CN111443511A - 自电容式触控显示面板及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种自电容式触控显示面板及其驱动方法,该自电容式触控显示面板包括:第一基板,包括第一衬底、触控电极层、驱动电路层、以及像素电极层,触控电极层设置在第一衬底靠近驱动电路层的一侧,驱动电路层设置在触控电极层远离第一衬底的一侧,像素电极层设置在驱动电路层远离第一衬底的一侧;第二基板,与第一基板相对设置,包括第二衬底、以及公共电极层;液晶层,填充于第一基板和第二基板之间。实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;相比于外挂式触控显示面板,省去了钢化保护玻璃与贴合制程,节省了成本;相比于传统内嵌式触控显示面板,突破了电极只能采用共用电极复用方式的限制;灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种自电容式触控显示面板及其驱动方法。
背景技术
指纹识别技术作为生物识别技术中的一种,具有普遍性、唯一性、安全性及可采集性等特点,已经在智能手机等产品中广泛应用,随着全面屏技术兴起。
然而,现有的触控显示器大多数为外挂方式,即在显示面板上贴合触控面板。此种方式会增加屏幕及终端厚度,增加模组工艺制程及成本,影响用户体验。
因此,现有触控显示器存在缺陷,需要改进。
发明内容
本发明提供一种自电容式触控显示面板及其驱动方法,以改进现有的触控显示器存在的缺陷。
为解决以上问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种自电容式触控显示面板,其包括:
第一基板,包括第一衬底、触控电极层、驱动电路层、以及像素电极层,所述触控电极层设置在所述第一衬底靠近所述驱动电路层的一侧,所述驱动电路层设置在所述触控电极层远离所述第一衬底的一侧,所述像素电极层设置在所述驱动电路层远离所述第一衬底的一侧;
第二基板,与所述第一基板相对设置,包括第二衬底、以及公共电极层;
液晶层,填充于所述第一基板和所述第二基板之间。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述驱动电路层内形成有薄膜晶体管;所述触控电极层包括触控电极;所述薄膜晶体管在所述第一衬底上的投影,和所述触控电极在所述第一衬底上的投影存在至少部分重叠。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述驱动电路层内形成有薄膜晶体管;所述触控电极层包括触控电极;所述薄膜晶体管在所述第一衬底上的投影,和所述触控电极在所述第一衬底上的投影不存在重叠。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述第一基板还包括黑矩阵层,所述黑矩阵层设置在所述第一衬底靠近所述触控电极层的一侧,且与所述第一衬底相接触;所述第二基板还包括色阻层。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述第一基板还包括色阻层,所述色阻层设置在所述像素电极层靠近所述第一衬底的一侧,且与所述像素电极层相接触;所述第二基板还包括黑矩阵层。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述第一基板还包括黑矩阵层和色阻层;所述黑矩阵层设置在所述第一衬底靠近所述触控电极层的一侧,且与所述第一衬底相接触,所述色阻层设置在所述像素电极层靠近所述第一衬底的一侧,且与所述像素电极层相接触。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述触控电极层包括触控电极端子和触控电极,所述触控电极端子与所述触控电极为一体成型,所述触控电极为网格状结构。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述触控电极层包括触控电极端子和触控电极,所述触控电极端子与所述触控电极为分体成型,所述触控电极为平面膜层结构。
在本发明提供的自电容式触控显示面板中,所述第一基板还包括屏蔽层,所述屏蔽层设置在所述触控电极层和所述驱动电路层之间。
同时,本发明提供一种自电容式触控显示面板的驱动方法,用于驱动如上所述的自电容式触控显示面板,包括:
对所述自电容式触控显示面板输入显示驱动信号时,停止输入触控驱动信号;
对所述自电容式触控显示面板停止输入显示驱动信号时,输入触控驱动信号。
本发明实施例提供了一种自电容式触控显示面板及其驱动方法,该自电容式触控显示面板包括:第一基板,包括第一衬底、触控电极层、驱动电路层、以及像素电极层,触控电极层设置在第一衬底靠近驱动电路层的一侧,驱动电路层设置在触控电极层远离第一衬底的一侧,像素电极层设置在驱动电路层远离第一衬底的一侧;第二基板,与第一基板相对设置,包括第二衬底、以及公共电极层;液晶层,填充于第一基板和第二基板之间。该显示面板通过在第一基板内设置触控电极层,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第一种结构示意图;
图2为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第二种结构示意图;
图3为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第三种结构示意图;
图4为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第四种结构示意图;
图5为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第五种结构示意图;
