implantation timeとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of low-energy doping for high-concentrated carrier impurity atoms with high time-efficiency compared with a conventional ion implantation process, in usual processing time of ion implantation.例文帳に追加

これまでのイオン注入処理に比べて、高い時間効率で高濃度のキャリア不純物原子を、通常のイオン注入の処理時間で低エネルギードーピングできる方法を提供する。 - 特許庁

The protrusion(s) are configured for engagement with one of the vertebrae upon implantation and for progressive penetration into the vertebra over a period of time subsequent to the implantation.例文帳に追加

突起は、インプラントを行う際に椎骨の一方と係合し、インプラントの後に続く期間に椎骨内に徐々に進入していくように構成される。 - 特許庁

The protrusion(s) are configured for engagement with one of the vertebrae upon implantation and for progressive penetration into the vertebrae over a period of time subsequent to the implantation.例文帳に追加

突起は、植え込まれると椎骨の１つに係合し、植え込まれた後の一定の期間に亘って徐々に椎骨に貫入していくように設けられる。 - 特許庁

The implantation energy at that time is so set that no implanted ion penetrate the polysilicon gate 12.例文帳に追加

このときの注入エネルギーは、注入イオンがポリシリコンゲート１２を突き抜けないように設定する。 - 特許庁

The fluorine ion implantation is performed at a pulse frequency of 1 to 2 kHz, at room temperature, and at an implantation time of 150 to 400 min, preferably of 300 to 400 min.例文帳に追加

ふっ素イオン注入は、パルス周波数１〜２ｋＨｚ、室温にて、注入時間１５０〜４００分、好ましくは３００〜４００分の条件で行われる。 - 特許庁

To suppress plane channeling at the time of ion implantation without changing a crystal plane direction of a wafer itself.例文帳に追加

ウェハ自体の結晶面方位を変更することなく、イオン注入時の面チャネリングを抑制する。 - 特許庁

To reduce a loss time for ion beam by hardening a power supply for an ion implantation device.例文帳に追加

イオン注入装置における電源を補強することにより、イオンビームの損失時間を少なくすること。 - 特許庁

To provide an ion implantation amount measurement method that enables measurement of an ion implantation amount of a semiconductor substrate in a relatively short period of time without utilizing an expensive measuring device.例文帳に追加

高価な測定装置を利用することなく、比較的短時間で半導体基板のイオン注入量を測定することが可能なイオン注入量測定方法を提供する。 - 特許庁