DE2260449B2

DE2260449B2 - METHOD OF CONTROLLING A DISCHARGE IN A GAS DISCHARGE DEVICE

Info

Publication number: DE2260449B2
Application number: DE19722260449
Authority: DE
Inventors: Norihiko Kobe; Furuta Hiroshi Akashi; Andoh Shizuo; Urade Toshin ori; Kobe; Nakayama (Japan)
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1971-12-15
Filing date: 1972-12-11
Publication date: 1976-04-15
Also published as: NL7217124A; JPS4866749A; NL179431C; DE2260449A1; NL179431B; JPS5215186B2; GB1421916A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Steuern einer Entladung in einer Gasentladungsvorrichtung mit einer ersten dielektrischen Grundplatte, auf der erste, zweite und dritte Elektroden aufgebracht sind, die parallel zueinander angeordnet und mit einer dielektrischen Schicht bedeckt sind, wobei die dritte Elektrode zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnet ist, mit einer zweiten dielektrischen Grundplatte, auf der eine vierte Elektrode aufgebracht ist, die im Abstand von und derart zu der ersten, zweiten und dritten Elektrode angeordnet ist, daß sie diese kreuzt, und die ebenfalls mit einer dielektrischen Schicht bedeckt ist, und mit einem gasdichten Abschluß des mit einem Entladungsgas gefüllten Entladungsraumes zwischen der ersten und der zweiten dielektrischen Schicht.The invention relates to a method for controlling a discharge in a gas discharge device with a first dielectric base plate on which first, second and third electrodes are applied which are arranged parallel to one another and covered with a dielectric layer, wherein the third electrode is disposed between the first and second electrodes, with a second dielectric Base plate on which a fourth electrode is applied, spaced from and such to the first, second and third electrodes is arranged to cross them, and the also is covered with a dielectric layer, and with a gas-tight seal of the discharge space filled with a discharge gas between the first and the second dielectric layer.

Bekannt ist eine Gasentladung-Anzeigevorrichtung mit Elektroden und diese bedeckenden dielektrischen Schichten, wobei sich die Elektroden kreuzen und ein Gas in einem Entladungsraum eingeschlossen ist (DT-OS 18 03 213). Auch ist eine solche Vorrichtung bekannt, bei welcher der Gasentladungsraum durch einen Einsatz in einzelne Zellen unterteilt ist (FR-PS 2047 170). Des weiteren ist ein Verfahren zum Steuern einer Entladung in einer Gasentladungsvorrichtung bekannt, bei der sich gegenüberliegende Elektroden kreuzen und ein Gas in einem Entladungsraum eingeschlossen ist, wobei die eine Elektrode an einer Haltespannung liegt, während die andere Elektrode als Steuerelektrode wirkt (DT-OS 19 05 166).A gas discharge display device with electrodes and dielectric covering them is known Layers in which the electrodes cross each other and a gas is enclosed in a discharge space (DT-OS 18 03 213). Such a device is also known in which the gas discharge space through an insert is divided into individual cells (FR-PS 2047 170). Also is a method of controlling a discharge in a gas discharge device known in which opposing electrodes cross and a gas is enclosed in a discharge space, the one electrode at a holding voltage, while the other electrode acts as a control electrode (DT-OS 19 05 166).

Wenn diese bekannten Anzeigevorrichtungen größere Abmessungen erhalten sollen, steigt die Zahl der Elektroden an und wird die Steuerschaltung kompliziert und teuer.If these known display devices are to be given larger dimensions, the number increases of the electrodes and the control circuit becomes complicated and expensive.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Steuerung logischer Operationen dadurch zu vereinfachen, daß die Zahl der Außenanschlüsse niedriger als die Zahl der einzelnen, durch die Elektroden gebildeten Entladungszellen wird. Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale im Kennzeichen des Anspruchs 1.The invention is based on the object of simplifying the control of logical operations by that the number of external connections is lower than the number of individual ones formed by the electrodes Discharge cells will. This task is solved by the characteristics in the identifier of the Claim 1.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Further developments of the invention are given in the subclaims.

Ein Entladungspunkt wird an der dritten ElektrodeA discharge point will be on the third electrode

nur erzeugt, wenn eine Spannung an bestimmte erste und zweite Elektroden und eine Spannung an die dazwischen angeordnete dritte Elektrode angelegt werden.only generated when a voltage is given first and second electrodes and a voltage applied to the third electrode interposed therebetween will.