图6为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第六种结构示意图;
图7为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第七种结构示意图;
图8为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第八种结构示意图;
图9为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的驱动方法的流程图;
图10为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的驱动时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明的具体实施方案,对本发明实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显而易见的,下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本发明一部分实施方案和/或实施例,而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本发明中的实施方案和/或实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例,都属于本发明保护范围。
本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明和理解本发明,而非用以限制本发明。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
针对现有触控显示器存在缺陷的问题,本发明提供一种自电容式触控显示面板可以缓解这个问题。
如图1至图8所示,本发明提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、以及像素电极层140,触控电极层140设置在第一衬底110靠近驱动电路层130的一侧,驱动电路层130设置在触控电极层120远离第一衬底110的一侧,像素电极层140设置在驱动电路层130远离第一衬底110的一侧;
第二基板200,与第一基板100相对设置,包括第二衬底210、以及公共电极层220;
液晶层300,填充于第一基板100和第二基板200之间。
本实施例提供了一种自电容式触控显示面板,该显示面板通过在第一基板内设置触控电极层,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在本发明的实施例中,自电容式触控显示面板均为顶发光模式,即图1至图8所示,第一基板为出光面基板,第二基板为入光面基板。
在第一种实施例中,请参阅图1,图1为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第一种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150;触控电极层120设置于第一衬底110之下,且与第一衬底110贴合,驱动电路层130设置于触控电极层120之下,且通过绝缘层150与触控电极层120阻隔开,像素电极层140设置于驱动电路层130之下,且通过孔与驱动电路层130电性连接。
其中,第一衬底110为透明衬底,一般为透明的刚性玻璃衬底,或透明的柔性衬底。透明柔性衬底一般包括第一有机衬底、第二有机衬底、以及第一柔性衬底和第二柔性衬底之间的无机衬底,第一有机衬底和第二有机衬底的材料通常为聚乙酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机聚合物材料;无机衬底的材料一般为氧化硅,用于阻挡外界的杂质粒子进入基板和隔绝水氧。
触控电极层120包括触控电极端子121和触控电极122,触控电极端子121和触控电极122电性连接,触控电极端子121和触控电极122为分体成型,即触控电极端子121和触控电极122不采用同一步工艺制程制备得到。触控电极端子121一般为金属导电线,金属导电线的材料可以是金属钼、铝、铜、钛、铬、银或其混合物,金属导电线可以是单膜层结构,如单层金属铜、单层金属铝、单层金属铜等;可以是双和膜层结构,如铝/钼叠层结构、铝/钛叠层结构、铜/钛叠层结构;也可以是三膜层结构,如钼/铝/钼叠层结构、钛/铝/钛叠层结构、钛/铜/钛叠层结构等,在此不做特殊限定。触控电极122为透明导电薄膜,触控电极122的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,简称ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,简称IZO)、氧化铝锡(Aluminum Tin Oxide,简称ATO)、氧化铝锌(Aluminum Zinc Oxide,简称AZO)、氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide,简称IGZO)、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
