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CN108120915B - 应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统 - Google Patents
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应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，通过根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。

Description

应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)器件制作过程中，OLED器件成型后需对OLED器件中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)进行老化(Aging)处理，简称TFT-Aging，以达到消除亮点且保证TFT特性稳定的目的。目前在进行TFT-Aging处理时，通过给OLED器件加载固定的电压值，形成较大的应力(Stress)作用于TFT上，从而达到老化效果。老化效果与Stress相关，适中的Stress可使得OLED器件良品率提高和TFT特性稳定性提高。
现阶段TFT-Aging是通过给TFT写入固定的电压值，形成固定的Stress(Vgs和Vds)作用于TFT上，通过多次调试，最终得到理想的Aging Stress。但是由于现有产品TFT特性离散型较大，单一固定的Aging Stress无法使所有产品均达到好的老化效果，Stress过大、过小都会造成TFT漏电而产生亮点和无法保证TFT特性稳定性。
发明内容
本发明实施例提供一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，用以解决现有技术中存在的单一固定的Aging Stress无法使所有产品均达到好的老化效果的问题。
本发明实施例提供的一种应用于显示面板的老化处理方法，包括：
对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述晶体管的初始特性曲线；
根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；
根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大所述晶体管的截止电压范围；
根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，具体包括：
根据所述初始截止电压范围确定所述晶体管对应的参考截止电压范围；
以所述参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；
将所述参考栅源电压和所述参考漏源电压施加于所述晶体管后获取所述晶体管当前的特性曲线；
确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求；
若获取的所述晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大所述参考截止电压范围，并以增大后的所述参考截止电压范围为目标截止电压范围；
直到所述晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：
确定点亮所述显示面板时所述晶体管所需的栅源电压是否在所述晶体管当前的截止电压范围内；
若是，则满足要求；
若否，则不满足要求。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，所述获取该晶体管的初始特性曲线，具体为：
根据预先获取的所述晶体管的特性测试结果模拟所述晶体管的初始特性曲线。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，预先获取的所述晶体管的特性测试结果是所述显示面板在进行阵列基板测试时获得的。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理，具体为：
根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；
将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各所述晶体管进行老化处理。
相应地，本发明实施例还提供了一种应用于显示面板的老化处理系统，包括：
分析模块，用于对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述晶体管的初始特性曲线；并根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；
电压确定模块，用于根据所述初始截止电压范围，确定所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大所述晶体管的截止电压范围；
测试模块，用于根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，所述电压确定模块具体用于：
根据所述初始截止电压范围确定所述晶体管对应的参考截止电压范围；
以所述参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；
将所述参考栅源电压和所述参考漏源电压施加于所述晶体管后获取所述晶体管当前的特性曲线；
确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求；
若获取的所述晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大所述参考截止电压范围，并以增大后的所述参考截止电压范围为目标截止电压范围；
直到所述晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，所述电压确定模块用于根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，所述电压确定模块用于确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：
确定点亮所述显示面板时所述晶体管所需的栅源电压是否在所述晶体管当前的截止电压范围内；
若是，则满足要求；
若否，则不满足要求。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，所述分析模块具体用于：
根据预先获取的所述晶体管的特性测试结果模拟所述晶体管的初始特性曲线。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，预先获取的所述晶体管的特性测试结果是所述显示面板在进行阵列基板测试时获得的。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，所述测试模块具体用于：
根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；
