junction profileとは 意味・読み方・使い方

To provide a laminated iron core excellent in caulking junction strength and profile even if iron core pieces each having a thickness of lower than 0.2 mm are used, and to provide a method of manufacturing the laminated iron core.例文帳に追加

０．２ｍｍ未満の板厚を有する鉄心片を使用してもかしめ接合強度と形状性に優れる積層鉄心及び積層鉄心の製造方法を提供する。 - 特許庁

A metallurgical junction form and an impurity concentration profile of the resistive breakdown region 8 are determined so that an electrically neutralized region (8i) may remain in the resistive breakdown region 8 at application of a drain bias when junction breakdown occurs in the drain region 6 or the resistive breakdown region 8.例文帳に追加

ドレイン領域６または抵抗性降伏領域８に接合降伏が発生するドレインバイアスの印加時に抵抗性降伏領域８に電気的中性領域(８ｉ)が残るように、抵抗性降伏領域８の冶金学的接合形状と濃度プロファイルが決められている。 - 特許庁

The component has a semiconductor base body having a first doping and a pn junction formed by a contact region having a second doping with a doping profile in the base body.例文帳に追加

コンポーネントは、半導体ベース体を有し、この半導体ベース体は、第１ドーピングと、接触領域によって形成されたｐｎ接合とを有し、この接触領域は、ベース体にドーピング輪郭線を伴った第２ドーピングを有する。 - 特許庁

Further, the P^---type impurity layer 12 is so formed as to be joined with an N^--type impurity layer 2 and has a concentration profile such that the density of P-type impurities (the amount of included impurities) becomes larger with the distance from the junction part.例文帳に追加

また、Ｐ^−−型不純物層１２は、Ｎ^−型不純物層２と接合するように、かつ接合部から離れるほどＰ型不純物の濃度（含まれる不純物の量）が大きくなる濃度プロファイルとなるように、形成する。 - 特許庁

In the present invention, the stereostructural silicon-wire channel region can be formed to have a trapezoidal or trigonal profile through the utilization of the difference in an etching speed depending on a surface orientation of silicon, and the source/drain junction can be formed through the solid-state diffusion method.例文帳に追加

本発明においては、立体構造のシリコンワイヤチャネル領域は、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用して台形または三角形の断面を有するように形成でき、ソース/ドレーン接合は固相拡散法によって形成できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high degree of freedom capable of improving a sustain withstand voltage, capable of preventing variation in the sustain withstand voltage, and capable of adjusting drain resistance and a junction profile after formation of a transistor, by a transistor with a simple structure.例文帳に追加

構造が簡単なトランジスタにより、サステイン耐圧を改善し且つサステイン耐圧のばらつきの抑制及びトランジスタ形成後のドレイン抵抗及び接合プロファイルの調整が可能な、自由度が高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for evaluating a semiconductor device that are capable of evaluating dopant profile in a transistor built in a logic circuit, a memory cell, a capacitor, a p-n junction, or the like of a semiconductor device without any special wiring or the like.例文帳に追加

特別な配線等をすることなく、半導体デバイスにおける論理回路内部のトランジスタやメモリセルやキャパシタやｐｎ接合等の素子についてのドーパントプロファイルの評価を可能にした半導体デバイスの評価装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

To increase the saturation amount of electric charges and reduce noise at the same time, by maximizing the area of a photoelectric conversion portion (photodiode) and the area of an amplification transistor and forming the photoelectric conversion portion in a P-N junction having a steep concentration profile.例文帳に追加

本発明は、光電変換部（フォトダイオード）の面積と増幅トランジスタの面積を最大化し、かつ光電変換部が急峻な濃度プロファイルを有するＰ／Ｎ接合に形成されていることで、飽和電荷量の増大とノイズの低減を両立させることを可能にする。 - 特許庁