驱动电路层130包括自上而下依次的层叠设置的栅极层131、栅极绝缘层132、有源层133、源漏极层134、以及钝化层135。栅极层131图案化形成薄膜晶体管的栅极,栅极层131的材料可以是金属钼、铝、铜、钛、铬、银或其混合物,栅极层131可以是单膜层结构,如单层金属铜、单层金属铝、单层金属铜等;可以是双和膜层结构,如铝/钼叠层结构、铝/钛叠层结构、铜/钛叠层结构;也可以是三膜层结构,如钼/铝/钼叠层结构、钛/铝/钛叠层结构、钛/铜/钛叠层结构等,在此不做特殊限定。栅极绝缘层132的材料包括无机材料、有机材料、或其它合适的材料,其中无机材料包括但不限于氧化硅、氮化硅或氮氧化硅;有机材料包括但不限于聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂或四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物。有源层133图案化形成薄膜晶体管的沟道,有源层133的材料可以是氧化物半导体材料,例如氧化铟镓锌、氧化铟锡、氧化铟锌等,也可以是多晶硅材料或单晶硅材料。源漏极层134图案化形成薄膜晶体管的源极和漏极,源漏极层134的材料同栅极层131的材料相类似。钝化层135的材料同栅极绝缘层的材料相类似。
像素电极层140,图案化形成像素电极,像素电极层140为透明导电膜层,像素电极层140的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
绝缘层150,用于阻隔触控电极层120和驱动电路层130,绝缘层150的材料包括无机材料、有机材料、或其它合适的材料,其中无机材料包括但不限于氧化硅、氮化硅或氮氧化硅;有机材料包括但不限于聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、压克力系树脂或四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240。黑矩阵层230和色阻层240同层设置,均设置于第二衬底210之上,且与第二衬底210贴合;公共电极层220设置于黑矩阵层230和色阻层240之上,且覆盖黑矩阵层230和色阻层240。
其中,第二衬底210为透明衬底,一般为透明的刚性玻璃衬底,或透明的柔性衬底。透明柔性衬底一般包括第一有机衬底、第二有机衬底、以及第一柔性衬底和第二柔性衬底之间的无机衬底,第一有机衬底和第二有机衬底的材料通常为聚乙酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机聚合物材料;无机衬底的材料一般为氧化硅,用于阻挡外界的杂质粒子进入基板和隔绝水氧。
黑矩阵层230,图案化形成色阻区域,黑矩阵层230的材料一般为炭黑丙烯树脂或其他遮蔽光线的材料。黑矩阵层230主要用于分离亚像素,防止亚像素之间的混色,提高显示图像的色纯度;同时防止外界光线照射到薄膜晶体管的沟道上,致使半导体有源层材料发生光生漏电的危险。
色阻层240形成于黑矩阵层230的色阻区域内,用于使射入色阻层240的光线选择性的透过,从而使显示面板显示出不同的颜色。
公共电极层220,整面设置于黑矩阵层230和色阻层240上,公共电极层220为透明导电膜层,公共电极层220的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
在本实施例中,触控电极层与驱动电路层同时设置于第一基板内,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第二种实施例中,请参阅图2,图2为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第二种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150;触控电极层120设置于第一衬底110之下,且与第一衬底110贴合,驱动电路层130设置于触控电极层120之下,且通过绝缘层150与触控电极层120阻隔开,像素电极层140设置于驱动电路层130之下,且通过孔与驱动电路层130电性连接。
其中,第一衬底110、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150,分别与第一种实施例中的第一衬底110、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
触控电极层120包括触控电极端子121和触控电极122,触控电极端子121和触控电极122为一体成型,即触控电极端子121和触控电极122采用同一步工艺制程制备得到,且触控电极端子121和触控电极122的材料相同。触控电极端子121和触控电极122的材料可以是不透明材料,如金属钼、铝、铜、钛、铬、银或其混合物,可以是单膜层结构,如单层金属铜、单层金属铝、单层金属铜等;可以是双和膜层结构,如铝/钼叠层结构、铝/钛叠层结构、铜/钛叠层结构;也可以是三膜层结构,如钼/铝/钼叠层结构、钛/铝/钛叠层结构、钛/铜/钛叠层结构等,此时触控电极122为网格状结构,用以保证显示面板的开口率。触控电极端子121和触控电极122的材料也可以是透明材料,如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,其中,第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,分别与第一种实施例中的第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
相比于第一种实施例,在本实施例中,触控电极和触控电极端子一体成型,将触控电极和触控电极端子的工艺制程合并为一道光照制程,简化了制备工艺,降低了制作成本。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第三种实施例中,请参阅图3,图3为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第三种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170。触控电极层120设置于第一衬底110之下,且与第一衬底110贴合;驱动电路层130设置于触控电极层120之下,且通过第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170与触控电极层120阻隔开;像素电极层140设置于驱动电路层130之下,且通过孔与驱动电路层130电性连接;屏蔽层160通过第一绝缘层150与触控电极层120阻隔开,通过第二绝缘层170与驱动电路层130阻隔开。
