TW406311B - Manufacturing method of thin-film transistor and liquid crystal display device using the same - Google Patents

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4〇631j A7 B7 經"·部屮"標"^合竹·^'-印*'1々 五、發明説明 ( 1 ) 1 1 1 發 明 之 背 景 1 | 本 發 1 明 係 關 於 — 種 被 使 用 於 有 源 矩 陣 (a c t ί V e m at r i X) I 型 液 晶 顯 示 装 置 等 開 闞 元 件 之 製 造 方 法 及 使 用 該 等 方 法 而 請 先 1 閱 1 製 作 的 液 晶 顯 示 裝 置 〇 讀 背 1 面 I 液 晶 顯 示 裝 置 9 係 巨 前 正 盛 行 研 究 K 取 代 CRT 之 平 面 顯 冬 1 • I 1 I 示 器 (f 1 a t P a n e 1 d i S Ρ 1 a y) 的 一 種 9 尤 其 可 發 揮 其 消 耗 功 事 項 1 [ I 率 小 或 薄 犁 的 特 徵 t 且 已 被 當 作 電 池 驅 動 之 超 小 型 電 視 填 1 本 裝 (m i C Γ 0 t e 1 e v i si on ) 或 筆 記 (η 0 t e b 0 0 k) 型 個 人 電 腦 頁 1 I (P e r so n a 1 CO 10 P u t e r ) 之 顯 示 裝 置 而 實 用 化 〇 1 1 作 為 液 晶 顯 示 装 置 之 驅 sat. 動 方 法 > 主 要 係 使 用 由 高 顯 示 品 1 1 質 之 方 面 將 薄 膜 電 晶 體 (Th i η F i 1 IB Tr an si S t 0 Γ Μ 下 稱 1 訂 為 TFT) 當 作 開 翮 元 件 來 使 用 的 有 源 矩 陣 型 TFT 陣 列 (TFT 1 | a r r a y ) ) 1 t I 在 液 晶 顯 示 裝 置 之 低 消 耗 功 率 化 方 面 對 於 增 大 液 晶 面 1 i •5 板 之 圖 素 部 的 有 效 顯 示 面 積 9 亦 即 圖 素 之 高 開 P 率 化 是 很 1 線 有 效 的 0 1 1 為 了 取 得 該 種 高 開 □ 率 之 液 晶 面 板 (Ρ an el )之有效的T F T 1 I 陣 列 而 有 在 形 成 由 掃 描 電 極 Λ 信 號 電 極 半 導 體 層 所 構 1 1 I 成 的 TFT之後 ，為： Γ覆蓋該等而在設置由透明性樹脂所構 1 1 成 的 層 間 絕 緣 膜 之 後 於 其 最 上 層 形 成 圖 素 電 極 的 構 造 例 1 1 如 已 被 揭 示 於 曰 本 特 許 第 2 5 2 1 7 5 2號公報 、特許第 1 1 2598420 號 公 報 及 特 開 平 4- 1 6 3 5 2 8 公 報 等 中 〇 1 1 以 前 述 之 構 造 而 可 獲 得 高 開 □ 率 主 要 是 依 以 下 二 點 0 亦 1 1 I 即 ， 第 一 點 如 在 曰 本 特 許 第 2521752 號 公 報 中 所 說 明 般 1 1 本紙張尺度垧州中國囤家梯彳（（’NS ) Λ4規格（210X 297公犛） 4 40631ί Α7 Β7 部屮央標準局1-Η.τ;/ί介合刊社，w 五、發明説明 ( 2 ) 1 1 I 9 由 於 在 藉 由 透 明 性 樹 脂 使 表 面 平 坦 化 的 層 間 絕 緣 膜 上 形 1 1 | 成 圖 素 f 電 極 f 所 只 要 可 消 除 在 習 知 構 造 之 圖 素 電 極 的 段 ν I 差 部 分 所 產 生 因 液 晶 分 子 之 配 向 紊 亂 而 造 成 顯 示 不 良 (定 請 先 閱 1 卜 I 域 現 象 (d 〇 m a i η p h e η 〇 m e η on )) 就 可 增 加 顯 示 有 效 面 積 ύ 第 背 1 I 面 I 二 點 、 如 在 曰 本 特 許 第 2598 42 0號公報及特開平4 -163528 1 A \ 意 1 I 公 報 中 所 說 明 般 9 由 於 藉 由 在 由 膜 厚 0 . 3 u m 至 2 t t m 之 比 較 事 項 1 \ 再 1 厚 的 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 圖 素 電 極 就 不 會 發 生 位 於 層 間 絕 4 1 寫 本 裝 緣 膜 下 層 之 閘 極 配 線 (g at e w i Γ 1 n g ) 源極配線（S 0 u r c e 頁 '—^ 1 I W I Γ 1 n g ) 與 上 層 之 圖 素 電 極 間 的 電 氣 短 路 所 為 了 使 該 1 1 等 配 線 重 叠 (0 ν e r 1 a p ) 而 可 在 寬 廣 的 面 積 上 形 成 圖 素 電 極。 1 1 用 Μ 實 現 該 等 高 開 口 率 TFT陣列構造的過程（ Ρ Γ 0 C e s s ) j 1 訂 例 如 由 透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 之 形 成 方 法 等 已 1 1 詳 细 揭 示 於 曰 本 專 利 特 開 平 9- 9 6 8 3 7公報 特開平9 — F I 1 2 7 5 5 3 公 報 及 特 開 平 9- 1 5 2 6 2 5 公 報 等 中 〇 1 1 若 簡 單 敘 逑 前 述 高 開 P 率 TFT 陣 列 之 製 程 則 首 先 在 如 1 線 玻 璃 般 的 透 明 絕 緣 性 基 板 上 依 序 形 成 閘 極 電 極 *> 閛 極 m 緣 1 1 膜 Λ 由 半 導 體 層 所 構 成 的 TFT 及 源 極 Λ 汲 極 電 極 0 其 次 形 1 I 成 由 透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 再 形 成 接 觸 孔 1 1 I (C ο η t a c t 0 pi n i n g ) 〇 最 後 形 成 圖 素 電 極 >λ 完 成 TFT 陣 列 1 1 0 圖 素 電 極 係 透 iJS, 5S 形 成 於 層 間 絕 緣 膜 之 接 觸 孔 與 下 層 之 汲 1 1 極 電 極 電 氣 連 接 0 1 1 在 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 方 法 例 如 曰 本 專 利 特 開 1 I 平 9- 1 2 7 5 5 3 公 報 及 特 開 平 9- 1 5 2 6 2 5 公 報 所 記 載 其 所 使 用 1 1 I 之 透 明 性 樹 脂 係 Μ 感 光 性 與 非 感 光 性 來 分 成 下 之 二 棰 方 1 1 本紙張尺度诚川中KH；家標t ( (’NS ) Λ4規格（210X 297公f ) 5 40631ί 二 經满部中次榡卑局^:1-消费合作社印*,,冬 五、發明説明（3 ) 1 1 法 0 1 1 I 使 用 光 性 之 透 明 性 樹 脂 時 > 係 在 塗 佈 * 烘 乾 樹 脂 之 後 1 卜 1 使 用 接 觸 孔 之 光 罩 圖 型 (m as k patter η )予 Η 進 行 曝 光 顯 請 先 閱 讀 背 1 像 藉 由 與 所 請 昭 相 製 版 相 同 的 步 驟 Μ 形 成 所 希 望 之 接 觸 1 1 面 | 孔 〇 另 一 方 面 在 使 用 非 感 光 性 之 透 明 性 樹 脂 時 係 在 塗 之 1 f 意 1 I 佈 版 烘 乾 成 樹 接 脂 觸 之 後 塗 佈 抗 蝕 劑 (Γ e s is t ) 且 在 利 用 昭 相 製 事 項 再 填 1 1 Η 形 圖 型 之 後 例如利用包含C F 4 Λ cf3 或是SF β 1 之 中 至 少 __· 種 的 氣 體 進 行 乾 蝕 刻 (d r y e t c h ί n g ) 最 後 除 本 頁 裝 1 去 抗 蝕 劑 >λ 獲 得 所 希 望 之 接 觸 孔 Ο 1 1 當 然 即 使 在 使 用 感 光 性 樹 脂 時 亦 可 >λ Μ 使 用 後 者 之 1 1 抗 蝕 劑 光 罩 的 乾 蝕 刻 來 形 成 接 觸 孔 ο 又 透 明 性 樹 脂 膜 亦 1 訂 可 為 有 機 材 料 或 是 Μ 機 材 料 之 任 一 種 ο 1 1 前 述 高 開 Ρ 率TFT 陣 列 從 顯 示 品 質 之 方 面 來 看 的 話 透 1 ί 過 層 間 絕 緣 膜 之 接 觸 孔 的 上 層 之 Β2Ι 圖 素 電 極 與 下 層 之 汲 極 電 1 i 極 有 需 要 進 行 良 好 的 電 氣 連 接 良 好 的 電 氣 連 接 性 一 般 1 線 係 Κ 接 觸 孔 開 P 表 面 之 圖 素 電 極 與 汲 極 電 極 之 接 觸 電 阻 ( 1 1 Μ 下 稱 為 接 觸 電 阻 )來表示 且每- *開口面積50w hi □ 的 1 1 接觸電阻值被要求大致在10Ε4Ω 以 下 (Μ下 接觸電阻值 1 1 9 只 要 沒 有 特 別 註 記 就 表 示 每 一 開 □ 面積50 U 姐□的值）ϋ 1 1 咏 t\w 而 使 用 由 明 —^ 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 m 、之 高 開 □ 1 1 率TFT 陣 列 的 習 知 步 驟 中 有 很 難 穩 定 獲 得 10Ε4 Ω 以 工 的 1 I 接 觸 電 阻 值 f 且 會 招 致 良 率 降 低 的 問 題 點 0 1 1 1 尤 其 是 連 接 圖 素 電 極 與 汲 極 電 極 的 接 觸 孔 由 於 在 基 板 上 1 1 形 成 全 郜 被 配 列 成 矩 陣 狀 的 圖 素 部 所 以 在 基 板 上 即 使 一 1 1 本紙張尺度诚川中國S家標彳（（’NS ) Λ4規袼（210Χ 297公釐） 6 406311 A7 B7 經"-部中次桴萆局只-τ消贽合竹社印$ 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 部 分 發 生 接 觸 電 阻 不 良 時 亦 會 引 起 顯 示 不 良 且 會 使 良 率 — 1 1 I 降 低 0 1 因 而 要 確 立 可 穩 定 獲 得 低 接 觸 電 阻 的 接 觸 孔 形 成 過 1 程 是 非 常 重 要 的 0 讀 先 1 !