CN222540915U - 一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置 - Google Patents
一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN222540915U CN222540915U CN202420448021.9U CN202420448021U CN222540915U CN 222540915 U CN222540915 U CN 222540915U CN 202420448021 U CN202420448021 U CN 202420448021U CN 222540915 U CN222540915 U CN 222540915U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diameter
- heat dissipation
- holding device
- connecting piece
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，包括底板、盛放主体、转运把手和罩盖，底板上开设有散热通孔，在盛放主体的外侧壁上镂空开设有多个散热窗，盛放主体由左构件和右构件配合对接组成，右构件的对接端向外延伸设置有锥台状结构的连接件，且该锥台状结构连接件的小底端连接在右构件上，左构件的对接处开设有供连接件从其上端滑入滑出的锥台形容置槽，容置槽与连接件的配合可实现左构件和右构件之间的径向锁紧式配合对接。本实用新型的盛放装置，拆卸方便，组装便捷，可较好地盛放和转运大直径多晶硅，并能实现快速散热，可有效防止大直径多晶硅提出转运时的人员烫伤，实用性强，安全可靠性高。
Description
技术领域
本实用新型涉及直拉单晶硅生产用装置技术领域，具体的说是一种用于8吋及以上大直径单晶硅拉制过程中提出物的盛放装置。
技术背景
在半导体技术领域，拉制单晶过程中，由于石英坩埚异常、设备异常、人员误操作以及原辅材料品质不稳定或者工艺SOP不完善等因素造成的单晶炉台运行异常，都会导致晶体成晶困难。
另由于热场的不断加大，随之投料量也跟着加大，首次投料的熔硅液面温度比较难稳定，通常含有杂质，可能需要进行多次引放操作，造成运行时间加长，最终甚至会造成无法正常拉制单晶，使得拉制单晶的生产成本增加、单晶成晶率和成品率下降等问题。
为解决以上问题，不管是长时间未成晶还是熔硅中存在杂质，都需要通过引晶放肩等径等操作提出一部分多晶，主要目的一方面是为了将熔硅表面的杂质给提出来，减小杂质引起的位错导致的成晶不顺，提出一部分多晶可以使结晶液面更加的稳定，另外更加主要的目的是为了改变结晶界面的位置，提出多晶后，引晶埚位发生了变化，故结晶界面的梯度发生了改变，从而可以更好的进行进一步的拉晶。
目前，现有技术中还没有专门的用于大直径单晶硅拉制过程中放置和转运多晶硅提出物的盛放装置。
发明内容
本实用新型的技术目的为：提供一种用于大直径单晶硅拉制过程中成晶不顺时的多晶硅提出物盛放装置，该装置拆卸方便，组装便捷，可较好地盛放和转运大直径多晶硅，并能实现快速散热，可有效防止大直径多晶硅提出转运时的人员烫伤，实用性强，安全可靠性高。
为实现上述技术目的，本实用新型所采用的技术方案为：一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，包括底板、设置在底板上的盛放主体、安装在盛放主体外侧壁上的转运把手，以及可拆卸连接在盛放主体顶部的罩盖，底板上开设有小于待盛放多晶硅大小的散热通孔，在盛放主体的外侧壁上镂空开设有多个散热窗，所述的盛放主体由左构件和右构件配合对接组成，右构件的对接端向外延伸设置有锥台状结构的连接件，且该锥台状结构连接件的小底端连接在右构件上，左构件的对接处开设有供连接件从其上端滑入滑出的锥台形容置槽，所述容置槽与连接件的配合可实现左构件和右构件之间的径向锁紧式配合对接。
优选的，所述的罩盖呈倒置的漏斗状结构，在罩盖的下端面上还开设有用于容置盛放主体上边缘的限位槽。
优选的，在漏斗状罩盖的顶端也开设有散热通孔。
优选的，所述的散热通孔开设在底板的中心处，且散热通孔的直径为80-110mm。
优选的，所述的散热窗呈矩形结构，且多个散热窗在盛放主体的外侧壁上左右对称设置。
优选的，盛放主体上散热窗的个数为12个，且每个散热窗的面积为90-110 cm2。
优选的，所述的盛放主体为圆筒形结构，直径为300-330mm。
优选的，所述的左构件和右构件均呈镂空的半圆环形结构。
优选的，所述左构件的底端焊接固定在底板上。
优选的，所述的转运把手固定在左构件上，且呈矩形框状结构。
有益效果：
本实用新型的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，结构简单，设计合理，使用方便。装置中的盛放主体由两个半圆环形结构的左构件和右构件对接组配构成，使装置整体在转运大直径多晶硅时安装、拆卸方便，便于内装物的取出。盛放主体上多个散热窗的设置也使得盛放装置散热迅速，有助于提高生产加工效率。装置顶部罩盖的设置可有效防止操作人员误碰时的烫伤，安全可靠性好。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的纵向剖开结构示意图；
图3为本实用新型中底板、盛放主体和转运把手的结构示意图；
图4为图3的拆解结构示意图；
图中标记：1、底板；2、盛放主体；201、左构件，202、右构件，3、转运把手；4、罩盖；5、待盛放多晶硅；6、散热通孔；7、散热窗；8、连接件；9、容置槽。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的说明，但本实用新型并不局限于下面的实施例，公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切变化和改进。