其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及第一绝缘层150和第二绝缘层170,分别与第一种实施例中的第一衬底110、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
屏蔽层160设置于触控电极层120和驱动电路层130之间,用于屏蔽触控电极层120产生的电磁波,避免触控电极层120产生的电磁波向驱动电路层130传播,防止杂讯干扰;同时屏蔽驱动电路层130产生的电磁波,避免驱动电路层130产生的电磁波向触控电极层120传播,防止杂讯干扰;增强了触控电极层120和驱动电路层130内信号的独立传播,降低了交互的杂讯。屏蔽层160为透明导电膜层,屏蔽层160的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240。其中,第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,分别与第一种实施例中的第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
相比于第一种实施例,本实施例中,在触控电极层和驱动电路层之间增设了屏蔽层,用于屏蔽触控电极层和驱动电路层之间的电磁干扰,增强了触控电极层和驱动电路层内信号的独立传播,降低了交互的杂讯。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样实现了触摸显示一体化,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第四种实施例中,请参阅图4,图4为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第四种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170。触控电极层120设置于第一衬底110之下,且与第一衬底110贴合;驱动电路层130设置于触控电极层120之下,且通过第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170与触控电极层120阻隔开;像素电极层140设置于驱动电路层130之下,且通过孔与驱动电路层130电性连接;屏蔽层160通过第一绝缘层150与触控电极层120阻隔开,通过第二绝缘层170与驱动电路层130阻隔开。
其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及第一绝缘层150和第二绝缘层170,分别与第二种实施例中的第一衬底110、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150相类似,具体可参照第二种实施例,在此不再赘述。
屏蔽层160设置于触控电极层120和驱动电路层130之间,用于屏蔽触控电极层120产生的电磁波,避免触控电极层120产生的电磁波向驱动电路层130传播,防止杂讯干扰;同时屏蔽驱动电路层130产生的电磁波,避免驱动电路层130产生的电磁波向触控电极层120传播,防止杂讯干扰;增强了触控电极层120和驱动电路层130内信号的独立传播,降低了交互的杂讯。屏蔽层160为透明导电膜层,屏蔽层160的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、氧化铟镓锌、小于60埃的金属或合金等透明导电材料。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240。其中,第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,分别与第一种实施例中的第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
相比于第二种实施例,本实施例中,在触控电极层和驱动电路层之间增设了屏蔽层,用于屏蔽触控电极层和驱动电路层之间的电磁干扰,增强了触控电极层和驱动电路层内信号的独立传播,降低了交互的杂讯。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样简化了制备工艺,降低了制作成本;实现了触摸显示一体化,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第五种实施例中,请参阅图5,图5为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第五种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150。其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150,分别与第一种实施例中的第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
不同之处在于,触控电极122在第一衬底110上投影,和薄膜晶体管在第一衬底110上投影不存在重叠,即触控电极122相对于驱动电路层130内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240。其中,第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,分别与第一种实施例中的第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