将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各所述晶体管进行老化处理。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的上述应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，通过根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的老化处理方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的晶体管的Id-Vg曲线的示意图；
图3为本发明实施例提供的TFT-Aging前后的Id-Vg曲线示意图；
图4为本发明实施例提供的老化处理方法中确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压的流程示意图；
图5a至图5b分别为采用不同Stress进行TFT-Aging前后的Id-Vg曲线示意图；
图6为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的老化处理系统的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种应用于显示面板的晶体管的老化处理方法，如图1所示，包括：
S101、对显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取晶体管的初始特性曲线；
S102、根据获取的初始特性曲线确定晶体管的初始截止电压范围；
S103、根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；
S104、根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。
本发明实施例提供的晶体管的老化处理方法，通过根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。
具体地，晶体管进行老化处理的目的是为了消除由于晶体管漏电产生的亮点，晶体管进行老化处理的原理是利用较大电压刺激晶体管，使其特性发生偏移，以达到延缓Id-Vg曲线的上翘区(漏电区)上翘，从而实现消除亮点且保证TFT特性稳定的作用。
具体地，晶体管的Id-Vg曲线如图2所示，横坐标表示栅极电压Vg，纵坐标表示漏电流Id，A点表示正向临界电压，B点表示负向临界电压。在点亮显示面板时晶体管所需的栅源电压Vgs如果位于TFT截止区，则说明可以消除亮点。反之，如果Vgs不在TFT截止区内，则说明无法完全消除亮点。
TFT-Aging前后的Id-Vg曲线如图3所示，进行TFT-Aging后可以使负向临界电压以及截止电压范围尽可能大。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，如图4所示，具体包括：
S401、根据初始截止电压范围确定晶体管对应的参考截止电压范围；
S402、以参考截止电压范围为目标截止电压范围；
S403、确定晶体管要达到目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；
S404、将参考栅源电压和参考漏源电压施加于晶体管后获取晶体管当前的特性曲线；
S405、确定获取的晶体管当前的特性曲线是否满足要求；
S406、若获取的晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大参考截止电压范围，并以增大后的参考截止电压范围为目标截止电压范围；
重复步骤S403～S405直到晶体管当前的特性曲线满足要求；
S407、将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为晶体管所需的栅源电压和漏源电压。
具体地，现阶段TFT-Aging是通过批量调试获得老化电压，一般针对同一型号的产品，先选一批产品进行测试，不弱测试结果不好，根据测试结果再选一批产品进行测试，通过多次调试，最终得到理想的Aging Stress，最终采用理想的Stress对同一型号的所有产品进行TFT-Aging。由于产品TFT特性离散型较大，单一固定的Aging Stress无法使所有产品均达到好的老化效果，Stress过大、过小都会造成TFT漏电而产生亮点和无法保证TFT特性稳定性。并且，需要大量的人力、测试样品和测试时间。
具体地，采用不合适的Stress进行TFT-Aging前后的Id-Vg曲线如图5a和图5b所示，其中图5a为Stress不足时的Id-Vg曲线，图5b为Stress过量时的Id-Vg曲线。
在本发明实施例提供的老化处理方法中，可以根据前期采用现有老化处理方法得到的数据得到参考截止电压范围。以一个晶体管为例，统计初始截止电压范围在某一范围时，该晶体管进行老化处理后对应的目标截止电压范围，根据统计的结果即经验值可以初略的确定一个截止电压范围作为参考截止电压范围，以该参考截止电压范围作为调试期间，逐渐增大参考截止电压范围最终的到目标截止电压范围。这样，在获得Aging Stress时，是从一个与目标截止电压范围比较接近的值开始调试，因此调试时间可以极大的缩短。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定晶体管要达到目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。
具体地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，可以根据前期采用现有老化处理方法得到的数据，例如在调试过程中，截止电压范围随着Stress的变化所具有变化趋势，大的Vgs可使负向临界电压变小，正向临界电压变大，即截止电压范围变大，而小的Vgs可使负向临界电压变大，正向临界电压变小，即截止电压范围变小。以及当每一次得到理想截止电压范围时，对应的Stress，即Vgs和Vds。从而根据这些数据可以得到一个关于晶体管的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系表，从而通过查表的方式，确定晶体管要达到目标截止电压范围所需的目标栅源电压和目标漏源电压。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，确定获取的晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：
确定点亮显示面板时晶体管所需的栅源电压是否在晶体管当前的截止电压范围内；
若是，则满足要求；
若否，则不满足要求。
在点亮显示面板时晶体管所需的栅源电压Vgs是一个固定值，如图2所示，如果Vgs位于TFT截止区，则说明无亮点存在，是满足要求的。反之，如果Vgs不在TFT截止区内，则说明无法完全消除亮点，是不满足要求的。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，获取该晶体管的特性曲线，具体为：
根据预先获取的晶体管的特性测试结果模拟晶体管的特性曲线。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，预先获取的晶体管的特性测试结果是显示面板在进行阵列基板测试时获得的。
在具体实施时，可以利用OLED显示面板中的阵列基板在进行阵列基板测试时获得的各晶体管的特性测试结果，根据各晶体管的特性测试结果模拟出各晶体管对应的特性曲线，例如图2所示的Id-Vg曲线。
