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layers typeの意味・使い方・読み方 | Weblio英和辞書
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layers typeとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「layers type」の意味

layers type

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「layers type」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1546



例文

an undergarment type of kimono that is worn under layers of other kimonos発音を聞く 例文帳に追加

襲ね裳の下につける裳 - EDR日英対訳辞書

In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加

窒化物半導体からなる、n型コンタクト層を含むn型層と、活性層と、p型コンタクト層を含むp型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁

The silicon nanowire has a structure of alternately layering p-type layers and n-type layers.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーはp型層とn型層とが交互に積層された構造を有する。 - 特許庁

The p-type layers 2 and 12 are formed on the primary surface 11A of the n-type substrate 11, and the conductive type of the layers is p type.例文帳に追加

p型層2、12は、n型基板11の主表面11A上に形成され、導電型がp型である。 - 特許庁

To arrange p^+ type diffusion layers and n^+ type diffusion layers finely without bringing into contact with each other.例文帳に追加

p^+型拡散層とn^+型拡散層を接触させずに細かく配置する。 - 特許庁

In the n-type DBR layer 12, a plurality of pairs of n-type InP layers 12a (second semiconductor layers) and n-type InGaAsP layers 12b (first semiconductor layers) are alternately laminated.例文帳に追加

n型DBR層12は、n型InP層12a(第2半導体層)とn型InGaAsP層12b(第1半導体層)を交互に複数ペア積層したものである。 - 特許庁

例文

The n-type layer 13 is formed on the p-type layers 2 and 12, and the conductive type of the layer is n type.例文帳に追加

n型層13は、p型層2、12上に形成され、導電型がn型である。 - 特許庁

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「layers type」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1546



例文

P-type collector layers 7 extending from the surface of N-type layers 5b to the inside thereof are formed in each of the N-type layers 5b composed of the N-type epitaxial layer 5 surrounded by the P-type drain isolation layer 6 and a P-type element isolation layer 3.例文帳に追加

P型ドレイン分離層6とP型素子分離層3に囲まれたN型エピタキシャル層5からなるN型層5bにその表面から内部に延在するP型コレクタ層7を形成する。 - 特許庁

Structure in which the N type layers 2 and the P type layers 3 are repeatedly arranged by further making a region sandwiched between the P type layers 3 in the N-type substrate 10 be the N type layer 2.例文帳に追加

また、N型基板10のうち各P型層3に挟まれた領域をN型層2とすることで、当該N型層2とP型層3とが繰り返し配置された構造を形成する。 - 特許庁

A sandwich structure composed of slit type gate electrodes, the first vertical type oxide layers, capture layers and the second oxide layers is formed.例文帳に追加

スリット式ゲート電極と、垂直式の第1酸化層、キャプチャ層、及び第2酸化層とによるサンドイッチ構造を形成する。 - 特許庁

A pn semiconductor is arranged in pnp layers, or in npn layers for serving as a current driving type or a voltage driving type or the pn semiconductor may be arranged in pnpn layer or in npnp layers for serving as the voltage driving type.例文帳に追加

また、pn半導体を、p層n層p層n層またはn層p層n層p層に配置した電圧駆動型としてもよい。 - 特許庁

Around the N-type diffusion layers 22, 23, P-type diffusion layers 19, 20 are formed as collector regions by being spaced apart from the N-type diffusion layers 22, 23.例文帳に追加

N型の拡散層22、23の周囲には、コレクタ領域としてのP型の拡散層19、20が、N型の拡散層22、23と離間して形成される。 - 特許庁

Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed.例文帳に追加

これらの上に、n型GaN光導波層3a,3b、InGaN活性層4a,4b、p型GaN光導波層5a,5b、p型AlGaNクラッド層7a,7b、p型コンタクト層8a,8bが順次形成される。 - 特許庁

In the apertures, n type GaN layers 106a, undoped AlN layers 106b, undoped GaN layers 106c, undoped AlN layers 106d, and n type GaN layers 106e are sequentially formed.例文帳に追加

該開口部には、n型GaN層106a、アンドープAlN層106b、アンドープGaN層106c、アンドープAlN層106d、および、n型GaN層106eが順次形成されている。 - 特許庁

例文

The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.例文帳に追加

p型/n型ソース・ドレイン層37,40をパターニングして、p型/n型ソース・ドレイン37a,37b,40a,40bを形成する。 - 特許庁

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