le wとは 意味・読み方・使い方

The sipe has a width W, a depth Ds, and an effective length Le.例文帳に追加

サイプは、幅Ｗ、サイプ深さＤｓ、および有効サイプ長Ｌｅを有している。 - 特許庁

The normal substrate W (extracted substrate W') extracted from the leading lot L1 is shifted to a vacancy Le, generated by shifting the preferential substrate Wa to the vacancy Le of the leading lot L1.例文帳に追加

そして、先頭ロットＬ1 から抜き出した通常基板Ｗ（抜き出し基板Ｗ’）を、優先基板Ｗａを先頭ロットＬ1 の空席Ｌｅに移し替えて生じた空席Ｌｅに移し替える。 - 特許庁

The effective sipe length Le is the value of the sectional area of the sipe in an arbitrary plane orthogonal to the sipe depth Ds divided by the sipe width W.例文帳に追加

有効サイプ長Ｌｅは、サイプ深さＤｓに垂直な任意の平面におけるサイプの断面積をサイプ幅Ｗで割った値である。 - 特許庁

A wafer W whose unevenness state is previously known is coated with resist (r) and etched along a test line (center line) Le of the resist (r).例文帳に追加

予め凹凸の状況がわかっているウェハＷにレジストｒを塗布し、レジストｒのテストライン（中心線）Ｌｅに沿ってエッチングする。 - 特許庁

The resist (r) is removed from the wafer W, the unevenness of the wafer W is measured along a crossing line Lm crossing the test line Le at right angles by using a probe type shape measuring instrument S, and the etching profile of a lot is derived by calculation.例文帳に追加

ウェハＷからレジストｒを除去し、触針式形状測定器Ｓを使用して、テストラインＬｅと直交する横断ラインＬｍに沿ってウェハＷの凹凸を測定し、計算によりロットのエッチングプロファイルを導き出す。 - 特許庁

A winding portion 3 between a winding start position S of the winding portion 3 in the direction of a winding range W and an end Le of the winding portion 3 in its winding range W is formed to be bottomed up by an amount T equivalent to the outer-diameter size of the object 2 to be wound from other portions.例文帳に追加

巻き付け部３の巻き幅Ｗ方向における巻き付け開始位置Ｓと、前記巻き付け部３の前記巻き幅Ｗの端部Ｌｅと、の間の前記巻き付け部３を、その他の部分より巻き付け対象物２の外径寸法相当量Ｔだけ底上げ状に形成した。 - 特許庁