具体地，阵列基板测试主要是对阵列基板中晶体管的电学参数(例如开启电压、截止电压、阈值电压、迁移率等)进行检测，来评估阵列基板的电学特性。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理方法中，根据确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理，具体为：
根据确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压，将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各晶体管进行老化处理。
下面以应用于手环中的OLED显示面板的为例说明本发明实施例提供的老化方法，手环中像素电路如图6所示，包括7个晶体管T1～T7。例如该OLED显示面板的像素电路中7个晶体管均需要进行老化处理。
步骤一、利用OLED显示面板中的阵列基板在进行阵列基板测试时获得的各晶体管的特性测试结果，根据各晶体管的特性测试结果模拟出各晶体管对应的初始Id-Vg曲线。
步骤二、根据获取的初始Id-Vg曲线确定晶体管的初始截止电压范围。
具体地，根据初始Id-Vg曲线中正向临界电压和负向临界电压确定晶体管的初始截止电压范围。
步骤三、根据经验值确定各晶体管的初始截止电压范围对应的参考截止电压范围；
步骤四、以该参考截止电压范围为目标截止电压范围，根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定各晶体管要达到目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；
步骤五、将参考栅源电压和参考漏源电压施加于晶体管后获取晶体管当前的Id-Vg曲线；
步骤六、通过当前的Id-Vg曲线确定点亮显示面板时晶体管所需的栅源电压是否在晶体管当前的截止电压范围内；
如果在，则此时的参考栅源电压和参考漏源电压作为晶体管所需的栅源电压和漏源电压；并根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各晶体管进行老化处理。
如果不在，则增大参考截止电压范围，并以增大后的参考截止电压范围为目标截止电压范围后重复执行步骤四至六，直至当前的Id-Vg曲线确定点亮显示面板时晶体管所需的栅源电压位于当前的截止电压范围内，并将此时的参考栅源电压和参考漏源电压作为晶体管所需的栅源电压和漏源电压；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各晶体管进行老化处理。
在具体实施时，根据本发明实施例获取的图6中各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压后，需要根据像素电路的具体结构确定像素电路的各信号端的电压，从而使显示面板进行老化处理时才能向各晶体管施加所需的Stress即Vgs和Vds。具体根据的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压后，确定像素电路的各信号端的电压的方法与现有方法相同，在此不作详述。
具体地，显示面板在进行老化处理时，像素电路中不同的晶体管的老化阶段是不同的，晶体管的老化处理阶段时在晶体管处于截止状态时进行的。以图6中的像素电路为例，在老化处理时像素电路经历复位阶段、数据写入阶段和发光控制阶段，其中，T2在复位阶段进行老化处理，T5和T6在数据写入阶段进行老化处理，T3和T4在数据发光控制阶段进行老化处理，T1和T7在数据写入阶段和发光控制阶段进行老化处理。
具体地，在图6所示的像素电路中，各晶体管对应的栅源电压Vgs和漏源电压Vds如下表1所示。
T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
Vgs CLK-Vint CLK-N2 N1-N2 CLK-Data CLK-VDD CLK-N3 CLK-N4
Vds N1-Vint N1-N2 N3-N2 N3-Data N2-VDD N4-N3 Vint-N4
表1.各晶体管对应的栅源电压和漏源电压的计算公式
具体地，像素电路在各阶段中，N1～N4节点的电位如下表2所示。
N1 N2 N3 N4
复位阶段 Vint 0 0 Vint
数据写入阶段 Data+Vth Data+Vth Data VSS
发光阶段 Data+Vth VDD VSS-Vth VSS
表2.像素电路在各阶段中N1～N4节点的电位
例如，根据本发明实施例提供的老化处理方法得到的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压，本领域技术人员可与推算出需要向像素电路的各信号端输入的电压如下表3所示。
CLK VGH VGL Vint Data VDD VSS
10/-7 10 -15 -4 10 3 -15
表3.像素电路的信号端对应的电压
其中，在表3中VGH表示Gate、EM或Reset为高电位时的电压，VGL表示Gate、EM或Reset为低电位时的电压。
在对显示面板进行老化处理时，按照表3中的电压向像素电路的各信号端输入电压，就可以使各晶体管在复位阶段、数据写阶段和发光阶段的Stress如下表4所示。
Figure GDA0002357573280000121
表4.像素电路的各晶体管在不同阶段对应的电压
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种应用于显示面板的老化处理系统，由于该老化处理系统解决问题的原理与前述一种老化处理方法相似，因此该老化处理系统的实施可以参见方法的实施，重复之处不再赘述。
具体地，本发明实施例提供的一种应用于显示面板的老化处理系统，如图7所示，包括：
分析模块01，用于对显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取晶体管的初始特性曲线；并根据获取的初始特性曲线确定晶体管的初始截止电压范围；
电压确定模块02，用于根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；
测试模块03，用于根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。
本发明实施例提供的上述老化处理系统，分析模块用于根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；电压确定模块用于根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；测试模块用于根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，电压确定模块具体用于：
根据初始截止电压范围确定晶体管对应的参考截止电压范围；
以参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定晶体管要达到目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；
将参考栅源电压和参考漏源电压施加于晶体管后获取晶体管当前的特性曲线；
确定获取的晶体管当前的特性曲线是否满足要求；
若获取的晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大参考截止电压范围，并以增大后的参考截止电压范围为目标截止电压范围；