相比于第一种实施例,本实施例中,触控电极相对于驱动电路层内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第六种实施例中,本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150。其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150,分别与第二种实施例中的第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150相类似,具体可参照第二种实施例,在此不再赘述。
不同之处在于,触控电极122在第一衬底110上投影,和薄膜晶体管在第一衬底110上投影不存在重叠,即触控电极122相对于驱动电路层130内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240。其中,第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,分别与第二种实施例中的第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240相类似,具体可参照第二种实施例,在此不再赘述。
相比于第一种实施例,本实施例中,触控电极相对于驱动电路层内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样简化了制备工艺,降低了制作成本;实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第七种实施例中,本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170。其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170,分别与第三种实施例中的第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170相类似,具体可参照第三种实施例,在此不再赘述。
不同之处在于,触控电极122在第一衬底110上投影,和薄膜晶体管在第一衬底110上投影不存在重叠,即触控电极122相对于驱动电路层130内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240。其中,第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,分别与第三种实施例中的第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240相类似,具体可参照第三种实施例,在此不再赘述。
相比于第三种实施例,本实施例中,触控电极相对于驱动电路层内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样增强了触控电极层和驱动电路层内信号的独立传播,降低了交互的杂讯;实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第八种实施例中,本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170。其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170,分别与第四种实施例中的第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、屏蔽层160、以及第二绝缘层170相类似,具体可参照第四种实施例,在此不再赘述。
不同之处在于,触控电极122在第一衬底110上投影,和薄膜晶体管在第一衬底110上投影不存在重叠,即触控电极122相对于驱动电路层130内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240。其中,第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240,分别与第四种实施例中的第二衬底210、公共电极层220、黑矩阵层230、以及色阻层240相类似,具体可参照第四种实施例,在此不再赘述。
相比于第四种实施例,本实施例中,触控电极相对于驱动电路层内的薄膜晶体管让位,使得薄膜晶体管的成型基底更加平坦,确保了薄膜晶体管的电器特性。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样简化了制备工艺,降低了制作成本;增强了触控电极层和驱动电路层内信号的独立传播,降低了交互的杂讯;实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
在第九种实施例中,请参阅图6,图6为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第六种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、绝缘层150、以及色阻层180。其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150,分别与第一种实施例中的第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及绝缘层150相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、以及黑矩阵层230。其中,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、以及黑矩阵层230,分别与第一种实施例中的第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、以及黑矩阵层230相类似,具体可参照第一种实施例,在此不再赘述。