ν 閱 I 然 而 有 關 獲 得 穩 定 的 低 接 觸 電 阻 之 層 間 絕 緣 膜 的 接 觸 背 I I δ I 孔 形 成 方 法 並 未 具 體 揭 示 在 前 述 之 曰 本 特 許 公 報 中 〇 且 之 注 1 r 亦 未 見 有 揭 示 於 其 他 相 關 的 專 利 文 獻 中 0 意 事 1 項 1 f 本 發 明 係 為 了 解 決 前 述 問 題 點 而 成 者 9 其 e 的 係 在 於 提 丹 填 1 供 — 種 在 使 用 由 透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 之 高 開 □ 寫 本 頁 裝 1 率 TFT 陣 列 中 使 透 過 層 間 絕 緣 膜 之 接 觸 孔 的 圖 素 電 極 與 1 1 汲 極 電 極 之 接 觸 電 阻 值 可 m 定 設 在 10E4 以 下 的 TFT 陣 1 1 列 之 製 造 方 法 暨 依 該 等 方 法 所 製 作 的 液 晶 顯 示 裝 置 〇 1 訂 發 明 之 摘 述 1 1 使 > J. 刖 述 接 觸 電 阻 值 增 大 的 要 因 經 本 發 明 人 等 使 用 由 有 1 機 材 料 所 構 成 的 透 明 性 樹 脂 膜 當 作 層 間 絕 緣 膜 進 行 檢 討 的 1 1 结 果 判 明 在 接 觸 電 阻 大 的 情 況 圖 素 電 極 與 汲 極 電 極 之 1 線 接 觸 表 面 上 存 在 有 包 含 氧 或 碳 的 物 質 〇 1 I 亦 即 該 等 物 質 主 要 為 透 明 性 樹 脂 膜 成 份 〇 1 1 I (1)接觸孔於形成後之透明性樹脂膜的殘留物 1 1 (2)圖素電極於形成時之透明性樹脂膜的分解物 1 1 又 新 發 現 判 明 Μ 上 二 個 生 成 原 因 係 與 習 知 之 TFT陣列基 1 1 板 的 情 況 不 同 0 1 I 因 而 > 為 了 m 定 獲 得 良 好 的 接 觸 電 阻 t 只 要 利 用 即 使 生 1 1 I 成 或 不 生 成 前 述 (1)之殘留物及（2 ) 之 分 解 物 亦 可 除 去 該 等 1 1 的 步 驟 使 接 觸 表 面 清 靜 化 即 可 〇 1 1 本紙悵尺度询川屮國S家標今（（’NS ) Λ4規格（210X 297公f ) 40631ί 經滴部中决標^^θ-τ·消贽合作社印¥ 五、發明説明（ 5 ) 1 1 由 >λ 上 之 點 來 看 % 醑 於 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 其 特 徴 1 1 I 在 於 包 含 有 在 透 明 絕 緣 性 基 板 上 依 序 形 成 閛 極 電 極 % 閘 1 極 絕 緣 膜 % 半 導 體 層 > 源 極 電 極 及 汲 極 電 極 3 更 為 了 覆 蓋 讀 A 1 卜. 該 等 而 形 成 由 透 明 性 樹 脂 膜 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 在 此 形 閱 讀 背 1 1 成 接 觸 孔 之 後 將 包 含 露 出 於 接 觸 孔 部 之 下 部 汲 極 電 極 或 意 1 [ I 是 與 汲 極 電 極 聯 繫 之 連 接 電 極 表 面 的 基 板 表 面 全 體 使 用 事 1 項 f 再 具 有 使 接 觸 部 表 面 清 靜 化 效 果 之 物 理 的 或 是 化 學 的 方 法 填 1 中 之 任 一 方 或 是 該 等 之 雙 方 進 行 表 面 處 理 的 步 驟 0 依 該 寫 本 頁 裝 1 等 的 表 面 處 理 就 可 除 去 接 觸 孔 部 之 透 明 性 樹 脂 膜 的 殘 留 物 1 1 y 且 可 實 現 良 好 的 接 觸 電 阻 0 1 I 作 為 接 觸 孔 於 形 成 後 之 層 間 絕 緣 膜 之 物 理 的 表 面 處 理 方 1 訂 法 係 使 用 氫 電 漿 (ρ 1 a s m a)處理 Λ 氛 (h e 1 i U 1D )電漿處理或 1 I 是 氮 電 漿 處 理 之 中 所 選 出 之 至 少 — 種 的 步 驟 0 藉 由 進 行 1 等 表 面 處 理 就 可 利 用 依 電 漿 離 子 (Ρ 1 a s m a 1 0 Π)所帶來 的 1 1 撞 擊 Κ 除 去 接 觸 孔 表 面 之 透 明 性 樹 脂 膜 的 殘 留 物 0 更 且 > 1 線 1 I 藉 由 依 該 等 表 面 處 理 以 抑 制 透 明 性 樹 脂 表 面 被 改 質 之 结 果 所 帶 來 之 刖 述 透 明 性 樹 脂 的 加 熱 分 解 就 有 同 時 抑 制 圖 素 1 1 I 電 極 膜 於 形 成 時 會 生 成 樹 脂 分 解 物 的 效 果 0 1 1 另 —* 方 面 } 在 使 用 氧 電 漿 處 理 Μ 作 為 接 觸 孔 於 形 成 後 之 1 1 層 間 絕 緣 膜 之 物 理 的 表 面 處 理 方 法 的 情 況 會 與 依 電 漿 離 1 I 子 之 撞 擊 以 除 去 接 觸 孔 表 面 之 透 明 性 樹 脂 膜 的 殘 留 物 之 優 1 1 點 不 同 1 反 而 透 明 性 樹 脂 表 面 會 因 該 表 面 處 理 而 發 生 變 質 1 I » 有 時 會 引 起 加 熱 分 解 之 促 進 〇 此 情 況 在 進 行 表 面 處 理 之 1 1 - 月U 會 只 殘 留 接 觸 部 而 利 用 抗 蝕 劑 覆 蓋 透 明 性 樹 脂 膜 全 體 t 1 1 本紙張尺度珅川中國S家HM ('NS ) Λ4規格（210Χ297公i ) 8

40631J A7 B7 經濟部中夾標本^β.τ.消f合作ίι印S水 五、發明説明（6 ) 1 1 並 在 進 行 表 面 處 理 之 後 只 要 追 加 用 Μ 剝 離 抗 蝕 劑 的 步 驟 即 1 1 I 可 0 藉 1 由 上 述 步 驟 就 不 會 影 響 到 透 明 性 樹 脂 膜 而 可 只 1 t 使 接 觸 表 面 部 清 淨 化 0 當 該 方 法 在 使 用 上 述 氫 電 漿 處 請 先 1 1 理 、 氨 電 漿 處 理 及 氮 電 漿 處 理 的 情 況 皆 有 效 〇 閱 讀 背 ιέ 1 1 I 又 作 為 接 觸 孔 於 形 成 後 層 間 絕 緣 膜 之 另 一 種 物 理 的 之 1 1 注 處 意 表 面 理 法 係 使 用 由 氫 離 子 植 入 > 砸 離 子 (b 0 Γ on 事 1 項 1 I 1 0 Π)植入 > 氮 離 子 植 入 Λ 磷 離 子 (P h 〇 S P h 〇 Γ U S 1 0 η )植入之 再 填 寫 本 頁 裝 中 所 選 出 之 至 少 —* 種 的 步 驟 〇 藉 由 進 行 該 等 離 子 植 人 (i on I i m pl an t a t i on ) 就可依離子撞擊除去接觸孔表面之透明 I I 性 樹 脂 膜 的 殘 留 物 〇 更 且 藉 由 依 該 等 離 子 植 入 所 帶 來 的 I I 透 明 性 樹 脂 表 面 之 改 質 以 抑 制 樹 脂 的 加 熱 分 解 就 同 時 具 I 訂 有 抑 制 圖 素 電 極 於 形 成 時 會 生 成 樹 脂 分 解 物 的 效 果 〇 I I 另 外 亦 可 在 利 用 抗 蝕 劑 覆 蓋 除 接 觸 表 面 部 之 外 的 透 1 1 明 性 樹 脂 膜 全 體 之 後 進 行 前 述 離 子 植 入 之 後 除 去 抗 蝕 劑 1 J 0 此 情 況 不 會 影 響 到 透 明 性 樹 脂 膜 而 可 只 使 接 觸 孔 表 1 線 面 清 靜 化 〇 1 1 又 作 為 其 他 的 物 理 表 面 處 理 係 使 用 利 用 可 蝕 刻 與 圖 1 1 I 素 電 極 連 接 之 下 部 汲 極 電 極 材 料 之 氣 體 的 乾 蝕 刻 將 表 面 輕 1 1 蝕 刻 (light e t C h ί n g ) 的 方 法 〇 又 該 方 法 亦 可 組 合 前 述 1 1 電 漿 處 理 或 是 離 子 植 入 處 理 0 \ 1 | 其 次 作 為 接 觸 孔 於 形 成 後 之 層 間 絕 緣 膜 之 化 學 的 表 面 1 I 處 理 方 法 係 使 用 Μ 可 鈾 刻 汲 極 電 極 之 藥 液 將 表 面 輕 鈾 刻 1 1 I 的 步 驟 〇 依 汲 極 電 極 蝕 刻 的 射 出 (1 if t- off) 可 除 去 接 觸 1 1 表 面 之 透 明 性 樹 脂 膜 的 殘 留 物 〇 1 1 本紙張尺度適川中國S家標哼（（’NS ) Μ规格（210X 297公釐） 9 4063ίϊ Α7 Β7 經满部中决撐卑局只τ_消费合竹社印*'1水 五、發明説明（7 ) 1 1 此 情 況 亦 可 在 利 用 抗 蝕 劑 覆 蓋 除 了 接 觸 表 面 部 之 外 的 透 1 1 明 性 樹 脂 膜 全 體 之 後 進 行 ,»«-刖 述 化 學 的 表 面 處 理 > 之 後 除 去 1 抗 蝕 劑 0 此 情 況 不 會 因 化 學 藥 疲 而 影 響 到 透 明 性 樹 脂 膜 請 先 1 |· 表 面 而 可 只 使 接 觸 孔 表 面 清 靜 化 〇 閱 讀 背 面 之 1 1 依 包 含 Μ 上 接 觸 表 面 之 基 板 表 面 全 體 之 物 理 的 化 學 的 1 注 f 表 面 處 理 就 可 獲 得 Μ 下 層 汲 極 電 極 之 接 觸 孔 開 P 部 分 之 意 事 1 項 } 膜 厚 比 其 他 部 分 之 汲 極 電 極 膜 厚 還 薄 作 為 其 形 態 上 的 再 4 1 裝 1 特 徵之TFT 陣 列 基 板 〇 該 效 果 在 使 用 該 蝕 刻 氣 體 作 為 物 頁 理 的 表 面 處 理 的 乾 蝕 刻 之 情 況 > 或 化 學 的 表 面 處 理 之 情 況 1 1 時 特 別 顯 著 〇 1 I 再 者 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 在 形 成 圖 1 1 訂 素 電 極 時 使 用 猫 鍍 法 (S putt e r i η g m e t h 〇 d) 等 成 膜 之 後 1 9 在150它至2 5 0 Ό 的 範 圍 内 且 Μ 成 膜 時 之 基 板 溫 度 以 上 的 1 ! 