直到晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为晶体管所需的栅源电压和漏源电压。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，电压确定模块用于根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定晶体管要达到目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，电压确定模块用于确定获取的晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：
确定点亮显示面板时晶体管所需的栅源电压是否在晶体管当前的截止电压范围内；
若是，则满足要求；
若否，则不满足要求。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，分析模块具体用于：
根据预先获取的晶体管的特性测试结果模拟晶体管的初始特性曲线。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，预先获取的晶体管的特性测试结果是显示面板在进行阵列基板测试时获得的。
可选地，在本发明实施例提供的老化处理系统中，测试模块具体用于：
根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；
将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各晶体管进行老化处理。
本发明实施例提供的一种应用于显示面板的老化处理方法及老化处理系统，通过根据显示面板中需要进行老化处理的晶体管的初始特性曲线，确定晶体管的初始截止电压范围；根据初始截止电压范围，确定晶体管所需的栅源电压和漏源电压，以增大晶体管的截止电压范围；根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。该方法中由于对各显示面板施加的老化处理电压是根据该显示面板中的晶体管获得的，因此老化处理后的效果好，能够有效保证工艺良率及产品TFT特性的稳定性。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种应用于显示面板的老化处理方法，其特征在于，包括：
对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述显示面板中所述晶体管的初始特性曲线；
根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；
根据所述初始截止电压范围确定所述晶体管对应的参考截止电压范围；
以所述参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；
将所述参考栅源电压和所述参考漏源电压施加于所述晶体管后获取所述晶体管当前的特性曲线；
确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求；
若获取的所述晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大所述参考截止电压范围，并以增大后的所述参考截止电压范围为目标截止电压范围；
直到所述晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压；
根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。
2.如权利要求1所述的老化处理方法，其特征在于，根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。
3.如权利要求1所述的老化处理方法，其特征在于，确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：
确定点亮所述显示面板时所述晶体管所需的栅源电压是否在所述晶体管当前的截止电压范围内；
若是，则满足要求；
若否，则不满足要求。
4.如权利要求1-3任一项所述的老化处理方法，其特征在于，所述获取该晶体管的初始特性曲线，具体为：
根据预先获取的所述晶体管的特性测试结果模拟所述晶体管的初始特性曲线。
5.如权利要求4所述的老化处理方法，其特征在于，预先获取的所述晶体管的特性测试结果是所述显示面板在进行阵列基板测试时获得的。
6.如权利要求1-3任一项所述的老化处理方法，其特征在于，根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理，具体为：
根据确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；
将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各所述晶体管进行老化处理。
7.一种应用于显示面板的老化处理系统，其特征在于，包括：
分析模块，用于对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管，获取所述晶体管的初始特性曲线；并根据获取的所述初始特性曲线确定所述晶体管的初始截止电压范围；
电压确定模块，根据所述初始截止电压范围确定所述晶体管对应的参考截止电压范围；以所述参考截止电压范围为目标截止电压范围，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压；将所述参考栅源电压和所述参考漏源电压施加于所述晶体管后获取所述晶体管当前的特性曲线；确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求；若获取的所述晶体管当前的特性曲线不满足要求，则增大所述参考截止电压范围，并以增大后的所述参考截止电压范围为目标截止电压范围；直到所述晶体管当前的特性曲线满足要求，并将满足要求时的参考栅源电压和参考漏源电压作为所述晶体管所需的栅源电压和漏源电压；
测试模块，用于根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，对所述显示面板中需要进行老化处理的晶体管进行老化处理。
8.如权利要求7所述的老化处理系统，其特征在于，所述电压确定模块用于根据预先获取的栅源电压、漏源电压和截止电压范围的对应关系，确定所述晶体管要达到所述目标截止电压范围时所需的参考栅源电压和参考漏源电压。
9.如权利要求7所述的老化处理系统，其特征在于，所述电压确定模块用于确定获取的所述晶体管当前的特性曲线是否满足要求，具体为：
确定点亮所述显示面板时所述晶体管所需的栅源电压是否在所述晶体管当前的截止电压范围内；
若是，则满足要求；
若否，则不满足要求。
10.如权利要求7-9任一项所述的老化处理系统，其特征在于，所述分析模块具体用于：
根据预先获取的所述晶体管的特性测试结果模拟所述晶体管的初始特性曲线。
11.如权利要求10所述的老化处理系统，其特征在于，预先获取的所述晶体管的特性测试结果是所述显示面板在进行阵列基板测试时获得的。
12.如权利要求7-9任一项所述的老化处理系统，其特征在于，所述测试模块具体用于：
根据所述确定的各晶体管所需的栅源电压和漏源电压，确定的各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压；
将各晶体管所需的栅极电压、源极电压以及漏极电压施加至对应的晶体管上，以对需要进行老化处理的各所述晶体管进行老化处理。
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