不同之处在于,色阻层180设置于钝化层135和像素电极层140之下,像素电极层140覆盖色阻层180,色阻层180在第二衬底210上的投影与黑矩阵层230的色阻区重合。将色阻设置于第一基板100上,使得触控电极和像素电极之间的距离增大,可进一步降低触控电极和像素电极之间的寄生电容,同时提高显示驱动和触控驱动的讯号量。
相比于第一种实施例,本实施例中,将色阻层设置于第一基板上,使得触控电极和像素电极之间的距离增大,可进一步降低触控电极和像素电极之间的寄生电容,同时提高显示驱动和触控驱动的讯号量。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样实现了触摸显示一体化,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
参照图6所示的第九种实施例,结合上述第一至八种实施例,可在第一至八种实施例的基础上,做出如第九种实施例所示的,将色阻层设置于第一基板上的进一步改进,进一步降低触控电极和像素电极之间的寄生电容,同时提高显示驱动和触控驱动的讯号量。具体实施操作可参照第九种实施例,在此不再详细描述。
在第十种实施例中,请参阅图7,图7为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第七种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、第二绝缘层170、以及黑矩阵层190。其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、以及第二绝缘层170,分别与第五种实施例中的第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、、第一绝缘层150、以及第二绝缘层170相类似,具体可参照第五种实施例,在此不再赘述。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、以及色阻层240。其中,第二衬底210、公共电极层220、以及色阻层240,分别与第五种实施例中的第二基板200包括第二衬底210、公共电极层220、以及色阻层240相类似,具体可参照第五种实施例,在此不再赘述。
不同之处在于,黑矩阵层190设置于第一衬底110之下,且与第一衬底110贴合,触控电极层120设置于黑矩阵层190之下,且通过第一绝缘层150阻隔开,色阻层180在第一衬底110上的投影与黑矩阵层230的色阻区第一衬底110上的投影在重合;驱动电路层130内的薄膜晶体管由顶栅结构改变为底栅结构。将黑矩阵层190设置于第一基板100上,有利于进一步降低金属材料反射光线的影响。
相比于第五种实施例,本实施例中,将黑矩阵层设置于第一基板上,有利于进一步降低金属材料反射光线的影响。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样确保了薄膜晶体管的电器特性;实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
参照图7所示的第十种实施例,结合上述第五至八种实施例,可在第五至八种实施例的基础上,做出如第十种实施例所示的,将黑矩阵层设置于第一基板上,有利于进一步降低金属材料反射光线的影响。具体实施操作可参照第十种实施例,在此不再详细描述。
在第十一种实施例中,请参阅图8,图8为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的第八种结构示意图。本实施例提供的自电容式触控显示面板包括:
第一基板100,第一基板100包括第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、第一绝缘层150、第二绝缘层170、以及色阻层180、黑矩阵层190。其中,第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及第一绝缘层150、第二绝缘层170,分别与第五种实施例中的第一衬底110、触控电极层120、驱动电路层130、像素电极层140、以及第一绝缘层150、第二绝缘层170相类似,具体可参照第五种实施例,在此不再赘述。
第二基板200,第二基板200包括第二衬底210和公共电极层220。其中,第二衬底210、公共电极层220,分别与第五种实施例中的第二衬底210、公共电极层220相类似,具体可参照第五种实施例,在此不再赘述。
不同之处在于,色阻层180设置于钝化层135和像素电极层140之下,像素电极层140覆盖色阻层180;将色阻设置于第一基板100上,使得触控电极和像素电极之间的距离增大,可进一步降低触控电极和像素电极之间的寄生电容,同时提高显示驱动和触控驱动的讯号量。黑矩阵层190设置于第一衬底110之下,且与第一衬底110贴合,触控电极层120设置于黑矩阵层190之下,且通过第一绝缘层150阻隔开,色阻层180在第一衬底110上的投影与黑矩阵层230的色阻区第一衬底110上的投影在重合;将黑矩阵层190设置于第一基板100上,有利于进一步降低金属材料反射光线的影响。驱动电路层130内的薄膜晶体管由顶栅结构改变为底栅结构。
相比于第五种实施例,本实施例中,将黑矩阵层和色阻层均设置于第一基板上,可进一步降低触控电极和像素电极之间的寄生电容,同时提高显示驱动和触控驱动的讯号量;有利于进一步降低金属材料反射光线的影响。同时,本实施例提供的自电容式触控显示面板,同样确保了薄膜晶体管的电器特性;实现了触摸显示一体化,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
