ir oとは 意味・読み方・使い方

One or more image IR(x,y) of low resolution are generated from one input image I1(x,y) and a plurality of images of different resolution including the input image are properly selected and geometrically converted to obtain output images 0(p,q).例文帳に追加

１個の入力画像I_1(x,y)から１個以上の低解像度の画像I_R(x,y)を生成し、入力画像を含めて複数個の解像度の画像を適宜選択して幾何変換し、出力画像O(p,q)を得る。 - 特許庁

The wafer level chip size package is especially characterized by a structure in which the glass wafer coated with the IR cut filter layer is bonded to the image sensor wafer through a polymer partition wall, and the solder bumps are formed on back electrodes of the image sensor wafer that are connected to I/O electrodes of the image sensor wafer respectively through the conductors in the through holes.例文帳に追加

特に、IRカットフィルター層がコーティングされたグラスウエハーがポリマー隔壁を介してイメージセンサウエハーと接着されており、イメージセンサウエハーの各入/出力電極に形成された前記貫通孔の導電体を通じて連結されるウエハーの裏面電極にはんだバンプが形成されている構造を特徴とする。 - 特許庁

The method comprises employing a mixture gas containing N_2O gas and SiH_4 gas as source gas, Ir metal as a catalyst body, contacting the mixture gas with Ir metal which is heated to 1,800°C to decompose then, generating radicals or ions of Si or O, and depositing them on a substrate as deposition seeds to form the silicon oxide film.例文帳に追加

原料ガスとしてＮ_2ＯガスとＳｉＨ_4ガスとを含有する混合気体を用い、触媒体としてＩｒ金属を用い、１８００℃に加熱したＩｒ金属と前記混合気体とを接触分解させて、Ｓｉ及びＯのラジカルまたはイオンを生成し、これらを堆積種として基板上に堆積させてシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

The electronic device comprises a precision thermistor 1 connected to multivibrator 2 as a variable charging element, microcontroller 3 incorporating counter timer 4, clock transmitter 5, data I/O section 10, band-stop filter 14 and power control I/O section 8; IR induction photosensor 7; and RF transmitter containing modulator and antenna 6.例文帳に追加

電子機器は、マルチバイブレータ２に可変充電素子として接続された精密なサーミスタ１と、カウンタータイマー４とクロック発信機５とデータ入出力部１０と帯域阻止フィルター１４と電源制御入出力部８を内蔵するマイクロ制御器３と、ＩＲ感応フォト検出器７と、変調器とアンテナ６を内蔵するＲＦ送信機とからなる。 - 特許庁

The silicon oxide film has a component ratio wherein the number of oxygen atoms is 170-200 and the number of carbon atoms is 30 or below with respect to the number of silicon atoms of 100 and has an IR absorption based on Si-O-Si expansion and contraction vibration between wavelengths of 1,055-1,065 cm^-1.例文帳に追加

この酸化珪素膜は、珪素原子数１００に対して酸素原子数１７０〜２００及び炭素原子数３０以下の成分割合を有し、さらに１０５５〜１０６５ｃｍ^-1の間にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ伸縮振動に基づくＩＲ吸収を有する。 - 特許庁

The silicon oxide film has a component ratio wherein the number of oxygen atoms is 170-200 and the number of carbon atoms is 30 or below with respect to the number of silicon atoms of 100 and has an IR absorption based on Si-O-Si expansion and contraction vibration between wavelengths of 1055-1065 cm^-1.例文帳に追加

酸化珪素膜は珪素原子数１００に対して酸素原子数１７０〜２００及び炭素原子数３０以下の成分割合を有し、更に、１０５５〜１０６５ｃｍ^-1の間にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ伸縮振動に基づくＩＲ吸収を有するものである。 - 特許庁

The polymerizable N,O-functionalized acrylic acid hydroxyamide represented by general formula (I) represents monomers of different types and reactivities, which is a mixture with other polymerizable ingredients as needed, and yields a mechanically stable coating or shaped article by copolymerization with heat or by irradiation with visible light, or light in a UV or IR range in the presence of an appropriate radical initiator.例文帳に追加

本発明による一般式（Ｉ）の重合可能なＮ，Ｏ−官能化アクリル酸ヒドロキシアミドは、異なるタイプおよび反応性のモノマーを表し、これは、必要に応じてその他の重合可能な成分との混合物で、適切なラジカル開始剤の存在下、熱による共重合によるか、または可視、ＵＶまたはＩＲ範囲の光の照射に際し、機械的に安定なコーティングまたは形状化体を生じる。 - 特許庁

In the gas-barrier film having a silicon oxide film formed by a plasma CVD method at least on one side of a base material, the silicon oxide film comprises 170-200 oxygen atoms and 30 or below carbon atoms per 100 silicon atoms and has IR absorption based on Si-O-Si stretching vibration in a range of 1,055-1,065 cm-1.例文帳に追加

基材の片面または両面に、プラズマＣＶＤ法によって形成された酸化珪素膜を有するガスバリアフィルムであって、前記酸化珪素膜は、Ｓｉ原子数１００に対してＯ原子数１７０〜２００およびＣ原子数３０以下の成分割合からなっており、さらに１０５５〜１０６５ｃｍ^-1の間にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ伸縮振動に基づくＩＲ吸収があることを特徴とするガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