Die Erfindung ermöglicht es auch, daß eine logische Operation mit mehreren durch die Elektroden gebildeten Entladungszellen ausgeführt wird.The invention also enables a logical operation with several formed by the electrodes Discharge cells is running.

Im folgenden wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.In the following, the invention is explained in more detail on the basis of exemplary embodiments.

Fig. 1A bis IC sind Diagramme zum Erläutern des Prinzips der Arbeitsweise eines Ausführungsbeispiels; Figs. 1A to IC are diagrams for explanatory purposes the principle of operation of an embodiment;

F i g. 2 ist ein Diagramm zum Erläutern der Elektrodenanordnungen bei einem Ausführungsbeispiel;F i g. 2 is a diagram for explaining the electrode arrangements in an embodiment;

F i g. 3 A bis 3 C und 4 A bis 4 F sind Diagramme zum Erläutern der angelegten Spannimgsimpulse:F i g. 3 A to 3 C and 4 A to 4 F are diagrams to explain the applied voltage pulses:

F i g. 5 ist ein Diagramm zum Erläutern der Elektrodenanordnungen bei einem weiteren Beispiel;F i g. 5 is a diagram for explaining the electrode arrangements in another example;

F i g. 6 ist ein Diagramm zum Erläutern des Prinzips der Arbeitsweise der Elektrodenanordnung der Fig. 5;F i g. 6 is a diagram for explaining the principle of operation of the electrode assembly of FIG Fig. 5;

F i g. 7 ist ein Diagramm zum Erläutern einer eingeprägten Spannung für eine logische Multiplizieroperation einer Widerstandskanalkopplung;F i g. 7 is a diagram for explaining an impressed voltage for a logical multiply operation a resistive channel coupling;

F i g. 8 ist ein Diagramm zum Erläutern der Ehktrodenanordnungen einer NICHT-Schaltung einer Widerstandskopplung;F i g. 8 is a diagram for explaining the electrode arrangements a NOT circuit of a resistive coupling;

F i g. 9 ist ein Diagramm zum Erläutern einer eingeprägten Spannung an der Elektrodenanordnung der Fig. 8;F i g. 9 is a diagram for explaining an embossed Voltage across the electrode assembly of FIG. 8;

F i g. 10 ist ein Diagramm zum Erläutern einer Elektrodenanordnung einer Flip-Flop-Schaltung;F i g. 10 is a diagram for explaining an electrode arrangement of a flip-flop circuit;

Fig. 11 ist ein Einzelquerschnitt der Elektrodenanordnung der Fig. 10;Figure 11 is a single cross-section of the electrode assembly of Fig. 10;

Fig. 12 ist ein Diagramm zum Erläutern des Einprägens der Spannung an der Elektrodenanordnung der Fig. 10 und 11.Fig. 12 is a diagram for explaining the embossing the voltage across the electrode arrangement of FIGS. 10 and 11.

F i g. 1 zeigt Diagramme zum Erläutern des Prinzips der Arbeitsweise eines Ausführungsbeispiels. F i g. 1 A ist ein Grundriß, der die Elektiodenanordnungen zeigt, F i g. 1 B zeigt deren Querschnitt und F i g. 1 C zeigt ein Diagramm der elektrischen Feldverteilung. X₁ bezeichnet eine erste Elektrode, X₂ eine zweite Elektrode, X₃ eine dritte Elektrode und Y eine Elektrode, die angeordnet ist, um diese Elektroden in rechten Winkeln in entgegengesetzter Beziehung zu kreuzen. Die Elektroden X_v X₂ und X₃ sind durch gedruckte Schaltungstechnik od. dgl. auf einer Grundplatte 1 aus Glas gebildet und die Elektroden X₁, X₂ und X₁ sind mit einer dielektrischen Schicht 2 aus Glas mit niedrigem Schmelzpunkt od. dgl. bedeckt. Die Elektrode Y ist in gleicher Weise auf einer Grundplatte 3 aus Glas gebildet und mit einer dielektrischen Schicht 4 bedeckt. Eine Entladungsgasmischung mit z.B. 95°/oNe und 5°/o N₂ ist in den Raum S eingeschlossen, der zwischen den gegenüberliegenden dielektrischen Schichten 2 und 4 begrenzt ist.F i g. Fig. 1 shows diagrams for explaining the principle of operation of an embodiment. F i g. 1A is a plan view showing the electrode arrangements, FIG. 1 B shows their cross-section and FIG. 1 C shows a diagram of the electric field distribution. X ₁ denotes a first electrode, X ₂ a second electrode, X ₃ a third electrode, and Y an electrode arranged to cross these electrodes at right angles in opposite relation. The electrodes X _v, X ₂ and X ₃ are formed by printed circuit technology or the like on a base plate 1 made of glass and the electrodes X ₁ , X ₂ and X ₁ are provided with a dielectric layer 2 made of glass with a low melting point or the like. covered. The electrode Y is formed in the same way on a base plate 3 made of glass and covered with a dielectric layer 4. A discharge gas mixture with, for example, 95% Ne and 5% N ₂ is enclosed in the space S which is delimited between the opposite dielectric layers 2 and 4.

