタリング、及びイオンプレーティング等の一般的な成膜方法で適切な厚さの珪素皮膜を形成し、これを真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱保持して珪素を鋼材内部へ拡散させ、鋼材の表層部に珪素浸透層を形成する。 - 特許庁