溫 度 進 行 熱 處 理 〇 藉 由 熱 處 理 就 可 提 高 與 接 觸 孔 開 P 部 1 中 之 下 層 汲 極 電 極 的 密 接 力 Μ 獲 得 良 好 的 接 觸 電 阻 0 又 i 線 9 藉 由 熱 處 理 亦 具 有 改 善 透 明 導 電 膜 之 電 阻 比 值 或 透 過 率 1 | 值 的 效 果 > 或緩和TFT 陣 列 基 板 全 體 之 應 力 (s t Γ e s S ) Μ 1 1 改 善 其 電 氣 特 性 的 效 果 〇 更 且 由 於 依 熱 處 理 可 進 行 特 性 1 1 改 菩 所 Μ 可 將 透 明 導 電 膜 於 成 膜 時 之 基 板 溫 度 設 定 在 1 1 2 5 0 °C Μ 下 ，结果 ，亦可抑制來自層間絕鴒膜的分解生成 1 I 物 〇 1 1 I 再 者 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 係 在 形 成 1 1 由 透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 之 前 9 形 成 用 Μ 保 護 1 1 TFT 之 通 道 (c h a η η el) 部 的 氮 化 矽 (S ί 1 i c ο η η i t Γ ί d e ) 膜 1 1 本紙張尺度鸿川中阄阄家標彳（（’NS )穴4坭格（2丨0'/29"7公漦） 10 - 406311 經漪部中夾標準局β-τ消资合作社印y 五、發明説明（8 ) 1 1 〇 藉 此 f 就可使T F Τ 之 電 氣 特 性 稱 定 化 〇 1 1 I 作 為 1 在 由 該 種 之 透 明 性 樹 脂 / 氮 化 矽 之 二 層 所 構 成 的 層 1 間 絕 緣 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 方 法 有 幾 種 方 法 0 V 請 先 1 (1)在氮化矽上預先以使用抗蝕劑光罩的乾蝕刻來形成 閱 讀 背 1 I 1 I 接 觸 孔 進 而 在 前 述 抗 蝕 劑 光 罩 剝 離 之 後 形 成 透 明 性 樹 脂 之 1 注 1 膜 >λ 形 成 接 觸 孔 的 方 法 〇 事 i 項 1 1 (2)連绩形成氮化矽膜與透明性樹脂膜 並在透明性樹 再 填 脂 膜 上 形 成 接 觸 孔 0 其 次 將 形 成 接 觸 孔 之 透 明 性 樹 脂 膜 當 寫 本 頁 裝 1 作 光 罩 並 藉 由 乾 蝕 刻 在 氮 化 矽 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 方 法 〇 該 1 1 方 法 係 在 使 用 感 光 性 之 透 明 性 樹 脂 膜 時 使 用 與 昭 相 製 1 1 販 相 同 的 曝 光 顯 像 方 法 就 可 在 透 明 性 樹 脂 膜 上 形 成 接 觸 1 訂 孔 0 1 I (3)連缅形成氮化矽膜與透明性樹脂膜 並使用照相製 1 f 版 所 製 作 的 抗 蝕 劑 光 罩 藉 由 利 用 乾 蝕 刻 連 續 蝕 刻 透 明 性 1 J 樹 脂 膜 / 氮 化 矽 膜 Μ 形 成 接 觸 孔 的 方 法 〇 該 方 法 亦 可 透 1 線 明 性 樹 脂 膜 為 光 性 非 感 光 性 任 一 種 的 情 況 0 1 I 即 使 在 其 中 之 一 種 方 法 亦 可 藉 由 接 觸 孔 於 形 成 之 後 進 1 1 | 行 物 理 的 或 是 化 學 的 表 面 處 理 Μ 獲 得 良 好 的 接 觸 電 阻 0 1 1 另 外 (3) 之 方 法 中 在 加 上 抗 蝕 劑 光 罩 的 狀 態 下 藉 由 1 1 進 行 表 面 處 理 » 就 可 在 不 對 透 明 性 樹 脂 膜 表 面 帶 來 影 響 下 1 I 容 易 只 使 接 觸 孔 部 表 面 清 靜 化 0 1 I 再 者 t 關 於 本 發 明 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 9 m 由 其 汲 1 1 | 極 電 極 f 使 用 A 1 (鋁） 、 Cr (鉻） Λ C u (銅} Λ Mo (鉬） Λ Ta (鉅） 1 1 及 或 是 >λ 該 等 金 臛 作 為 主 成 份 的 合 金 之 中 所 選 出 之 至 少 一 1 1 本紙張尺度诫川中國1¾家標彳（（’NS ) A4«L格（2丨ΟΧ 297公釐） _ 11 _ A7 B7

明圖 本紙張尺度洎川中國齒家:孫^；( (’NS ) Λ4規栘（2丨0X 297公廣） ^06311 五、發明説明（9 )

種的材料，而圖素電極，使用氧化絪（i n d i u m ο X i d e )、氧 化錫（tin oxide)或是氧化銦與氧化錫所構成的ITO

I (I n d ί 11 nt Τ ί η 0 x i d e :絪錫氧化物）之中所選出之至少一種 材料，就可獲得良好的接觸電阻。 關於本發明之液晶顯示裝置，其具備有：T F T陣列基板 ，依前述關於本發明之製造方法所製造的TFT在閘極配線 與源極配線之交叉部近旁被形成矩陣（matrix)狀；Μ及相 對基板，具有相對電極濾色器（color filter)等，用以夾 持該T F T陣列基板與液晶者。因此*可良率佳地生產高開 口率的液晶顯示裝置。 圖式之簡單說明 s發明之一實施形態之TFT 的概略截面說明 圖 圖2為關於本發明之一實施形態之T F T 的概略截面說明 圖 發明之另一實施形態之TFT 的概略截面說 明圖 圖4.為關於本發明之另--實施形態之TFT 的概略截面說 明圖。 ' 發明之另一實施形態之TFT 的概略截面說 ^ ； 明 發明之另一實施形態之TFT 的概略截面說 本發明之另一筲胞形態之TFT 的概略截面說 n^i —^n —^m Λ9 I n·^— Jl—· ^En nn -- ^ftn 一 IN i 1 - I— . im^ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 406311 A7 B7五、發明説明（10 ) 明圖。 發明之詳述 K下像一面參考附圖而一面就本發明之實施形態做更進 一步詳细說明。 具體例1 K下係使用圖說明本發明之一實施形態。 圖1及圖2係顯示本發明之實施形態1之TFT陣列基板之製 造方法的概略截面說明圖。圖1及圖2中，1為透明絕緣性 基板，2為閛極電極，3為共通電極，4為閘極絕緣膜，5為 a-Si膜，6為n + -a-Si 膜，7為源極電極，8為汲極電極 ，9為通道部，1 0為層間絕緣膜，11為接觸孔部，1 2為接 觸孔表面上的殘留物，13為圖素電極，14為接觸面。又， TP為物理的表面處理。 首先如圖1 ( a )所示，在由破璃等所構成的透明絕緣性玻 璃基板1上，使用濺鍍法等成膜Cr·(鉻），利用光蝕刻法 (photolithography method)形成蘭極電極2及共通電極3。 其次，使用電漿CVD (化學氣相蒸鍍）法等依序成膜由氮 化砂所構成的閑極絕緣膜4、非晶砂（a hi 〇 r p h 〇 u s silicon ，以下稱為a -S ί ) 5、摻雜雜質的低電姐非晶矽（以下稱為 η + - a - S i )膜6，使用光蝕刻法將a - S i膜5、η + - a - S ί膜 6圖型化（p a 11 e r· n i n g ) W形成半導體層。 其次，使用濺鍍法等成膜C「（鉻）*再藉由光蝕刻法，形 成半導體層之通道部9暨源極電極7、汲極電極8以形成TFT。 再者，為了消除T F T之段差部以使表面平坦化，而使用 --!----*------裝------訂---^----- — 線 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適川屮SIS家標彳（（’NS ) ΛΊ现格（2丨0X 297公釐） -13 經泌部屮次標^^β-τ·消论合0，社印9'·'卜 Μ__aqmu___五、發明説明（11 ) 旋轉塗佈法（spin coating method)等塗佈•供乾（baking )具有感光性的丙烯（aery 1 ic)系透明性樹脂以形成層間絕 I I 緣膜1 0，之後利用光蝕刻法之曝光·顯像處理使汲極電極 之表面的一部分露出之下形成接觸孔部11。此時，會有粒 狀或是一樣圼薄膜狀態的異物當作殘留物而殘留在接觸孔 開口部表面上。此時的殘留物幾乎是以層間絕緣膜1 0為主 成份。 其次如圖1 ( b )所示，使用物理的方法對包含接觸孔部11 之層間絕緣膜10的表面全體進行表面處理。在本實施形態 中，會進行如表1所示之數種類的處理。藉此，就可大致 完全除去接觸孔表面上的殘留物。 表1 物理的表面處理與接觸電姐 電漿處理 氣體 種類 模態功 率（W )氣體壓力 (Pa) 時 間 (秒） 接觸電阻 (Ω / 50 u ιπΠ ) Η 2 PEsg 5 00- 1 500 7- 1 00 R IE 15-300 500- 1 . 6 x 1 0 4 He PEsg 5 0 0 - 1 5 00 7- 1 00 R IE 15-300 5 0 0 - 1 . 6 x 1 0 4 〇 2 PEsK 5 00 - 1 5 00 7 -2 5 0 R IE 15-250 50-2 . 