laser separation processとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor laser device and its manufacturing method which can prevent cracks from occurring in a semiconductor laser element portion in a separation process or other process of a growth substrate.例文帳に追加

成長基板の剥離工程などにおいて半導体レーザ素子部にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, in the case where a separation groove 40 is formed beforehand, any product 41 in a laser scribed trace for example can be removed with the surface processing process.例文帳に追加

また、予め分離溝４０を形成するような場合には、例えばレーザスクライブ痕の生成物４１をその表面加工工程により除去することもできる。 - 特許庁

Further, the method includes a process of separating the semiconductor layer and substrate by irradiating the semiconductor layer with laser light from the opposite surface side of the substrate from the principal surface so that an edge of an irradiation range of the laser light is positioned nearby an edge of the semiconductor layer adjoining the separation groove.例文帳に追加

さらに、レーザ光の照射範囲の縁部が分離溝に隣接する半導体層の縁部近傍に位置するように、基板の主面の反対面側から半導体層にレーザ光を照射して半導体層と基板とを分離する工程を有する。 - 特許庁

The method for cutting the chip package 100 combined in one group and containing a plastic molded body 104 into the individual pieces by separating them along a target separation area includes: a process of at least partially removing a lead frame 107 extending inside a target separation area by laser engraving; and a process of completely separating the chip package 100 by mechanical sawing along the target separation area subsequently.例文帳に追加

１つの群にまとめられてプラスチック成形体１０４を有するチップパッケージ１００を目標分離領域に沿って分離することによって個別の片に切断するための方法であって、チップパッケージ１００の目標分離領域にレーザ彫刻によって溝を設け、目標分離領域内を延びるリードフレーム１０７をレーザ彫刻によって少なくとも部分的に除去する工程と、引き続き目標分離領域に沿った機械的鋸引きによってチップパッケージ１００を完全に分離する工程とを含む。 - 特許庁

Light used in a crystal separation process is, e.g. light emitted from a Q-switched Nd:YAG laser apparatus or the like, and its irradiation conditions are, e.g. an emission wave length of 355 nm, irradiation intensity of 400-600 mJ/cm^2, and a temperature of the substrate of 1,150-600°C.例文帳に追加

結晶分離工程で用いる光は、例えばＱスイッチドＮｄ：ＹＡＧレーザ装置からの出力光等が有用で、照射条件は、例えば、発光波長：３５５ｎｍ、照射強度：４００〜６００ｍＪ／ｃｍ^２ 、下地基板の温度：１１５０℃〜６００℃で行う。 - 特許庁