Auf Grund des Anlegens einer Spannung an die dritte Elektrode A"., wird ein elektrisches Feld, wie es an der Linie 1 der Fig. IC gezeigt ist, erzeugt, und die angelegte Spannung wird niedriger als eine Entladungsspannung eingestellt. Durch Anlegen von Spannungen an die dritte und die erste Elektrode X₃ und X₁ ergibt sich eine resultierende Verteilung des elektrischen Feldes, wie sie an der Linie 2 der Fig. IC gezeigt ist, und die Spannungen sind so eineestellt, daß ein zusammengesetzter Maximalwert nicht die Entladungsspannung erreichen kann. Des weiteren ergibt ein Anlegen von Spannungen an die Elektroden X₁, X₂ und X₃ eine resultierende Verteilung des elektrischen Feldes, wie sie an der Linie 3 der Fig. 1 C gezeigt ist, und in diesem Fall werden die Spannungen so eingestellt, daß ein zusammengesetzter Wert an der dritten Elektrode X₃ die Entladungsspannung erreichen kann. Unter der Annahme, daß Entladungsspannungen zwischen denUpon application of a voltage to the third electrode A "., An electric field as shown on line 1 of FIG. 1C is generated, and the applied voltage is set lower than a discharge voltage the third and first electrodes X ₃ and X ₁ give a resultant electric field distribution as shown on line 2 of Fig. 1C, and the voltages are set so that a composite maximum value cannot reach the discharge voltage. Furthermore, application of voltages to electrodes X ₁ , X ₂ and X ₃ gives a resultant electric field distribution as shown on line 3 of Fig. 1C, and in this case the voltages are adjusted so that a composite value at the third electrode X ₃ can reach the discharge voltage, assuming that discharge voltages between the

ίο Elektroden Y und X₃ in dem Falle, daß weder die Elektrode X₁ noch die Elektrode X₂ an einer Spannung liegen, in dem Falle, daß entweder die Elektrode X₁ oder die Elektrode X₂ an einer Spannung liegen, und in dem Falle, daß beide Elektroden X₁ ίο Electrodes Y and X ₃ in the event that neither the electrode X ₁ nor the electrode X _{2 are connected} to a voltage, in the event that either the electrode X ₁ or the electrode X _{2 are connected} to a voltage, and in that case that both electrodes X ₁

und X₂ an einer Spannung liegen, jeweils mit V,_o„ Vf₁ und Vf₂ bezeichnet werden, haben diese folgende Beziehung: V_f0>V_Fl>V_Fs. Demgemäß ist es möglich, eine logische Multiplikationsoperation AT₁-AT₂ = X_s zu erhalten.and X _{2 are connected} to a voltage, each designated by V, _o, Vf ₁ and Vf ₂ , have the following relationship: V _f0 > V _Fl > V _Fs . Accordingly, it is possible to obtain _{a logical multiplication operation AT 1} -AT ₂ = X _s.

so Vorangehend wird die logische Multiplikationsoperation im Nichtentladungsbetrieb der ersten und dritten Elektroden AT₁ und X₃ ausgeführt, jedoch kann dieselbe Operation auch im Entladungsbetrieb der Elektroden ausgeführt werden. Wenn eine Ent-So above, the logical multiplication operation is carried out in the non- _{discharge operation of the first and third electrodes AT 1} and X ₃ , but the same operation can also be carried out in the discharge operation of the electrodes. When an ent-