参照图8所示的第十一种实施例,结合上述第五至八种实施例,可在第五至八种实施例的基础上,做出如第十一种实施例所示的,将黑矩阵层和色阻层均设置于第一基板上,可进一步降低触控电极和像素电极之间的寄生电容,同时提高显示驱动和触控驱动的讯号量;有利于进一步降低金属材料反射光线的影响。具体实施操作可参照第十一种实施例,在此不再详细描述。
同时,本发明实施例还提供一种自电容式触控显示面板的驱动方法,用于驱动上述自电容式触控显示面板,如图9所示,该驱动方法包括:
步骤901、对自电容式触控显示面板输入显示驱动信号时,停止输入触控驱动信号;
步骤902、对自电容式触控显示面板停止输入显示驱动信号时,输入触控驱动信号。
请参照图10,图10为本发明实施例提供的自电容式触控显示面板的驱动时序图。在一帧的时间内,当对显示面板输入显示驱动信号1001时,停止输入触控驱动信号1002;当对显示面板停止输入显示驱动信号1001时,输入触控驱动信号1002。
本实施例提供了一种自电容式触控显示面板的驱动方法,该方法实现了显示驱动和触控驱动的同步驱动方法,通过分离显示面板显示和触控的驱动时间,降低了显示面板显示阶段和触控阶段,电信号之间的相互干扰,增强了显示阶段显示面板的显示效果,和触控阶段显示面板的触控效果。
根据上述实施例可知:
本发明实施例提供了一种自电容式触控显示面板及其驱动方法,该自电容式触控显示面板包括:第一基板,包括第一衬底、触控电极层、驱动电路层、以及像素电极层,触控电极层设置在第一衬底靠近驱动电路层的一侧,驱动电路层设置在触控电极层远离第一衬底的一侧,像素电极层设置在驱动电路层远离第一衬底的一侧;第二基板,与第一基板相对设置,包括第二衬底、以及公共电极层;液晶层,填充于第一基板和第二基板之间。该显示面板通过在第一基板内设置触控电极层,实现了触摸显示一体化,实现了垂直取向显示面板与自电容触控方案的整合;该自电容式触控显示面板的厚度和重量几乎无增加,边框区域少幅增加,相比于外挂式触控显示面板,又进一步省去了钢化保护玻璃与贴合制程,大大节省了成本;相比于传统内嵌触控式显示面板,突破了内嵌式触控电极只能采用共用电极复用方式的限制,解决了庞大触控电路跨接不同基板的工艺难点;相比于互电容触控显示面板,该自电容式触控显示面板灵敏性更高,更适合大尺寸商用产品。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种自电容式触控显示面板,其特征在于,包括:
第一基板,包括第一衬底、触控电极层、驱动电路层、以及像素电极层,所述触控电极层设置在所述第一衬底靠近所述驱动电路层的一侧,所述驱动电路层设置在所述触控电极层远离所述第一衬底的一侧,所述像素电极层设置在所述驱动电路层远离所述第一衬底的一侧;
第二基板,与所述第一基板相对设置,包括第二衬底、以及公共电极层;
液晶层,填充于所述第一基板和所述第二基板之间。
2.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述驱动电路层内形成有薄膜晶体管;所述触控电极层包括触控电极;所述薄膜晶体管在所述第一衬底上的投影,和所述触控电极在所述第一衬底上的投影存在至少部分重叠。
3.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述驱动电路层内形成有薄膜晶体管;所述触控电极层包括触控电极;所述薄膜晶体管在所述第一衬底上的投影,和所述触控电极在所述第一衬底上的投影不存在重叠。
4.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括黑矩阵层,所述黑矩阵层设置在所述第一衬底靠近所述触控电极层的一侧,且与所述第一衬底相接触;所述第二基板还包括色阻层。
5.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括色阻层,所述色阻层设置在所述像素电极层靠近所述第一衬底的一侧,且与所述像素电极层相接触;所述第二基板还包括黑矩阵层。
6.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括黑矩阵层和色阻层;所述黑矩阵层设置在所述第一衬底靠近所述触控电极层的一侧,且与所述第一衬底相接触,所述色阻层设置在所述像素电极层靠近所述第一衬底的一侧,且与所述像素电极层相接触。
7.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述触控电极层包括触控电极端子和触控电极,所述触控电极端子与所述触控电极为一体成型,所述触控电极为网格状结构。
8.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述触控电极层包括触控电极端子和触控电极,所述触控电极端子与所述触控电极为分体成型,所述触控电极为平面膜层结构。
9.如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括屏蔽层,所述屏蔽层设置在所述触控电极层和所述驱动电路层之间。
10.一种自电容式触控显示面板的驱动方法,其特征在于,用于驱动如权利要求1所述的自电容式触控显示面板,包括:
对所述自电容式触控显示面板输入显示驱动信号时,停止输入触控驱动信号;
对所述自电容式触控显示面板停止输入显示驱动信号时,输入触控驱动信号。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200724 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |