monocrystalsとは 意味・読み方・使い方
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「monocrystals」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
Each layer is formed of a plurality of monocrystals in which an a-axis agrees with one another.例文帳に追加
各層内は、互いにａ軸が一致する複数の単結晶からなる。 - 特許庁
PRODUCTION OF HIGH-PURITY, LARGE-VOLUME MONOCRYSTALS WITH SPECIAL RADIATION-RESISTANT FROM CRYSTAL SHARDS例文帳に追加
特に耐放射線性のある、高純度、大容積の単結晶を結晶破片から製作する方法 - 特許庁
In monocrystals adjacent to each other in a crystal growth direction, a c-axis does not agree with each other, and thereby an interlayer interface is formed.例文帳に追加
結晶成長方向に隣接する単結晶同士は、ｃ軸が一致しないことで、層間界面を形成している。 - 特許庁
By utilizing thin film monocrystals for the semiconductor layer 12, excellent translucency is provide, and this can be freely controlled.例文帳に追加
また、半導体層１２として薄膜単結晶を利用することで透光性に優れ、これを自由に制御することができる。 - 特許庁
The respective parametric X-rays are extracted by being reflected selectively by reflection monocrystals 3, 5, 7, 9, 10 for X-ray selection.例文帳に追加
それぞれのパラメトリックＸ線を、Ｘ線選択用の反射単結晶３、５、７、９、10で選択的に反射させて取り出す。 - 特許庁
A part of the monocrystals (crystal gains 110, 110) adjacent to each other in the crystal growth direction is formed by epitaxial growth such that the a-axis and the c-axis agree, straddling an interlayer portion.例文帳に追加
結晶成長方向に隣接する単結晶同士（結晶粒１１０、１１０）の一部は、層間を跨いでａ軸が一致しｃ軸が一致するようにエピタキシャル成長されて形成されている。 - 特許庁
The dielectric material 11 consists of ferroelectric monocrystals having uniform thickness, one surface of them is defined as a recording and reproducing surface, one side length is of mm order and the thickness is about 5000 Å.例文帳に追加
誘電体材料１１は均一な厚さを有する強誘電体単結晶からなり、その一つの面を記録再生面とし、一辺はｍｍオーダーで厚さは５０００Å程度である。 - 特許庁
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「monocrystals」を含む例文一覧
該当件数 : 12件
The guard member 3004 is made of a monocrystal material or a polycrystal material where a large number of same kinds of monocrystals are collected in various directions.例文帳に追加
ガード部材３００４は、単結晶からなる材料または同一種類の多数の単結晶が種々の方向をもって集合することで形成された多結晶からなる材料によって構成されている。 - 特許庁
Thin-plate monocrystals 2, 4, 6, 8 for generating a plurality of X-rays on which the high-energy electron beam is to be impinged to generate parametric X-rays are arranged in a straight line along the direction of the high-energy electron beam.例文帳に追加
高エネルギー電子ビームを当ててパラメトリックＸ線を発生するための複数個のＸ線発生用の薄板単結晶２、４、６、８を、高エネルギー電子ビームの方向に沿って直線状に並べる。 - 特許庁
If the Si is epitaxially grown by the CVD method, the metal silicide 6 functions as a catalyst promoting a surface reaction process, and the cone-shaped microstructure 8 made of the Si monocrystals having a spherical metal silicide 7 at the peak is formed.例文帳に追加
ＣＶＤ法によりＳｉをエピタキシャル成長すれば、金属シリサイド６が表面反応過程を促進する触媒として働き、球状の金属シリサイド７を頂点に有するＳｉ単結晶からなる錐体型微小構造体８が形成される。 - 特許庁
To provide a method and a susceptor for effectively venting emitted gas such as silicon oxide, carbon monoxide and/or carbon dioxide generated by reaction between the susceptor and a silica crucible at a high temperature in manufacturing of silicon monocrystals by the Czochralski method.例文帳に追加
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、高温でのサスセプタと石英るつぼとの反応により発生する酸化ケイ素、一酸化炭素及び／又は二酸化炭素などの放出ガスを効果的に排気する方法およびサスセプタを提供する。 - 特許庁
A double hetero epitaxial structure 4 of a Si base plate/metal silicide/Si thin film is formed on a Si monocrystal base plate 1, which is put under heat treatment in H2, so that an island-shaped structure made of Si monocrystals 5 is formed by self-matching regrowth and the metal silicide 6 is made cohered in gaps between an island 5 and an island 5.例文帳に追加
Ｓｉ単結晶基板１上にＳｉ基板／金属シリサイド／Ｓｉ薄膜のダブルヘテロエピタキシャル構造４を形成し、Ｈ_2 中で熱処理し、自己整合的な再成長により、Ｓｉ単結晶５からなる島状構造が形成すると共に島５と島５の間隙に金属シリサイド６を凝集させる。 - 特許庁
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