a5 ladungsspannung zwischen den Elektroden X₃ und Y in dem Falle der Erzeugung eines Entladungspunktes an der Überschneidung der Elektroden X₁ und Y oder X₂ und Y mit V₁₁ bezeichnet wird, wenn eine Entladungsspannung zwischen den Elektroden X₃ und Y in dem Falle, daß kein Entladungspunkt an den beiden Überschneidungen erzeugt wird, mit V₁₀ bezeichnet wird und wenn eine Entladungsspannung in dem Falle der Erzeugung von Entladungspunkten an den beiden Überschneidungen V_i2 bezeichnet wird, haben diese die Beziehung V_l0>V_tl>V_l2. Diese Erscheinung ergibt sich aus der Plasmakopplung auf Grund des Entladungspunktes. Wenn deshalb eine Spannung V₃, die zwischen den Elektroden AT₃ und Y angelegt ist, so ausgewählt wird, daß V_fl > V₃ > V₁₂ a5 charge voltage between the electrodes X ₃ and Y in the case of the creation of a discharge point at the intersection of the electrodes X ₁ and Y or X ₂ and Y with V ₁₁ , if a discharge voltage between the electrodes X ₃ and Y in the case, that no discharge point is generated at the two intersections is denoted by V ₁₀ , and when a discharge voltage in the case of the generation of discharge points at the two intersections is denoted V _i2 , they have the relationship V _l0 > V _tl > V _l2 . This phenomenon results from the plasma coupling due to the discharge point. Therefore, if a voltage V _{3 applied} between the electrodes AT ₃ and Y is selected so that V _fl > V ₃ > V ₁₂

gilt, ist es möglich, dieselbe Operation wie bei der vorangehenden logischen Multiplikationsoperation des Nichtentladungsbetriebs zu erreichen.holds, it is possible to perform the same operation as the previous logical multiplication operation of non-discharge operation.

F i g. 2 erläutert den Elektrodenaufbau bei einem Ausführungsbeispiel. Von den Elektroden A₁₁ bis A_nm und S₁₁ bis B_m„ (die Reihenelektroden sind) bilden erste und zweite Elektroden A₁₁ bis A_1n, und B₁₁ bis B_{n 1} eine erste Elektrodengruppe, erste und zweite Elektroden A₂₁ bis A_2m und B₁₂ bis B_m2 eine zweit« Elektrodengruppe und in gleicher Weise erste unc zweite Elektroden A_nl bis A_nm und B_1n bis B_m„ eint n-te Elektrodengruppe. Die ersten Elektroden A₁. bis A_1n, A₂₁ bis A_2n und A_{n 1} bis A_nm der ersten zweiten und" η-ten Elektrodengruppe werden jeweil· mit Anschlüssen A₁, A₂ und A_n verbunden. Die zweiF i g. 2 explains the electrode structure in one embodiment. Of the electrodes A ₁₁ to A _nm and S ₁₁ to B _m " (which are row electrodes), first and second electrodes A ₁₁ to A _1n , and B ₁₁ to B _{n 1 form} a first electrode group, first and second electrodes A ₂₁ to A _2m and B ₁₂ to B _m2, a second "electrode group and in the same manner first unc second electrodes a _nl to a _nm and B _1n to B _m" one-n-th electrode group. The first electrodes A ₁ . to A _1n , A ₂₁ to A _2n and A _{n 1} to A _{nm of} the first, second and η-th electrode groups are connected to terminals A ₁ , A ₂ and A _n , respectively. The two

ten Elektroden B₁₁, B₁₂... und B_1n der ersten, zwei ten... und η-ten Elektrodengruppen werden mi einem Anschluß B₁ verbunden. Die zweiten Elektro den B₂₁, B₂₂... und B_2n der ersten, zweiten ... um η-ten Elektrodengruppe werden mit einem Anschlul B₂ verbunden. In gleicher Weise werden die zweitei Elektroden B_n, _v ß_m2... und B_mn der ersten, zweilei ... und «-ten Elektrodengruppe mit einem Anschlul B_n verbunden. Des weiteren werden dritte Elektro den C₁₁ bis C_nm, die jeweils zwischen den ersten umth electrodes B ₁₁ , B ₁₂ ... and B _{1n of} the first, second ... and η-th electrode groups are connected to _{a terminal B 1.} The second _{electrodes B 21} , B ₂₂ ... and B _{2n of} the first, second ... um η-th group of electrodes are connected to a terminal B ₂ . In the same way, the two electrodes B _n , _v ß _m2 ... and B _{mn of} the first, two-line ... and _n- th electrode group are connected to a connection B n. Furthermore, third electrodes are C ₁₁ to C _nm , each between the first around

zweiten Elektroden angeordnet sind, mit einem ge meinsamen Anschluß C₁ verbunden. Dann werde Elektroden Y₁ bis Y_k, die Spaltenelektroden sind, an geordnet, um die Reihenelektroden in rechten Winsecond electrodes are arranged, connected to a common terminal C ₁ . Then, electrodes Y ₁ to Y _k , which are column electrodes, are arranged around the row electrodes in right Win

kein dazu gegenüberliegend zu kreuzen, und nur die sierung von 128 Entladungszellen mit einer Zahl voino opposite to cross, and only the size of 128 discharge cells with a number voi

