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impurity ionsとは 意味・読み方・使い方
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「impurity ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 291件
The implantation dosage of the P-type impurity ions is smaller than that of the N-type impurity ions.例文帳に追加
ここで、Ｐ型の不純物イオンの注入時のドーズ量は、Ｎ型の不純物イオンの注入の時のドーズ量よりも少なくする。 - 特許庁
By the group V element, diffusion of impurity ions, such as sodium ions, aluminium ions and the like, being contained in the substrate 1 is prevented.例文帳に追加
Ｖ族元素により、絶縁層基板１に含有されるナトリウムやアルミ等の不純物イオンの拡散を防止する。 - 特許庁
A semiconductor substrate is injected with ions of well impurity ions and channel impurity ions in active region and then heated rapidly.例文帳に追加
この方法は、半導体基板の活性領域にウェル不純物イオンとチャンネル不純物イオンとを注入した後に、急速熱処理工程を適用することを特徴とする。 - 特許庁
Then, impurity ions are implanted, and the embedded type impurity diffused region is formed in the cell array region.例文帳に追加
そして、不純物イオンを打ち込み、セルアレイ領域に埋込型不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁
Impurity ions are implanted into a channel region 3C, and the implanting quantity of the impurity ions is not smaller than 1×10^12 cm^-2.例文帳に追加
チャネル領域３Ｃには不純物がイオン注入されており、不純物のイオン注入量が１×１０^１２ｃｍ^−２以上である。 - 特許庁
Further, the gate electrode 12d is formed to such a thickness that impurity ions are stopped from being transmitted when the impurity ions are injected in a high-density impurity layer forming stage, a high-density impurity layer 22 can be formed by injecting the impurity ions into the semiconductor substrate 10 while using the same gate electrode 12d as a mask.例文帳に追加
また、ゲート電極１２ｄが高濃度不純物層形成工程で不純物イオンを注入するときに不純物イオンの透過を妨げる厚さに形成されるため、同じゲート電極１２ｄをマスクにして半導体基板１０に不純物イオンを注入し、高濃度不純物層２２を形成することができる。 - 特許庁
A high-impurity concentration layer is formed by implantation of ions of phosphorus or the like, and an ohmic electrode is provided on the surface of the high-impurity concentration layer.例文帳に追加
燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。 - 特許庁
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「impurity ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 291件
The first sealing film 10 is made of a relatively expensive first sealing material containing Na ions, K ions, Ca ions, and Cl ions each having an impurity concentration of 10 ppm or lower.例文帳に追加
第１の封止膜１０は、Ｎａイオン、Ｋイオン、ＣａイオンおよびＣｌイオンの各不純物濃度が１０ｐｐｍ以下の比較的高価な第１の封止材料によって形成されている。 - 特許庁
At formation of the second p-type pocket layers 11, the concentration of the impurity ions implanted for forming the layers 11 are made higher than that of the impurity ions implanted for forming the first p-type pocket layers 9.例文帳に追加
この時、第２ｐ型ポケット層１１を形成する不純物イオン濃度は第１ｐ型ポケット層９を形成する不純物イオン濃度より高くなるようにする。 - 特許庁
After the impurity ions are implanted, a processing such as conventional thermal processing is not conducted.例文帳に追加
不純物イオンの注入後は、従来方法のような加熱処理は行わない。 - 特許庁
P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2, using a resist mask.例文帳に追加
そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２形成箇所に、ｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁
Then the semiconductor layer 3a is heat-treated to activate the impurity ions.例文帳に追加
次いで半導体層３ａを熱処理することにより不純物イオンを活性化する。 - 特許庁
P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask.例文帳に追加
そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁
The second sealing film 12 is made of a relatively inexpensive second sealing material containing Na ions, K ions, Ca ions, and Cl ions having an impurity concentration in total of 100 ppm or higher.例文帳に追加
第２の封止膜１２は、Ｎａイオン、Ｋイオン、ＣａイオンおよびＣｌイオンの合計不純物濃度が１００ｐｐｍ以上の比較的安価な第２の封止材料によって形成されている。 - 特許庁
An extension region 17 is formed, where P-type impurity ions is vertically implanted into the Si substrate 12, and a first pocket region 18 is formed, where N-type impurity ions is implanted.例文帳に追加
ほぼ垂直方向からＳｉ基板１１にＰ型不純物イオンが注入されたエクステンション領域１７、Ｎ型不純物イオンが注入された第１ポケット領域１８を形成する。 - 特許庁
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