3 x 103 離子植入（摻雜（doping)) 接觸電阻 (Q / 50 u m □) 離子種類 加速電壓（k e V ) 劑量（d o s e ) (個 /era3 ) 本紙张尺度適州屮國囚家標冷（（’NS ) Λ4現格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ___4QB311_£ 五、發明説明（12 ) Β - Ρ - Ν - Η 5-10 1 X 1 0 15 〜 1 .οχιο3 1 1 X 1 0 17 3 .6 X 104 無表面處理 接觸電 阻 ( Ω / 5 0 u Βΐϋ ) 1 .ο X 1〇6~ 3 . 6 X 109 PE模態：電漿蝕刻（P丨asma Etching) RIE模態：反應性離子蝕刻（Reactive Ion Etching) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 最後如圖2所示*使用濺鍍法等將基板表面溫度設定在 20〇υ且將由氧化絪與氧化錫所構成的透明導電膜IT0 (銦 錫氧化物）成膜為1 000纟的膜厚。之後，以2 30 °C保持60分 鐘而在進行熱處理之後使用光蝕刻法將之圖型化以形成圖 素電極13就可獲得所希望之液晶顯示裝置TFT陣列基板。 圖素電極13係在接觸孔部11之接觸面14上，與汲極電極 8電氣連接。 如此所獲得的TFT陣列之接觸面14中的圖素電極13與汲 極電極8之接觸電阻值，會如表1所示，與在未作任何表面 處理的情況之1 0 E 8 Ω比較，則可大幅減低至數1 0 E 4 Ω以下。 另外，如表1所示之各自的物理的表面處理之過程條件 ，由於係依各自的裝置而其最佳值有所不同*所以只要對 各個的使用裝置設定最佳的過程條件即可，本發明中並非 限定於表1所示之數值者。 本寊施形態中雖係使用Cr(鉻）作為閘極電極2、共通電 極3，且同樣使用Cr(鉻）作為源極電極7、汲極電極8，但 本紙張尺度垧圯中國阀家榡彳（（’NS ) Λ4規格（210X297公釐） ,ιτ 線 經滴部中次榡準局1-W.T-消贽合作.社印¥ 15 - 406311 經浇部中决標準局員T,消仆合作社印y 五、發明説明（13) 1 1 是 並 沒 有 被 限 定 於 此，例如 ，亦可使用A 1 (鋁） 、C u(飼）、 1 1 Mo (鉗） i Ta (钽） 0 當使用該 等材料 時 9 則Μ 可 實現電阻比 1 值 為 25 U Ω • cm 的 低電阻電 極及配 線 者 為佳 0 請 先 1 作 為 物 理 的 處 理 除了表1所示之方法之外 例如亦可進 閱 讀 背 δ 1 I 1 I 行 分別於汲極電極8為鉻的情況時 使用C C 1 4 + 〇 2等的氣體 之 1 ί * 於 鋁 的 情 況 時使用BC 1 3 + C 1 2等的 氣 體 ，於 銅 的情況時使 事 1 項 | 用 Ar (氨）等的氣體 ，接著於 鉬、鉅 的 情 況時 使 用C F 4 + 0 2等 再 填 1 的 氣 體 之 乾 蝕 刻 處 理。乾蝕刻處理雖係在汲極電極8之接 寫 本 頁 裝 1 觸 孔 部 11的膜厚完全被蝕刻之前使之结束， 但 是比起其他 1 1 部 分 的 膜 厚 則 以 殘 留1/2Μ上的膜厚就使之结束較佳（輕蝕 1 | 刻 ) >另外， 亦可組合該等乾蝕刻處理與表1所示之表面處 1 訂 理 0 1 I 又 沒 有 必 要 Μ 全部相同 的金靥 材 料 來構 成 閘極電極2 1 共 通 電 極 3 •源極電極7、 汲極電 極 8 亦可以使用由該 1 1 金 屬 材 料 之 中 所 選 出的不同 金屬之 組 合 。另 一 方面，作為 1 線 圖 素 電 極 13 除 了 ΙΤ0膜之 外亦可 使 用 氧化 絪 膜及氧化錫 1 | 膜 及 氧 化 鋅 膜 及 其 他的透明 性導電 膜 〇 1 1 即 使 在 >λ 上 所 示 之材料組 合中， 若 依 據本 發 明之實施形 1 1 態 則 可 實 琨 低 於 10Ε3 Ω 之 低值以 作 為 接觸 面 14中之接觸 1 1 電 阻 值 0 1 | 另 外 成 膜 圖 素 電極1 3於形成時 之 m 明導 電 膜之際的基 1 I 板 表 溫 度 Μ 設定在未滿2 5 0 aC為佳 1為何如此，如表2所 1 1 示 因 2 45T： ± 5T： Μ上的基 板溫度 設 定 中， 即 使進行本實 1 1 m 形 態 之 接 觸 孔 表 面之物理 的處理 其 接 觸電 亦會增大至 1 1 本紙張尺度垧川中國1¾家標呤（（'NS ) Λ4規格（210X 297公f ) _ 16 ~ 406311 Μ Β7 五、發明説明（U) 1 0 E 6 Ώ Μ上所致。 表2 ΙΤ0成膜時之基 1 板設定溫度輿接觸電阻 IT0成膜時之 接觸電姐 基板設定溫度rc ) (Ω / 5 0 /i in □) 70 ± 5 .3.0X102 〜3.0X103 2 05 土 5 5 0 〜3 . 0 X 1 0 3 2 2 5 ± 5 50〜3.0 X 103 245 ± 5 8.0X106 〜5.0X108 此當基板表面溫度超過250 °C時，層間絕緣膜10會產生 熱分解，該熱分解生成物會被取入於IT0成膜之初期時的 接觸面14附近而ΙΤ0膜可成膜。 更且當在層間絕緣膜上產生熱分解時，會發生變色且招 致透過率降低的問題。從此情況中亦可了解圖素電極之透 明導電膜於成賴時的基板設定溫度以設定在未滿25〇υ為 佳。 但是，當降低透明導電膜於成膜時的基板設定溫度時會 產生密接力降低，且在濺鍍時會發生剝雛，因接觸面14之 剝離造成I Τ0膜浮起而會招致接觸電阻增大。此現象在基 板表面之溫度未滿150 °C之情況時最容易發生。因而，IT0 膜於成膜之後，以成膜時之基板表面溫度K上，且最低亦 為1 5 0 °C Μ上的溫度進行熱處理為佳。再者，該熱處理溫 度，從前述之層間絕緣膜之熱分解的問題來看以設定在 2 5 (TC Μ下為佳。 另外，關於汲極電極與圖素電極ΙΤ0的電氣連接，有時 本紙张尺度诚川中國《家標呤（(’NS ) Λ4規格（2丨0X297公t ) I~1 „ _ --：----i-----裝------訂---.---——線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :|^"邓中决桴卑局妇-T消於合刊社印f 406311 A7 B7

經滴部屮失標枣局只-1·消合竹社印W 五、發明説明 (15 ) 1 1 設 置 與 汲 極 電 極 聯 繫 的 連 接 電 極 且 透 過 被 形 成 於 該 連 接 1 1 I 電 極 之 1 表 面 上 的 層 間 絕 緣 膜 之 接 觸 孔 採 取 與 ΙΤ0 之 電 氣 接 1 1 觸 0 此 情 況 亦 與 本 實 施 形 態 1相同藉由對前述連接電極之 锖 先 1 接 觸 孔 表 面 進 行 表 面 處 理 就 可 達 與 本 發 明 同 等 的 效 果 (在 閲 讀 背 1 I 面 1 實 施 形 態 2〜5 中亦同） 〇 組 合 如 Μ 上 所 形 成 的 TFT 陣 列 基 之 注 1 V k' 1 1 板 飞 及 與 習 知 相 同 的 相 對 基 板 並 Μ 兩 基 板 夾 持 液 晶 材 料 事 St I 1 獲 再 } Μ 得 液 晶 顯 示 装 置 ϋ 在 TFT 陣 列 基 板 上 設 有 與 習 知 相 同 填 1 閘 寫 本 裝 的 極 配 線 及 源 極 配 線 本 發 明 之 TFT 係 在 閘 極 配 線 與 頁 ··__^ 1 源 極 配 線 之 交 叉 部 近 旁 形 成 矩 陣 狀 〇 又 9 在 相 對 基 板 上 設 1 1 有 相 對 電 極 或 漶 色 器 0 1 具 髒 例 1 1 訂 圖 3及圖4係 顯 示 本 發 明 之 實 施 形 態 2之TFT陣 列 基 板 之 製 1 | 造 方 法 的 概 略 截 面 說 明 圖 0 另 外 圖 3中 1 5為化學藥疲 1 1 9 關 於 其 他 與 圖 1及圖2所 示 之 部 分 相 同 的 部 分 附 上 相 同 的 1 J 元 件 編 號 加 Μ 顯 示 0 1 線 在 本 簧 胞 形 態 中 除 了 Μ 化 學 的 方 法 對 包 含 接 觸 孔 部 11 1 | 之 層 間 絕 緣 膜 1 0的 表 面 全 體 進 行 表 面 處 理 Μ 外 的 步 驟 與 圖 1 1 1所示之實施形態1 的 情 況 相 同 0 1 1 亦 即 本 實 施 形 態 中 之 圖 3 ( a ) 所 示 的 基 板 係 Μ 與 實 胞 1 i 形 態 1中之圖1 (a )相同的步驟所形成 ' 1 1 其 次 t 如 圖 3(b) 所 示 1 將 基 板 浸 漬 在 由 硝 酸 鈽 m 1 I (C e r i U m a m m 〇 η I u Π) η 1 t r a t e ) + 過 氯 酸 + 水 所 組 成 的 化 學 1 I 藥 液 1 5 内 並 將 包 含 接 觸 孔 部 11 之 層 間 絕 緣 膜 1 0的 表 面 全 1 1 I 體 進 行 化 學 的 表 面 處 理 0 1 1 本紙張尺廋诚川屮阈戌家標t ( (’NS ) Λ4規格（2丨OX297公釐） 18 - 406311 A7 B7 五、發明説明（16 ) 藉由該處理，露出於由鉻所構成的汲極電極8之接觸孔 部11表面的部分六會被蝕刻，同時殘留於接觸孔表面的異 f 1 物12可利用射出予Μ除去。 依化學藥液所進行的表面處理，雖然在接觸孔部之汲極 電極8完全被蝕刻之前會使之结束，但是Μ殘留至少其他 部分之汲極電極8的膜厚1/2Μ上的膜厚再使之结束者為佳。 最後經由實施形態1中之圖2所示之步驟相同的步驟，形 成圖素電極13Κ獲得圖4所示之液晶顯示装置TFT陣列。 圖素電極13雖是在接鳋锐部11之接觸面14上與汲極電極8 電氣連接，但是在本實施形態中，汲極電極8之接觸孔表 面由於可利用化學的蝕刻處理加以除去，所Μ成為接觸面 14之汲極電極δ的膜厚會變得比其他部分的膜厚舉更薄之 形態上的特徵。 如此所獲得的T F Τ陣列之接觸面1 4中的圖素電極1 3與汲 極電極8之接觸電阻值，會如表1所示*與在未作任何表面 處理的情況之1 0 Ε 8 Ώ比較，則可大幅減低至數1 0 Ε 4 Ω以下。 