Elektrode Y₁ ist den ersten, zweiten und dritten Elek- Anschlüssen wie η + m = 16 ausgeführt werdenElectrode Y ₁ is the first, second and third electrical connections such as η + m = 16

troden gegenüberliegend angeordnet. Die Elektroden Wenn gilt η = 16 und m = 16, ist eine AdressierunjTrodes arranged opposite one another. The electrodes If η = 16 and m = 16, an addressing is required

Y₁ bis Y_k werden aufeinanderfolgend mit Spannun- von 512 Entladungszellen mit 32 Anschlüssen mög Y ₁ to Y _k are possible in succession with voltages from 512 discharge cells with 32 connections

gen gespeist, und jede dritte dieser Elektroden wird 5 lieh.genes, and every third of these electrodes is borrowed 5.

jeweils mit Sammelschienen SA, SB und SC verbun- Fig. 4A bis 4F sind Diagramme zum Erläutenrespectively connected to bus bars SA, SB and SC . 4A to 4F are diagrams for explanation

den und die an die Sammelschienen SA, SB und SC der Spannungsimpulsformen in dem Falle der Ausden and those to the bus bars SA, SB and SC of the voltage pulse shapes in the event of the off

angelegten Spannungen können solche Aufrechterhai- wahl der Anschlüsse C₁ und C₂. Im Falle des SchreiApplied voltages can maintain the connections C ₁ and C ₂ . In the case of the scream

tungsspannungen sein, die sich an deren Beginn und bens mit einer ausgewählten Elektrode C_n wird di<be voltage voltages that are at the beginning and ben with a selected electrode C _n will di <

Ende periodisch und zeitlich überlappen. io Spannung an dem Anschluß C₂ abgeschaltet, wie irOverlap the end periodically and in time. io voltage at the terminal C ₂ switched off, as ir

Beim Anlegen einer Spannung an die Anschlüsse, F i g. 4 F zu einem Zeitpunkt dargestellt ist, zu denWhen a voltage is applied to the connections, FIG. 4 F is shown at a time to the

z. B. A₁, B₁ und B_m, werden Entladungspunkte zwi- eine Spannung an die Anschlüsse A₁ und B₁ angez. B. A ₁ , B ₁ and B _m , discharge points are applied between a voltage at the connections A ₁ and B ₁

sehen der Elektrode Y₁ und den Elektroden A₁₁ bis legt wird, wie in den Fig. 4A und AB gezeigt istsee the electrode Y ₁ and the electrodes A ₁₁ bis as shown in Figs. 4A and AB

A_lm, B₁₁ bis B_1n und B_{m x} bis B_mn erzeugt. Zu einem Im Falle des Schreibens mit einer ausgewählten Elek A _lm , B ₁₁ to B _1n and B _mx to B _{mn are} generated. In the case of writing with a selected elec

Zeitpunkt des Anlegens einer Spannung an den An- 15 trodeC_21/ wird die Spannung an dem Anschluß CThe time at which a voltage is applied to the anode C _{21 /} , the voltage at the connection C becomes

schluß C₁ werden Entladungspunkte zwischen der abgeschaltet, wie es in F i g. 4 E gezeigt ist, wenn di<circuit C ₁ , discharge points are switched off between the, as shown in FIG. 4 E is shown when di <

Elektrode Y₁ und den Elektroden C₁₁ und C_{1 m} er- Spannung an die Anschlüsse/I₁ und B_; angelegt wirdElectrode Y ₁ and electrodes C ₁₁ and C _{1 m} er voltage to connections / I ₁ and B _; is created

zeugt, und auf Grund der Anlegung einer Spannung wie dies in den Fig. 4C und 4D gezeigt ist. Di<and due to the application of a voltage as shown in Figs. 4C and 4D. Tue <

an die Elektrode Y₂ verschieben sich die Entladungs- Spannungen V _A, V_B, K_Cl und V_C2 sind in diesenThe discharge voltages V _A , V _B , K _Cl and V _C2 are shifted to the electrode Y ₂

punkte zu den Überschneidungen der Elektroden C₁₁ ao Falle in derselben Weise wie vorangehend ausgepoints to the intersections of the electrodes C ₁₁ ao case in the same way as above

und C₁ _m mit der Elektrode Y₂. Die ersten und die wählt. Gemäß F i g. 3 und 4 ist es in dem Falle de:and C ₁ _m with electrode Y ₂ . The first and the one who chooses. According to FIG. 3 and 4 it is in the case of de:

zweiten Elektroden der jeweiligen Elektrodengruppen Entladungsbetriebs auch möglich, daß eine erste Imsecond electrodes of the respective electrode groups discharge operation also possible that a first Im

führen die Funktionen der Schreibelektroden eines pulsspannung oder eine halbe Periode danach an di<perform the functions of the writing electrodes of a pulse voltage or half a period thereafter to di <

Selbstverschiebungspaneels aus. In diesem Falle ist Anschlüsse A₁ und B₁ angelegte Impulsspannung höSelf-shifting panels. In this case, terminals A ₁ and B ₁ applied pulse voltage is higher

die Zahl der Anschlüsse η + m, jedoch kann ein as her als V,_o ausgewählt wird, daß eine Unterhaltungsthe number of connections η + m, however, an as can be selected as V, _o that an entertainment

Schreiben an η m Punkten ausgeführt werden, so daß spannung V₅ kleiner als V,_o danach angelegt wireWriting can be carried out at η m points, so that voltage V ₅ less than V, _{o is} then applied

die Zahl der Anschlüsse viel kleiner als die Zahl der und daß während des Anlegens der obigen Spannumthe number of connections much smaller than the number of and that during the application of the above span

Elektroden ist, die beim Stand der Technik verwen- bei der an den Anschluß C₁ und/oder C₀ angelegterElectrodes that are used in the prior art are applied to terminal C ₁ and / or C ₀

det werden. Bei einer bekannten Vorrichtung kann Spannung die Impulsspannung der gewünschten Pebe det. In a known device, voltage can be the pulse voltage of the desired Pe

unter Verwendung von z.B. 128 Elektroden oder 30 riode höher als V₁₂ ausgewählt wird und die Impulsusing e.g. 128 electrodes or 30 riode higher than V _{12 is} selected and the pulse

Anschlüssen, wenn gilt η = 8 und m = 16, eine spannung einer anderen Periode bei der AufrechtConnections, if η = 8 and m = 16, a voltage of a different period for the upright

Adressierung mit einer Zahl von Anschlüssen wie erhaltungsspannung V_s ausgewählt wird. In dem FaIhAddressing with a number of connections as the maintenance voltage V _{s is} selected. In the FaIh

η + m = 24 ausgeführt werden. Gleichermaßen ist in des Nichtentladungsbetriebs ist es des weiteren auct η + m = 24 can be performed. Likewise, in the non-discharge mode, it is further auct

dem Fall von 256 Elektroden, wenn gilt η = 16 und möglich, ein Schreiben durch Anlegen der Aufrechtthe case of 256 electrodes, if η = 16 and it is possible to write by applying the upright

m = 16, die Zahl der Anschlüsse 32 und in dem 35 erhaltungsspannung V₅ an die Anschlüsse A₁ und C m = 16, the number of connections 32 and in the 35 maintenance voltage V ₅ to connections A ₁ and C.

Falle von 512 Elektroden, wenn gilt η = 16 und oder C₂ und durch Anlegen einer ImpulsspannunjCase of 512 electrodes, if η = 16 and or C ₂ and by applying a pulse voltage

m = 32, ist die Zahl der Anschlüsse 48. Dann wird höher als V_F2 an den Anschluß C₁ oder C₂ wie ir m = 32, the number of terminals is 48. Then higher than V _{F2 is applied} to terminal C ₁ or C ₂ as ir

es möglich, die Adressierung mit einer logischen MuI- dem Falle eines Abfrageimpulses auszuführen. Die:it is possible to carry out the addressing with a logical multiple in the event of an interrogation pulse. The:

tiplikation A _f · B, = C^ (1, / = 1,2, 3 ...) auszuführen. ergibt einen Vorteil dadurch, daß eine Löschoperatiplikation perform A · B _f, C = ^ (1, / = 1,2, 3 ...). gives an advantage in that a delete opera