如图所示，本实用新型的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，用于大直径单晶硅拉制成晶不顺时大直径多晶硅提出物的盛放，该新型装置可以起到快速散热，可盛放大直径多晶硅、容易拆卸和组装以及防止烫伤等作用，在具体设置结构上包括底板1、设置在底板1上的盛放主体2、安装在盛放主体2外侧壁上的转运把手3，以及可拆卸连接在盛放主体2顶部的罩盖4，底板1上开设有小于待盛放多晶硅5大小的散热通孔6，该散热通孔6开设在底板1的中心处，且散热通孔6的直径为80-110mm，在盛放主体2的外侧壁上镂空开设有多个散热窗7，所述的散热窗7呈矩形结构，且多个散热窗7在盛放主体2的外侧壁上左右对称设置，每个散热窗7的面积为90-110 cm2。
所述的盛放主体2由左构件201和右构件202配合对接组成，右构件202的对接端向外延伸设置有锥台状结构的连接件8，且该锥台状结构连接件8的小底端连接在右构件202上，左构件201的对接处开设有供连接件8从其上端滑入滑出的锥台形容置槽9，所述容置槽9与连接件8的配合可实现左构件201和右构件202之间的径向锁紧式配合对接，所述的罩盖4呈倒置的漏斗状结构，在罩盖4的下端面上还开设有用于容置盛放主体2上边缘的限位槽。在漏斗状罩盖4的顶端也开设有散热通孔6。
优选的，所述的盛放主体2为圆筒形结构，直径为300-330mm。
优选的，所述的左构件201和右构件202均呈镂空的半圆环形结构。所述左构件201的底端焊接固定在底板1上。所述的转运把手3固定在左构件201上，且呈矩形框状结构。
本实用新型的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，整体采用不锈钢材质，不锈钢散热快，同时可耐高温，盛放装置中的盛放主体为可拆卸结构，连接方式为T型连接，上方罩盖可防止人员误碰造成烫伤。
盛放装置的结构特点为：
特征1：盛放主体为圆筒形结构，圆筒直径约320mm，可盛放6-12吋的提出物，底板上设计有开孔，开孔直径约100mm，开孔直径不宜过大，防止多晶漏出造成烫伤，底部开孔目的为了散热；
特征2：圆筒形盛放主体上共计12个长方形的开孔，主要目的为了散热，每个开孔面积约100cm2，开孔个数一般大于10个，但同时不宜过多，防止结构出现变形；
特征3：在圆筒形盛放主体上设计了一个圆柱型正方形把手，可避免提出物的烫伤，长方形把手方便双手紧握，同时结构稳定；
特征4：拆卸装置连接方式为T型结构，结构简单，拼接、拆卸方便，从下往上直接滑出即可；即，使用时将右构件上的连接件从上往下直接放进左构件上的容置槽即可；
特征5：圆筒形盛放主体的上方设计卡槽盖子，将提出物放进去后盖子可以防止误碰，造成烫伤。
本实用新型的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置在使用时，具体的步骤为：
1、因各种原因需要提出部分多晶的，一般需要提出2-5KG左右，由员工通过引晶放肩等径等操作，将多晶硅拉制到指定提出重量；
2、将该盛放装置中的罩盖去掉，将盛放主体中的右构件从上往下滑到左构件中，使右构件上的连接件滑入左构件容置槽的底部，完成盛放主体的拼接；
3、将提出物快速提离液面约20mm，之后按照500mm/h的速度往上提，1小时后将多晶快速升至副室，之后导气开门，将本发明的盛放装置放置在副室下方的闸板阀上，然后缓慢将提出物放置到本发明的盛放装置内，等提出物接触到底板后，剪断籽晶，双手分别握住转运把手将提出物拿出副室，之后将罩盖盖上，放置在操作台上后室温冷却；
4、清扫并关闭副室，之后导气后打开闸板阀继续进行引晶等操作。
最后应当说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的思路启示之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的权利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：包括底板（1）、设置在底板（1）上的盛放主体（2）、安装在盛放主体（2）外侧壁上的转运把手（3），以及可拆卸连接在盛放主体（2）顶部的罩盖（4），底板（1）上开设有小于待盛放多晶硅（5）大小的散热通孔（6），在盛放主体（2）的外侧壁上镂空开设有多个散热窗（7），所述的盛放主体（2）由左构件（201）和右构件（202）配合对接组成，右构件（202）的对接端向外延伸设置有锥台状结构的连接件（8），且该锥台状结构连接件（8）的小底端连接在右构件（202）上，左构件（201）的对接处开设有供连接件（8）从其上端滑入滑出的锥台形容置槽（9），所述容置槽（9）与连接件（8）的配合可实现左构件（201）和右构件（202）之间的径向锁紧式配合对接。
2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：所述的罩盖（4）呈倒置的漏斗状结构，在罩盖（4）的下端面上还开设有用于容置盛放主体（2）上边缘的限位槽。
3.根据权利要求2所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：在漏斗状罩盖（4）的顶端也开设有散热通孔（6）。
4.根据权利要求1所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：所述的散热通孔（6）开设在底板（1）的中心处，且散热通孔（6）的直径为80-110mm。
5.根据权利要求1所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：所述的散热窗（7）呈矩形结构，且多个散热窗（7）在盛放主体（2）的外侧壁上左右对称设置。