另外，本實施形態中雖係使用C r (鉻）作為閛極電極2、 共通電極3、且同樣使用Cr·(鉻）作為源極電極7、汲極電極 8，但是並沒有被限定於此，例如，亦可使用A 1 (鋁）、C u ( 綱>、Μ 〇 (鉬）等。當使用該等材料時，則Μ可賁現電阻比 值為.2 5 w Ώ · c m的低電阻電極及配線者為佳。 又，沒有必要Κ全部相同的金屬材科來構成閘極電極2 、共通電極3、源極電極7、汲極電極8，亦可以使用由該 金屬材料之中所選出的不同金屬之組合。 本紙張尺度洎川中國Κ!家梯彳（rNS ) Λ4規格（210Χ297公1 ) m .....tfft nn m^i m nn 1--- 一OJn^— I 1^1 ......mt (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 406311 A7 B7 經"部中欢榡卑局^:二消於合以社印*''i 五、發明説明 (17 ) 1 1 使 用 於 圖 4之化學的表面處理的化學藥液1 5 係必需使 1 1 I 用 可 化丨 學 蝕 刻 其 所 用 之 汲 極 電 極 8的金屬材料者 i 1 例 如 汲 極 電 極 8為鋁及鉬的情況可使用磷酸+硝酸+ 請 先 閱 1 I 醋 酸 + 水 系 為 銅 的 情 況 可 使 用 過 硫 酸銨 + 水 為 鉅 的情 讀 背 1 I 面 I 況 可 使 用 氟 酸 + 硝 酸 十 水 等 的 藥 液 0 之 1 V | t- 1 I 另 一 方 面 作 為 圖 素 電 極 13 除 了 I T 0膜之外亦可使用 事 項 1 1 t I 氧 化 銦 膜 及 氧 化 錫 膜 及 其 他 的 透 明 性 導電 膜 0 4 1 裝 寫 本 在 Μ 上 之 材 料 組 合 中 若 依 據 本 發 明之 實 施 形 態 則可 頁 1 I 實 現 低 於 10E3 Ω 之 低 值 Μ 作 為 接 觸 面 14中 之 接 觸 電 阻 值。 1 1 又 在 實 施 形 態 1中如表2所 示 圖 素電 極 之 透 明 導 電膜 1 成 膜 時 之 基 板 表 面 溫 度 係 Μ 設 定 在 250 °C未滿 而成膜後 1 訂 為 成 膜 時 之 基 板 表 面 溫 度 Μ 上 且 1501C Μ 上 250 °c Μ 下的 1 1 溫 度 進 行 熱 處 理 者 為 佳 ϋ 1 ί I 具 體 例 3 1 1 圖 5係顯示本發明之簧施形態3 之 TFT陣列基板之製造方 1 線 法 的 概 略 截 面 說 明 圖 〇 另 外 圖 5中 1 6為鈍化 1 1 (P a s si v a t 1 on )膜 1 7為光阻（p h 0 t or e s ί s t) 其 他 闞 於與 1 I 圖 1至圖4所 示 之 部 分 相 同 的 部 分 附 上 相同 的 元 件 编 號 加以 1 I 顯 示 0 1 1 如 圖 5 ( a ) 所 示 9 本 莨 施 形 態 之 特 徵 係在 於 在 形 成 由透 1 1 明 樹 脂 所 構 成 的 層 間 m 緣 膜 10 之 前 以電 漿 CVD等形成氮 1 1 化 矽 等 的 無 機 絕 緣 膜 當 作 純 化 瞑 1 6 〇 藉由 該 無 ΙΫ& 絕 m 膜所 1 I 構 成 的 鈍 化 膜 1 6來 保 護 ΤΡΤ之通道部9 ，就 可 獲 得 TFT之特 1 1 I 性 比 直 接 由 透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕緣 膜 之 情 況 m 稱定 1 1 本紙張尺度诚州十阈阄家標.今（（'化）/\4現格（210/297公釐） 20 406311 Μ Β7 經Μ部中决抒準^W-T消φ；合竹社印y 五、發明説明 (18 ) 1 1 的 效 果 0 1 1 1 以 氮 化 矽 作 為 鈍 化 膜 16 之接觸孔 部 11* 係 使用光阻 17當 1 作 光 罩 且 利 用 使 用 如 CF 4 + 〇 2氣體等的乾蝕刻法來形成 請 先 1 閱 I ， 之 後 剝 離 光 阻 17 0 讀 1 I 月 面 1 I 此 時 在 使 用 鉻 Λ 鋁 > 銅作為汲 極 電極 8的情況時會如 之 1 r 圖 3(b) 所 示 有 時 會 在 接 觸孔部11 之 汲極 電 極表面露 出部 事 1 項 上 留 下 殘 留 物 12 〇 此 為 包 含主要在 乾 蝕刻 時 所生成的 氟化 再 填 1 物 (f 1 U 0 Γ id e ) 之 異 物 〇 寫 本 頁 裝 1 因 而 之 後 > 如 圖 1 (a)所示設置 由 透明 性 樹脂膜所 構成 1 1 的 層 間 絕 緣 膜 10 且 在 形 成接觸孔 部 11之 後 的表面之 殘留 1 I 物 12 雖 會 殘 留 以 層 間 絕 緣膜成份 為 主成 份 者、及以 乾蝕 1 訂 刻 時 之 氟 化 物 為 主 成 份 者 之兩方， 但 是以 後 ，係藉由 與實 1 | 施 形 態 1之圖1 (b )至圖2或 是實施形 態 2之圖3 (b)至圖4所示 1 者 相 同 的 步 驟 而 獲 得 具 有所希望 之 低接 觸 電狙值的 液晶 1 [ 顯 示 装 置 用 TFT陣列 1 線 1 I 另 — 方 面 在 使 用 鉬 鉅Μ作為 汲 極電 極 8的情況 在 形 成 氮 化 矽 鈍 化 膜 16 之 接 觸孔部11 時 ，由 於 具有表面 同時 1 1 被 CF 4 + C 2氣體乾蝕刻的效果，所Μ圖5(b)中殘留物1 2幾 1 1 乎 不 殘 留 在 接 觸 孔 部 表 面 上。 1 1 因 而 之 後 如 圖 1 ( a ) 所示設置 由 透明 性 樹脂膜所 構成 1 I 的 層 間 絕 錄 膜 1 0 且 在 形 成接觴孔 部 1 1之 後 的表面之 殘留 1 I 物 1 2 會 以 層 間 絕 緣 膜 成 份作為主 成 份而 殘 留著。 1 1 I VX 後 f II 由 與 實 施 形 m 1之圖1 ( b )至圖2或 是實施形 態2 1 1 之 圖 3 ( b) 至 圖 4所示者相同的步驟 ，獲得具有所希望之低 1 1 本紙張尺度垧川中國阉窣標彳（（'NS ) Λ4規格（2!0Χ 297公釐） 21 406311 :¾消部中夾標準^u-x消合竹社印製 五、發明説明 (19 1 1 接 觸 電 胆 值 的 液 晶 顯 示 裝 置 用 TFT陣列c 1 1 具 體 例 4 1 圖 6係顯示本發明之實施形態4之 TFT陣列基板之製造方 請 1 1 先 法 的 概 略 截 面 說 明 圖 〇 另 外 9 圖 6中 關於與圖1至 圖 5所 閱 讀 1 背 1 示 之 部 分 相 同 的 部 分 附 上 相 同 的 元 件 編 號 加 K 顯示 0 面 之 1 [ 本 實 施 形 態 之 特 徵 雖 也 與 實 施 形 態 3相同係在於 在形 意 事 1 項 j 成 由 透 明 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 10 之 » t- 月U 形 成氮 化 矽等 # ii | 的 Μ 機 絕 緣 膜 當 作 鈍 化 膜 16 但 是 其 接 觸 孔 的 形成 步 驟不 寫 本 頁 裝 1 同 0 '·_^ 1 | 如 圖 6 ( a ) 所 示 Μ 電 漿 C V D法等形成例如由氮化矽等所 1 構 成 的 鈍 化 膜 1 6之 後 使 用 旋 轉 塗 佈 法 等 塗 佈 .烘 乾 由具 1 訂 有 躍 光 性 之 透 明 樹 脂 膜 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 再利 用 光蝕 1 刻 之 曝 光 顯 像 形 成 接 觸 孔 部 11 的 層 間 絕 緣 膜 10 c 1 ί 其 次 將 層 間 m 緣 膜 10 當 作 光 罩 使 用 例 如 CF4 + 0 2氣 1 J 體 等 的 乾 蝕 刻 法 Μ 蝕 刻 氮 化 矽 0 1 線 本 實 施 形 態 中 在 使 用 鉻 ·> 鋁 或 是 銅 kk 作 為 汲極 電 極8 1 的 情 況 於 圖 4(b) 所 示 之 接 觸 孔 部 11 的 汲 極 電 極8表面上 1 1 Μ 層 間 絕 緣 膜 成 份 為 主 的 異 物 和 Μ 氟 化 物 為 主成 份 的異 1 1 物 會 當 作 殘 留 物 12而 殘 留 著 0 1 I 又 在 使 用 鉬 > 钽 Μ 作 為 汲 極 電 極 的 情 況 在乾 蝕 刻使 1 | 用 CF 4 + C 2氣體的氮化矽時 由於可Μ同時乾蝕刻鉬 15 1 1 的 表 面 所 Μ 以 氟 化 物 為 主 成 份 的 異 物 不 會 殘 留- 而 只有 1 1 在 之 後 之 圖 1(a) 的 步 驟 時 Μ 層 間 絕 緣 膜 成 份 為 主的 異 物才 1 1 會 當 作 殘 留 物 12殘 留 著 0 1 1 本紙張尺度讷州屮國K家（（’NS ) Λ4規格（210X 297公釐） '22 406311 ί77 經淖部十夾標零局^工消价合作社印；；★ 五、發明説明 (2Ό) 1 1 無 am 是 哪 一 種 情 況 * Μ 後 係 藉 由 與 實 施形態 1之圖1 (b) 1 1 至 圖 2或是實施形態2之 圖 3(b) 至 圖 4所示者相同的步驟， 1 而 獲 得 具 有 所 希 望 之 低 接 觸 電 姐 值 的 液 晶顯示 装置用 TFT /·—N 請 1 1 閱 I 陣 列 0 ik 1 背 1 具 體 例 5 面 之 1 注 r 圖 7係顯示本發明之實施形態5 之 TFT陣列基板之製造方 意 事 1 項 \ 法 的 概 略 截 面 說 明 圖 〇 另 外 9 圖 7中 關於與圖1、2， 3及 再 1 窍 裝 1 圖 4所示之部分相同的部分附上相同的元件編號加以顯示。 