F i g. 3 A, 3 B und 3 C sind Diagramme zum Erläu- 40 tion leicht ist, da die relativ niedrige AufrechterhaiF i g. 3 A, 3 B and 3 C are diagrams for explaining 40 is easy because the relatively low upright shark

tern der angelegten Spannungsimpulsformen. In tungsspannung V₅ nach dem Schreiben angelegterning the applied voltage pulse shapes. In processing voltage V _{5 applied} after writing

Fig. 3A und 3B gezeigte Spannungen V_A und V_ß, wird. Voltages V _A and V _β shown in FIGS. 3A and 3B.

die an die ersten und zweiten Elektroden Au und By₁- F i g. 5 veranschaulicht den Elektrodenaufbau eine:connected to the first and second electrodes Au and By ₁ - F i g. 5 illustrates the electrode structure of a:

angelegt werden, werden im wesentlichen gleich zu- weiteren Beispiels, bei dem die erste und die zweiteare essentially the same as for another example in which the first and second

einander ausgewählt. Im Falle des Entladungsbetrie- 45 Elektrode so ausgebildet sind, daß sie die dritte Elek-selected each other. In the case of the discharge mode, the electrodes are designed in such a way that they represent the third elec-

bes werden sie derart ausgewählt, daß gilt V_A trode dazwischen überragen, und die dazu gegenüberIn addition, they are selected in such a way that V _A protrudes trode between them, and those opposite to it

= V_B > V₁₀. In dem Falle des Nichtentladungsbe- liegenden Elektroden sind in gleicher Weise aufge= V _B > V ₁₀ . In the case of the non-discharge electrodes, they are placed in the same way

triebes werden diese derart ausgewählt, daß gilt baut. Bei diesem Beispiel wird, wenn Spannungen sedrive, these are selected in such a way that builds applies. In this example, when voltages se

V_Fl>V_A= V_B^V_F2. Währenddessen wird eine lektiv an Elektroden, wie z. B. XA₁, XB₂ und ZC₁ V _Fl > V _A = V _B ^ V _F2 . Meanwhile, a selectively to electrodes, such. B. XA ₁ , XB ₂ and ZC ₁

in Fig. 3C gezeigte Spannung V_c, die an die dritte 50 und Elektroden YA₁, YB₁ und YC₁ angelegt werden voltage V _c shown in Fig. 3C applied to the third 50 and electrodes YA ₁ , YB ₁ and YC ₁

Elektrode C_i;· angelegt wird, derart ausgewählt, daß ein Entladungspunkt an der Überschneidung der ElekElectrode C _i; · Is applied, selected in such a way that a discharge point at the intersection of the elec

gilt Vf _t > V_c> Vf₂ oder V_Ft > F_c> V_F2, wie vor- troden ZC₁₂ und YC₁₁ erzeugt. Gemäß Fi g. 6 sine Vf _t > V _c > Vf ₂ or V _Ft > F _c > V _F2 applies, as generated by ZC ₁₂ and YC ₁₁ . According to Fig. 6 sine

angehend beschrieben wurde. Keine Beschränkung nämlich die Spitzenwerte der angelegten Spannungerwas described. No limitation namely the peak values of the applied voltages

ist bezüglich der Zahl der Impulse der Spannungen so ausgewählt, daß nur, wenn die Elektroden XA _; is selected with respect to the number of pulses of the voltages so that only when the electrodes XA _;

V_A und Vβ (die eine oder mehrere Impulse sein 55 XBj und YA _k, YB_h gleichzeitig ausgewählt werder V _A and Vβ (which one or more pulses will be 55 XBj and YA _k , YB _h selected simultaneously

können) gegeben. und Spannungen an die Elektroden XC und YC ancan) given. and voltages across electrodes XC and YC

In F i g. 2 ist der Abstand z. B. zwischen der ersten gelegt werden, ein Entladungspunkt an der ÜberIn Fig. 2 is the distance z. B. be placed between the first, a discharge point at the over

und der zweiten Elektrode Λ₁₂ und B₁₁ gleich dem schneidung der Elektroden XC und YC erzeugt wirdand the second electrode Λ ₁₂ and B ₁₁ is generated equal to the intersection of the electrodes XC and YC

