magnetostriction effectとは 意味・読み方・使い方

A magnetic detection element having a large magnetoelastic effect can be provided by increasing a magnetostriction constant λ by causing distortion in the crystal structure of the first magnetic layer 23a.例文帳に追加

第１磁性層２３ａの結晶構造に歪を生じさせることによって磁歪定数λを大きくさせ、磁気弾性効果の大きな磁気検出素子を提供することができる。 - 特許庁

To put a stress sensor utilizing a reverse effect of magnetostriction to practical use, and to provide a stress detection method superior in robust properties and a high-performance and inexpensive stress detection device based on such a detection method.例文帳に追加

磁歪の逆効果を利用した応力センサを実用化し、ロバスト性に優れた応力検出方法と、このような検出方法に基づく高性能で廉価な応力検出装置を提供する。 - 特許庁

This magnetic head 1 is provided with a magneto-resistance effect element 20 as the reading element of magnetic recording information recorded on a magnetic recording medium, and the magnetostriction constant of a soft magnetic body constituting the magneto-resistance effect element 20 is set equal to/lower than 0.例文帳に追加

磁気記録媒体上に記録された磁気記録情報の読出素子としての磁気抵抗効果素子２０を備えた磁気ヘッド１であり、磁気抵抗効果素子２０を構成する軟磁性体の磁歪定数が０以下であることを特徴とする磁気ヘッド１を採用する。 - 特許庁

To provide a stress sensor of magnetostrictive type and its manufacturing method excellent in mountable property on a detection object, detection sensitivity, compactness, easiness in operation, in cost and excellent in robustness, while realizing the stress sensor by utilizing opposite effect of the magnetostriction.例文帳に追加

磁歪の逆効果を利用した応力センサを実用化し、検出対象への装着性と共に、検出感度に優れ、コンパクトで取扱いが容易、しかも廉価でロバスト性にも優れた磁歪式応力センサとこのようなセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

The noncontact typed magnetostriction modulating current sensor that is equipped with a piezoelectric element 1 installing an electrode so as to develop the piezoelectric effect, a magnetostrictive material 2 combined mechanically with this piezoelectric element 1, and a coil 3 winding this magnetostrictive material 2 is characterized by crossing the magnetic flux of the electric current 4 to be measured with the aforementioned coil 3 each other through the aforementioned magnetostrictive material 2.例文帳に追加

圧電効果を発現するように電極を設けた圧電素子１と、この圧電素子１に機械的に結合した磁歪材２と、この磁歪材２を巻回したコイル３とを備え、被計測電流４の磁束が前記磁歪材２を通り前記コイル３と交錯するようにしたこと。 - 特許庁

In a magnetic sensor employing a Faraday effect of a Faraday rotation element, the Faraday rotation element is configured such that a magnetic body layer having a large Verdet constant and small magnetostriction is formed on both sides of a thin light transmissive member so as to have a thickness that is less than or equal to spontaneous magnetization and allows light to transmit therethrough.例文帳に追加

ファラデー回転素子が有するファラデー効果を用いた磁気センサにおいて、 前記ファラデー回転素子は、薄い光透過部材の両面に、ベルデ定数が大きくて磁歪が小さな磁性体層が、自発磁化以下の厚さで光が透過できる厚さに形成されていることを特徴とするもの。 - 特許庁

The polycrystalline magnetic body 2 has a negative magnetostriction constant and, in the polycrystalline magnetic body 2, a tensile stress toward the outer side of the radial direction substantially orthogonal to the side wall of the through-hole remains and, by a magnetic elastic effect arising from the remaining stress, a uniaxially magnetic anisotropy surpassing the crystal magnetic anisotropy is induced.例文帳に追加

多結晶磁性体２が負の磁歪定数を有し、かつ、該磁性体２の内部に、貫通孔の側壁に対して略直交する半径方向外方へ向かう引張応力が残留しており、その残留応力による磁気弾性効果により、結晶磁気異方性に勝る一軸磁気異方性が誘導されている。 - 特許庁

A method of testing an integrated circuit device includes a step of applying a magnetic field to the integrated circuit device during application of one or more of test signals wherein the applied magnetic field induces magnetostriction effect in one or more materials including the integrated circuit device and a step of determining the existence of inconvenience caused by the applied magnetic field in the integrated circuit device.例文帳に追加

集積回路デバイスを試験するための方法は、１つ以上の試験信号の印加中に前記集積回路デバイスに印加磁界を与えるステップであって、印加磁界が集積回路デバイスを含む１つ以上の材料において磁気ひずみ効果を誘発する、ステップと、集積回路デバイス内において印加磁界に起因する不具合の存在を判定するステップと、を含む。 - 特許庁