6.根据权利要求1或5所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：盛放主体（2）上散热窗（7）的个数为12个，且每个散热窗（7）的面积为90-110 cm2。
7.根据权利要求1所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：所述的盛放主体（2）为圆筒形结构，直径为300-330mm。
8.根据权利要求1所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：所述的左构件（201）和右构件（202）均呈镂空的半圆环形结构。
9.根据权利要求1或8所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：所述左构件（201）的底端焊接固定在底板（1）上。
10.根据权利要求1所述的一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置，其特征在于：所述的转运把手（3）固定在左构件（201）上，且呈矩形框状结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202420448021.9U CN222540915U (zh) | 2024-03-08 | 2024-03-08 | 一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202420448021.9U CN222540915U (zh) | 2024-03-08 | 2024-03-08 | 一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN222540915U true CN222540915U (zh) | 2025-02-28 |
Family
ID=94728234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202420448021.9U Active CN222540915U (zh) | 2024-03-08 | 2024-03-08 | 一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN222540915U (zh) |
-
2024
- 2024-03-08 CN CN202420448021.9U patent/CN222540915U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103147121B (zh) | 提拉泡生法生长晶体的装置 | |
| CN102352530B (zh) | 用于直拉硅单晶炉的热屏装置 | |
| CA2452542C (en) | Method and apparatus for growing semiconductor crystals with a rigid support with carbon doping and resistivity control and thermal gradient control | |
| US5196173A (en) | Apparatus for process for growing crystals of semiconductor materials | |
| WO2016078321A1 (zh) | 大尺寸Yb-YAG激光晶体泡生法制备方法 | |
| CN102758249A (zh) | 一种无色刚玉单晶的制备方法 | |
| JP2010126377A (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
| CN103556223B (zh) | 一种生长大尺寸和方形蓝宝石单晶的方法 | |
| CN102220633A (zh) | 一种半导体级单晶硅生产工艺 | |
| CN222540915U (zh) | 一种直拉单晶硅生产用大直径多晶硅盛放装置 | |
| CN107190317A (zh) | 一种大尺寸类单晶籽晶及其制作方法 | |
| CN211036177U (zh) | 一种反向提拉式单晶炉 | |
| TWI767814B (zh) | 長晶摻雜設備及長晶摻雜方法 | |
| CN116180229B (zh) | 区熔连续加料生长硅单晶的装置和方法 | |
| CN118308793B (zh) | 一种液相法生长碳化硅原料回收再利用的装置及方法 | |
| CN100552096C (zh) | 一种改进的适用于BaY2F8单晶体生长的温度梯度法及其装置 | |
| CN109321975B (zh) | 单晶硅定向凝固引晶模块 | |
| CN209039630U (zh) | 直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉 | |
| CN211005717U (zh) | 一种晶体生长装置 | |
| CN114232078A (zh) | 一种单晶炉的铱坩埚加热装置和单晶生长的方法 | |
| CN208649505U (zh) | 一种砷化镓单晶生产设备 | |
| CN115029783A (zh) | 基于vb法与vgf法结合的砷化铟单晶生长方法 | |
| CN222182531U (zh) | 一种石英支撑管及砷化镓合成装置 | |
| CN206070038U (zh) | 一种助熔剂法晶体生长用铂金坩埚盖 | |
| CN223458440U (zh) | 一种镓舟 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |