ion selective field effect transistorとは 意味・読み方・使い方

ION-SENSITIVE MEMBRANE, ION-SELECTIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND ION SENSOR例文帳に追加

イオン感応膜、イオン選択性電界効果型トランジスタ、イオンセンサ - 特許庁

An ion-selective electrode, an ion-selective field-effect transistor and an ion optode can be used in electrochemical or optical lithium ion concentration measurement, using the lithium ion indicator.例文帳に追加

リチウムイオン感応物質を用いた電気化学的又は光学的なリチウムイオン濃度測定には、イオン選択電極、イオン選択電解効果トランジスター、イオンオプトードを利用することができる。 - 特許庁

A reference electrode 210 is placed on an element substrate 1 having a heater 2 and an ion sensor 200 comprising an ion selective field effect transistor is attached to a top plate 3 forming a liquid channel 7 communicating with an ejection opening 5 when being bonded to the element substrate 1.例文帳に追加

発熱体２を有する素子基板１に参照電極２１０を配置するとともに、素子基板１と接合することにより吐出口５に連通する液流路７を形成することとなる天板３に、イオン選択性電界効果トランジスタからなるイオンセンサ２００を設ける。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