本 頁 本 實 施 形 態 之 特 徵 3A 雖 也 與 實 施 形 態 3及實施形態4相 同係 SW 1 1 在 於 在 形 成 由 透 明 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕緣膜 10之前 ，形 1 I 成 氮 化 矽 等 的 無 機 絕 緣 膜 當 作 鈍 化 膜 16 ，但是 其接觸 孔的 1 訂 形 成 步 驟 更 加 不 同 特 別 是 適 於 使 用 非 感光性 之透明 性樹 1 脂 kk 作 為 層 間 絕 緣 膜 10的 情 況 〇 1 先 如 圖 7(a) 所 示 以 電 漿 C V D法等形成洌如由氮化矽 1 i 等 所 構 成 的 鈍 化 膜 16 9 接 著 使 用 旋 轉 塗 佈法等 塗佈· 烘乾 1 線 由 非 雖 光 性 之 透 明 樹 脂 膜 所 構 成 的 層 間 絕緣膜 10 Q 1 I 其 次 利 用 光 蝕 刻 法 形 成 光 阻 17M 作 為 接觸孔 部1 1形 成用 1 1 的 光 罩 0 1 1 其 次 將 光 阻 1 7 當 作 光 罩 使 用 例 如 CF 4 + 0 2氣體等的 1 1 乾 蝕 刻 法 連 m 蝕 刻 層 間 絕 緣 膜 10與 鈍 化膜· 之後剝 離光 1 I 阻 1 7 0 此 情 況 仍 如 前 述 所 示 * 在 使 用 鉬 、钽以 外之鉻 、鋁 \ 1 I ·、 銅 的 情 況 時 於 圖 6 ( b ) 所 示 之 接 觸 孔 部1 1的 汲極電 極8 1 1 表 面 上 K 氟 化 物 為 主 成 份 的 異 物 當 作 殘 留物1 2而殘留 著。 1 1 Μ 後 9 藉 由 與 實 施 形 態 1之圖1 (b )至圖2或 是實施 形態 1 1 本紙張尺廋滴州屮國《家^^((’阽）/\4規格（2丨0'_>< 297公釐） -23 A7 B7 經濟部屮次榡本局貝工消货合作社印於 五、發明説明（21 ) 1 1 2之圖3 (b )至圖4所示 者 相 同 的 步 驟 ，而 獲 得 具 有 所 希 望 之 1 1 I 低 接 觸 電 阻 值 的 液 晶 顯 示 裝 置 用 TFT陣列 1 又 1 1 將 光 姐 17當作光罩 ) 使 用 例 如CF 4 * -0 2氣體等連鑛 請 1 I 先 閱 I 蝕 刻 層 間絕緣膜1 0與鈍化膜 Μ 作 為 本實 施 形 態 另 __. 涸 過 讀 背 1 I 1 I 程 之 後 以 未 剝 離 仍 貼 附 著 光 阻 之 狀態 進 行表1所示之 之 1 注 t 物 理 的 表 面 處 理 Λ 或是實施形態2所記載之化學的表面處 意 事 1 項 } 理 0 之 後 剝 離 光 阻 17 0 再 填 1 寫 裝 1 若 依 據 本 方 法 則 由 於接觸孔部11之 表 面 以 外 之 層 間 絕 本 頁 緣膜1 0的表面被光阻 17所覆蓋 所 以不 會 對 層 間 絕 錄 膜 表 1 1 面 帶 來 物 理 的 化 學 的 處 理 之 影 響 ，而 可 獲 得 只 使 接 觸 孔 1 表 面 清 靜 化 的 本 發 明 之 效 果 〇 1 訂 另 外 並 不 限 定 於 本 霣 施 形 態 即使 在 實 施 形 態 1〜5 f 1 1 亦 可 在 層 間 絕 緣 膜 10及鈍化膜16上形成接觸孔部 11後 重 1 1 新 設 置 光 阻 層 Μ 覆 蓋 除 接觸孔部11之 外 的 層 間 絕 緣 膜 10 1 J 表 面 全 體 之 後 藉 由 進 行 物 理 的 化學 的 表 面 處 理 就 可 1 線 只 使 接 觸 孔 部 清 淨 化 〇 1 I 另 外 從 前 述 之 實 施 形 態 1至實施形態5中 雖 係 顯 示 使 1 1 用 非 晶 矽 Μ 作 為 半 導 體 層 的 情 況 但是 亦 可 為 多 晶 矽 0 1 1 Μ 上 係 分 別 使 用 依 實 施 形 態 2〜5所得的液 晶 顯 示 装 置 1 1 用TFT陣列基板就可與實施形態1相 同獲 得 本 發 明 之 液 晶 顯 1 I 示 裝 置 0 1 1 I 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方法 * 因 具 有 在 透 明 1 1 I 絕 緣 性 基 板 上 依 序 設 置 閘 極 電 極 閘極 絕 緣 膜 .、 半 導 體 層 1 I 、 源 極 電 極 及 汲 極 電 極 Μ 形 成 薄 膜 電晶 體 的 步 驟 : 於 » 刖 述 1 1 本紙張尺度诚川中闽网家標屮（（'NS ) Λ4規格（210'Χ 297公釐） ~ 24 406311 A7

¾忒部屮央標淖而員工消於合社印V 五、發明説明（22) 1 I 透 明 絕 緣 性 基 板 上 形 成 由 表 面 被 平 坦 化 之 透 明 性 樹 脂 所 構 1 1 I 成 的 層 i 間 絕 緣 膜 以 消 除 起 因 於 該 薄 膜 電 晶 體 區 域 之 段 差 部 1 的 步 驟 » 於 該 層 間 絕 緣 膜 之 前 述 汲 極 電 極 的 上 部 設 置 接 觸 請 1 I 先 閱 I 孔 > 且 在 該 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 由 透 明 専 電 膜 所 構 成 的 圖 素 讀 背 1 1 1 電 極 俾 使 之 透 過 該 接 觸 孔 與 下 部 之 汲 極 電 極 電 氣 連 接 的 步 1 鲰 1 驟 並 包 含 有 在 前 述 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 接 觸 孔 之 後 為 了 意 事 1 1 項 ί 1 使 接 觸 部 表 面 清 靜 化 而 對 包 含 露 出 於 該 接 觸 孔 部 之 前 述 下 再 填 寫 本 頁 裝 1 部 汲 極 電 極 表 面 的 基 板 表 面 進 行 表 面 處 理 的 步 驟 所 以 可 達 使 透 、-m. 適 接 觸 孔 之 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 好 1 1 的 效 果 〇 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 將 前 述 接 觸 1 訂 孔 設 在 與 前 述 汲 極 電 極 聯 繫 的 連 接 電 極 之 上 部 所 以 可 達 1 開 展 接 觸 部 之 位 置 的 布 局 設 計 之 S 由 度 的 效 果 〇 1 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 更 包 含 有 形 1 1 成 接 觸 孔 郜 之 後 在 除 —y 該 接 觸 孔 部 表 面 之 前 述 層 間 絕 緣 1 線 膜 的 表 面 全 體 上 覆 蓋 光 阻 的 狀 態 下 進 行 前 述 表 面 處 理 之 1 I 後 除 去 光 阻 的 步 驟 所 Μ 不 會 對 接 觸 孔 部 以 外 的 層 間 絕 1 1 緣 膜 之 表 面 帶 來 影 響 而 可 達 只 使 接 觸 孔 部 清 靜 化 的 效 果。 1 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 > 由 於 係 依 物 理 的 1 1 方 法 及 化 學 的 方 法 中 之 至 少 一 方 進 行 前 述 表 面 處 理 9 所 1 I 可 達 使 透 過 接 觸 孔 之 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 1 I 好 的 效 果 0 1 1 I 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 製 造 方 法 » 由 於 使 用 由 氧 1 1 電 漿 處 理 氮 電 漿 處 理 .、 氣 電 m 處 理 、 氮 離 子 植 人 V 硼 離 1 1 本紙張尺度適川巾國囤家梢彳（（’NS ) Λ4规格（210Χ 297公釐） -25 406311 A7 B7 經"部屮次樣準而β-1消价合竹社印y 五、發明説明（23) 1 1 子 植 入 及 氫 離 子 植 入 之 中 所 選 出 的 至 少 — 個 方 法 t 作 為 依 1 1 前 述 物 1 理 的 方 法 Μ 進 行 表 面 處 理 的 步 驟 所 Μ 可 達 使 透 過 1 接 觸 孔 之 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 好 的 效 果 0 請 先 閱 讀 背 1 辟妗本發明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 係 使 用 Μ 可 對 1 1 與 前 述 圖 素 電 極 連 接 之 下 部 的 汲 極 電 極 蝕 刻 之 氣 體 的 乾 蝕 之 注 1 Γ 刻 將 表 面 輕 蝕 刻 的 方 法 作 為 依 前 述 物 理 的 方 法 以 進 行 表 意 事 1 1 項 1 1 面 處 理 的 rf- 驟 所 Μ 可 達 確 實 使 接 觸 部 表 面 清 靜 化 的 效 果。 再 填 寫 裝 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 係 使 用 由 氧 本 頁 電 漿 處 理 氮 電 漿 處 理 、 氨 電 漿 處 理 Λ 氮 離 子 植 入 \ 砸 離 1 1 子 植 入 及 氫 離 子 植 人 之 中 所 選 出 的 至 少 — 個 方 法 作 為 依 1 前 述 物 理 的 方 法 Μ 進 行 表 面 處 理 的 步 驟 所 ΡΛ 可 達 使 透 過 1 訂 接 觸 孔 之 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 好 的 效 果 、 1 1 與 使 用 Μ 可 對 與 前 述 圖 素 電 極 連 接 之 下 部 的 汲 極 電 極 蝕 刻 1 L 1 之 氣 體 的 乾 蝕 刻 將 表 面 輕 蝕 刻 的 方 法 作 為 依 前 述 物 理 的 1 1 方 法 Μ 進 行 表 面 處 理 的 步 驟 所 Μ 可 達 確 實 使 接 觸 部 表 面 1 線 清 靜 化 的 效 果 0 1 I 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 > 由 於 係 使 用 可 1 1 對 與 前 述 圖 素 電 極 連 接 下 部 的 汲 極 電 極 鈾 刻 之 m 液 將 表 1 1 面 輕 蝕 刻 的 方 法 » 作 為 依 前 述 化 學 的 方 法 Μ 進 行 表 面 處 理 1 1 的 步 驟 » 所 Μ 可 達 確 簧 使 接 觸 部 表 面 清 靜 化 的 效 果 0 1 I 關 於 本 發 明 之 m 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 1 由 於 Λ 1. 刖 述 汲 極 電 1 1 | 極 膜 厚 中 1 係 透 過 由 前 述 透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 1 1 緣 m 之 接 觸 孔 與 圖 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 之 m 厚 * 做 得 比 1 1 其 他 部 分 的 膜 厚 堪 更 m 9 所 可 達 使 透 過 接 觸 孔 之 汲 極 電 1 1 本紙張尺度询州屮國K家標彳（rNS ) Λ4規格（2丨0X 297公釐） 406311 B7 經淆部中次標"^9-τ消贽合竹社印f 五、發明説明（24 ) 1 1 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 好 1 且 確 實 使 接 觸 部 表 面 清 1 1 靜 化 的 效 果 0 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 前 述 連 接 電 請 1 極 之 膜 厚 之 中 9 係 透 過 由 前 述 透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層 間 絕 閱 背 1 I 緣 膜 接 觸 孔 與 圖 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 之 膜 厚 做 得 比 I 1 1 其 他 部 分 的 膜 厚 還 更 薄 所 Μ 可 達 使 透 過 接 觸 孔 之 汲 極 電 事 項 1 1 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 好 且 確 實 使 接 觸 部 表 面 清 再 填 I 靜 化 的 效 果 0 寫 本 頁 裝 I 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 在 前 逑 圖 素 I I 電 極 之 形 成 中 更 包 含 在 形 成 透 明 導 電 膜 之 後 以 該 透 明 I 導 電 膜 之 成 膜 溫 度 上 的 溫 度 進 行 熱 處 理 之 後 進 行 圖 型 化 I 訂 9 Μ 形 成 圖 素 電 極 的 步 驟 所 Μ 更 可 增 進 達 到 使 透 過 接 觸 I 1 孔 之 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 好 的 效 果 0 1 i 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 前 述 透 明 導 1 '1 電 膜 之 熱 處 理 溫度為1 5 0°C以上2 5 (TC 下 所 Μ 更 可 增 進 1 線 達 到 使 透 過 接 觸 孔 之 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 接 觸 良 1 I 好 的 效 果 0 1 1 I 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 S 由 於 更 包 含 有 在 1 1 形 成 前 述 層 間 錄 膜 之 前 > 形 成 用 以 保 護 前 述 薄 膜 電 晶 體 1 1 之 通 道 部 之 氮 化 矽 膜 的 步 驟 » 以 及 在 與 前 述 下 部 之 汲 極 電 1 | 極 之 圖 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 該 氮 化 矽 膜 上 形 成 接 觸 孔 1 I 的 步 驟 * 所 Μ 可 達 使 透 過 接 觸 孔 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 1 1 電 氣 的 接 觸 良 好 * 且 更 帶 來 TFT 特 性 之 提 高 與 m 定 化 的 效 1 1 果 0 1 1 本紙悵尺度谪州屮國阄家標彳（（'NS)A4規格（2iOX297公釐） 406311 A7 B7 經滴部中次標^^H-T;/ifrAt^il.w 五、發明説明（25 ) 1 i 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 更 包 含 有 在 1 1 1 形 成 月U 述 層 間 絕 緣 膜 之 前 形 成 用 Μ 保 護 前 述 薄 膜 電 晶 體 1 之 通 ( 道 部 之 氮 化 矽 膜 的 步 驟 以 及 在 與 前 述 連 接 電 極 之 圖 請 1 1 先 閱 1 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 之 該 氮 化 矽 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 步 驟 讀 背 1 1 > 所 Μ 可 達 使 透 m 接 觸 孔 之 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 電 氣 的 面 1 f 接 觸 良 好 且帶來TFT 特 性 之 提 高 與 穩 定 化 更 展 開 接 觸 意 事 項 1 i 部 之 位 置 布 局 設 計 (1 a y 0 υ t ) 之 白 由 度 的 效 果 0 再 填 寫 本 頁 1 1 裝 1 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 更 包 含 有 在 形 成 前 逑 層 間 絕 緣 膜 之 前 形 成 用 保 護 前 述 薄 膜 電 晶 體 1 1 之 通 道 部 之 氮 化 矽 膜 的 步 驟 其 次 形 成 前 述 層 間 絕 緣 膜 的 1 步 驟 在 與 下 部 之 汲 極 電 極 之 圖 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 之 1 訂 該 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 步 驟 ; Κ 及 將 該 接 觸 孔 形 成 1 | 後 之 層 間 絕 緣 膜 當 作 光 罩 Μ 在 前 述 氮 化 矽 膜 上 形 成 接 觸 孔 1 ί 的 步 驟 所 以 可 達 不 需 要 新 的 光 阻 光 罩 就 可 簡 單 形 成 接 觸 1 J 孔 的 效 果 0 1 線 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 更 包 含 有 在 1 I 形 成 前 述 層 間 絕 緣 膜 之 前 形 成 用 Μ 保 護 前 述 薄 膜 電 晶 體 1 1 之 通 道 部 之 氮 化 矽 膜 的 步 驟 其 次 形 成 前 述 層 間 絕 緣 膜 的 1 1 步 驟 在 與 前 述 連 接 電 極 之 圖 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 之 該 1 1 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 步 驟 以 及 將 該 接 觸 孔 形 成 後 1 I 之 層 間 絕 Ϊ% 膜 當 作 光 罩 Μ 在 前 述 氮 化 δ夕 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 1 I 步 驟 所 Μ 可 達 展 開 接 觸 部 之 位 置 布 局 設 計 (1 a y 0 U t ) 之 自 1 1 I 由 度 t 更 不 需 要 新 的 光 阻 光 罩 就 可 簡 單 形 成 接 觸 孔 的 效 果。 1 1 關 於 本 發 明 -y 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 t 由 於 刖 述 汲 掻 電 1 1 本紙張尺度洎圯中國阀家標彳（（'NS ) Λ4規格（210X297公釐） -28 406311 B7 經",部中史標^工消贽合作社印$'- 五、發明説明 (26 ) 1 1 極 t 係 由 A 1 (鋁） ·、 C r (鉻） Cu (銅） Mo (鉬） 、 Ta (钽） 及 包 1 1 含 該 等 至 少 二 種 金 鼷 的 合 金 之 中 所 選 出 之 至 少 一 種 的 材 料 1 所 構 成 9 更 且 前 述 圖 素 電 極 係 由 氧 化 銦 ·、 氧 化 錫 及 ΙΤ0 /«—V 請 1 | 先 (銦錫氧化物） 之 中 所 選 出 之 至 少 一 種 材 料 所 構 成 所 VX 可 閲 讀 1 背 1 達 減 低 配 線 電 阻 與 接 觸 電 阻 且 提 高 TFT 陣 列 之 品 質 的 效 面 之 1 注 f 果 0 意 事 1 項 i 關 於 本 發 明 之 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 由 於 前 述 連 接 電 再 4 1 寫 裝 1 極 係 由 A 1 (鋁） Cr (鉻） C υ (銅） Mo (鉬） Ta (钽）及 包 本 頁 含 該 等 至 少 二 種 金 靥 的 合 金 之 中 所 選 出 之 至 少 一 種 的 材 料 1 1 所 構 成 更 且 前 逑 圖 素 電 極 係 由 氧 化 絪 、 氧 化 錫 及 ΙΤ0 1 I (絪錫氧化物） 之 中 所 選 出 之 至 少 一 種 材 料 所 構 成 所 Μ 可 1 訂 達 展 開 接 觸 部 之 位 置 布 局 設 計 (1 ay 0 U t ) 之 自 由 度 更 進 步 減 低 配 線 電 阻 與 接 觸 電 阻 且 提 高 TFT 陣 列 之 品 質 的 效 1 1 果 0 1 I 闞 於 本 發 明 之 液 晶 顯 示 裝 置 由 於 其 具 備 有 透 明 性 絕 1 線 緣 基 板 於 申 請 專 利 範 圍 第 1項所記載之薄膜電晶體在閘 1 極 配 線 與 源 極 配 線 之 交 叉 部 近 旁 被 形 成 矩 陣 狀 而 成 者 以 1 1 及 相 對 基 板 至 少 設 有 相 對 電 極 及 濾 色 器 用 Μ 夾 持 前 述 1 1 透 明 絕 緣 性 基 板 與 液 晶 所 Μ 可 達 獲 得 圖 素 電 極 在 層 間 絕 1 | 緣 膜 上 被 平 坦 化 之 高 開 □ 率 9 且 使 汲 極 電 極 與 圖 素 電 極 之 1 I 電 氣 的 接 觸 良 好 之 高 性 能 的 液 晶 顯 示 装 置 之 效 果 〇 1 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度鸿川中國K家標彳（rNS ) Λ4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 406311 S D8 A8 經濟部中央梂率局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 1 1 . —· 種 液 晶 顯 示 裝 置 用 薄 膜 電 晶 體 之 製 造 方 法 其 具 有 1 1 I : 在 透 明 絕 緣 性 基 板 上 依 序 設 置 閛 極 電 極 Λ 閛 極 涵 緣 m Λ 1 半 m 體 層 源 極 電 極 及 汲 極 電 極 以 形 成 薄 膜 電 晶 體 的 步 驟 請 先 1 閱 I » 於 前 述 透 明 m 緣 性 基 板 上 形 成 由 表 面 被 平 坦 化 之 透 明 性 讀 背 1 I 樹 脂 Λ 1 | 所 構 成 的 層 間 絕 緣 膜 消 除 起 因 於 該 薄 膜 電 晶 體 區 域 之 I 注 之 段 差 部 的 步 驟 於 該 層 間 絕 緣 膜 之 前 述 汲 極 電 極 的 上 部 事 1 項 ί 設 置 接 觸 孔 且 在 該 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 由 透 明 導 電 膜 所 構 再 填 1 寫 士 裝 成 的 圖 素 電 極 俾 使 之 透 過 該 接 觸 孔 與 下 部 之 汲 極 電 極 電 氣 頁 1 連 接 的 步 驟 f 並 包 含 有 在 前 述 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 接 觸 孔 之 1 1 後 為 了 使 接 觸 部 表 面 清 靜 化 而 對 包 含 露 出 於 該 接 觸 孔 部 1 之 刖 述 下 部 汲 極 電 極 表 面 的 基 板 表 面 進 行 表 面 處 理 的 步 驟。 1 訂 2. 如 申 請 專 利 範 圍 第 1項之液晶顯示裝置用薄膜電晶體 1 | 之 製 造 方 法 係 將 刖 述 接 觸 孔 設 在 與 前 述 汲 極 電 極 聯 繫 的 1 連 接 電 極 之 上 部 〇 1 ! 3 . 如 請 專 利 範 圍 第 1項之液晶顯示裝置用薄膜電晶體 1 線 1 1 之 製 造 方 法 更 包 含 有 形 成 接 觸 孔 部 之 後 在 除 了 該 接 觸 孔 部 表 面 之 前 述 層 間 絕 緣 膜 的 表 面 全 體 上 覆 蓋 光 阻 的 狀 態 1 1 下 進 行 前 述 表 面 處 理 之 後 除 去 光 阻 的 步 驟 0 1 1 4. 如 申 請 專 利 範 圍 第 3項之液晶顯示装置用薄膜電晶體 1 1 之 製 造 方 法 係 依 物 理 的 方 法 及 化 學 的 方 法 中 之 至 少 — 方 1 | 進 行 前 述 表 面 處 理 0 1 I 5 . 如 甲 請 專 利 範 画 第 4項之液晶顯示裝置用薄膜電晶體 1 1 1 之 製 造 方 法 係 使 用 由 氧 電 漿 處 理 、 氮 電 漿 處 理 氛 電 漿 1 1 處 理 、 氮 離 子 植 入 \ 硼 離 子 植 人 及 Μ 離 子 植 入 之 中 所 選 出 1 1 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Μ規格（210X297公釐） 8 88 8 ABCD 406311 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 的 至 少 一 個 方 法 » 作為依前 述 物 理 的 方 法 以 進 行 表 面 處理 1 1 | 的 步 驟 〇 1 6 . 如 串 請專利範圍第4項之液晶顯示装置用薄膜電晶體 /«—V 請 1 I 先 閲 1 -V 製 造 方 法 係 使 用可對與 前 述 圖 素 電 極 連 接 之 下 部 的汲 讀 背 1¾ 1 1 I 極 電 極 進 行 蝕 刻 之 氣體的乾 蝕 刻 將 表 面 輕 蝕 刻 的 方 法 ，Μ 之 1 注 ί 意 作 為 依 前 述 鞠 理 的 方法進行 表 面 處 理 的 步 驟 〇 事 1 項 1 I 7 . 如 申 請 專 利 範 圍第4項之液晶顯示裝置用薄膜電晶體 再 填 寫 本 頁 裝 I 之 製 造 方 法 係 使 用組合申 請專利範圍第5項所記載之方 法 與 申 請專利範圍第6項所記載之方法的方法 作為依前 I I 述 物 理 的 方 法 Μ 進 行表面處 理 的 步 驟 〇 I 8 . 如 申 請專利範圍第4項之液晶顯示裝置用薄膜電晶體 I 1 訂 之 製 造 方 法 係 使 用可對與 前 述 圖 素 電 極 連 接 之 下 部 的汲 I I 極 電 極 進 行 蝕 刻 之 藥液將表 面 輕 蝕 刻 的 方 法 Μ 作 為 依前 1 述 化 學 的 方 法 進 行 表面處理 的 步 驟 〇 1 J 9 . 如 申 請專利範圍第1項之液晶顯示裝置用薄膜電晶體 1 線 1 I 之 製 造 方 法 前 述 汲極電極 之 膜 厚 之 中 將 透 過 由 前 述透 明 性 樹 脂 所 構 成 的 層間絕緣 膜 之 接 觸 孔 與 圖 素 電 極 電 氣連 1 1 接 的 部 分 之 膜 厚 做得比其 他 部 分 的 膜 厚 遷 更 薄 0 1 1 10 .如申請專利範圍第1項 之 液 晶 顯 示 裝 置 用 薄 膜 電 晶體 1 1 之 製 造 方 法 t 在 前 述圖素電 極 之 形 成 中 更 包 含 在 形 成透 1 I 明 導 電 膜 之 後 以 該透明導 電 膜 之 成 膜 溫 度 Μ 上 的 溫 度進 1 1 I 行 埶 處 理 之 後 進 行 圖型化， Μ 形 成 圖 素 電 極 的 步 驟 0 I 1 t 11 .如申請專利範圍第9項之 液 晶 顯 示 裝 置 用 薄 膜 電 晶體 1 1 之 製 造 方 法 * 前 述 透明導電 膜 之 熱 處 理 溫 度 為 1 50°C Μ 上 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 六、申請專綱蠢11 1 1 I 2 5 0 °C以下 0 1 1 1 12 .i ί0申請專利範圍第1項 之 液 晶 顯 示 裝 置 用 薄 膜 電 晶 體 | 之 製 造 方 法 9 更 包 含 有 在形 成 前 述 層 間 絕 緣 膜 之 前 S 形 成 請 先 閱 I 用 保 護 Λ-t- 刖 述 薄 膜 電 晶 體之 通 道 部 之 氮 化 矽 膜 的 步 驟 » 讀 背 ί] 1 1 | 及 在 與 前 述 下 部 之 汲 極 電極 之 圖 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 之 之 注 1 I I 意 該 氮 化 矽 膜 上 形 成 接 觸 孔的 步 驟 0 事 項 1 j 再 \ | 13 .如申請專利範圍第1項之液 晶 顯 示 裝 置 用 薄 膜 電 晶 體 4 % 本 1 裝 之 製 造 方 法 9 更 包 含 有 在形 成 前 述 層 間 絕 (t>C 緣 膜 之 前 f 形 成 頁 1 I 用 保 護 前 述 薄 膜 電 晶 體之 通 道 部 之 氮 化 矽 膜 的 步 驟 其 1 | 次 形 成 前 述 層 間 m ΑΆ. 緣 膜 的步 驟 在 與 下 部 之 汲 極 電 極 之 圖 1 素 電 極 電 氣 連 接 的 部 分 之該 層 間 絕 緣 膜 上 形 成 接 觸 孔 的 步 1 訂 驟 Μ 及 將 該 接 觸 孔 形 成後 之 層 間 絕 緣 膜 當 作 光 罩 Η 在 前 1 1 述 氮 化 矽 膜 上 形 成 接 觸 孔的 步 驟 0 1 I 14 .如申請專利範圍第1項 之 液 晶 顯 示 装 置 用 薄 膜 電 晶 體 1 1 | 之 製 造 方 法 其 中 前 述 汲極 電 極 係、 由 A1 (鋁） C r (鉻） 1 線 Cu (銅） 、 Mo (鉬） Λ Ta (鉅）及包含該等至少二種金屬的合金 1 1 之 中 所 選 出 之 至 少 一 種 的材 料 所 構 成 9 更 且 前 述 圖 素 電 極 1 1 > 係 由 氧 化 絪 氧 化 錫 及IT0 (絪錫氧化物）之 中 所 選 出 之 1 I 至 少 一 種 材 料 所 構 成 0 1 1 1 15 -種液晶顯示裝置，其具備有 透明性絕緣基板 1 1 於 申 請 專 利 範 圍 第 1項所記載之薄膜電晶體在閘極配線與 1 1 源 極 配 線 之 交 叉 部 近 旁 被形 成 矩 陣 狀 而 成 者 * , Μ 及 相 對 基 1 1 板 9 至 少 設 有 相 對 電 極 及濾 色 器 r 用 >λ 夾 持 1 J,. 刖 述 透 明 絕 緣 1 I 性 基 板 與 液 晶 而 成 者 0 1 1 本紙張尺度逋用中國國家梂準（CNS >.A4规格（210X297公釐） 3 一勹一