Abstand zwischen den Elektroden A _n und B_n ge- Dies ist in beiden Fällen des Entladungsbetriebes uncDistance between the electrodes A _n and B _n ge This is in both cases of the discharge operation unc

zeigt, jedoch kann dieser auch geringer sein. Wenn 60 des Nichtentladungsbetriebes möglich,shows, but this can also be lower. If 60 of non-discharge operation is possible,

eine dritte Elektrode C_2n zwischen den Elektroden Das Beispiel entspricht einer bekannten Plasmaa third electrode C _2n between the electrodes The example corresponds to a known plasma

B₁₁ und A₁₂ vorgesehen ist und mit einem Anschluß Anzeigevorrichtung der Art, bei der durch AuswählerB ₁₁ and A _{12 is} provided and with a connection display device of the type in which by selector

C₂ verbunden ist, wie es durch eine gestrichelte Linie der X- und Y-Richtungselektroden ein EntladungsC _{2 is} connected as indicated by a dashed line of the X and Y direction electrodes a discharge

angezeigt ist, und wenn die Anschlüsse A. und B₁ punkt an ihrer Überschneidung erzeugt wird. Wemis displayed and if the connections A. and B ₁ point is generated at their intersection. Whom

ausgewählt sind, kann des weiteren eine der Elektro- 65 z. B. gilt η = 8 und m = 8 ist die Gesamtzahl de:are selected, one of the electrical 65 z. B. η = 8 and m = 8 is the total number de:

den C₁₁ und C₂₁₁ ausgewählt werden, indem einer Anschlüsse der X- und Y-Richtungselektrodeithe C ₁₁ and C ₂₁₁ can be selected by connecting one of the terminals of the X and Y direction electrodes

der Anschlüsse C₁ und C₂ ausgewählt wird. Wenn (n + m) · 2 = 32, womit es möglich wird, 128² Entof connections C ₁ and C _{2 is} selected. If (n + m) 2 = 32, which makes it possible to use 128 ² Ent

gilt η = 8 und m — 8, kann demgemäß eine Adres- ladungszellen zu adressieren. Andererseits erforderif η = 8 and m - 8, an address charge cells can accordingly be addressed. On the other hand required

(a(a

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die bekannte Vorrichtung 128-2 Anschlüsse, und spannungen an den Elektroden X₁ und X₂ erregt, anthe known device 128-2 connections, and voltages at the electrodes X ₁ and X ₂ excited

die vorliegende Vorrichtung verringert die Zahl der die Elektrode X₃ gelegt, wodurch die WandladungenThe present device reduces the number of the electrode X ₃ placed, thereby reducing the wall charges

Anschlüsse wesentlich. Die Beziehung zwischen der veranlaßt werden, sich schnell zu bewegen, was eineConnections essential. The relationship between the caused to move quickly what a

Zahl der Anschlüsse P der bekannten Vorrichtung Operation mit hoher Geschwindigkeit und eine Ge-Number of ports P of the known device high-speed operation and a ge

und der Anschlüsse Q der vorliegenden Vorrichtung 5 nauigkeit des Betriebs ergibt. Wenn nur eine derand the terminals Q of the present device 5 gives accuracy of operation. If only one of the

kann nämlich durch eine Näherungsgleichung Elektroden .Y₁ und X₂ eine Entladung bewirkt, wirdnamely, electrodes .Y ₁ and X _{2 can} cause a discharge by an approximation equation

2 yVcziQ ausgedrückt werden und die Zahl der An- die resultierende Wandladung V_w an der Elektrode2 yVcziQ and the number of the resulting wall charge V _w on the electrode

Schlüsse kann mit geometrischer Progression verrin- X₃ V_{w v} und wenn die beiden Elektroden X₁ und X₂ Conclusions can be reduced with geometric progression X ₃ V _wv and if the two electrodes X ₁ and X ₂

gert werden. eine Entladung bewirken, wird die resultierendebe gert. cause a discharge, the resulting

Bei dem Beispiel der Fig. 5 kann des weiteren io Wandladung derart, daß V_w ₂2-2 V_w , gilt, und eineIn the example of FIG. 5, furthermore, the wall charge can be such that V _w ₂ 2-2 V _w , and one

eine Anzeige auch erzeugt werden, indem die Elektro- Entladung wird durch die Potentialdifferenz zwischenan indication can also be generated by the electric discharge being determined by the potential difference between

den YA₁₁, YB_n ... in der in Fig. 2 gezeigten Weise der Wandladung V_W2 und einer nachfolgenden, anthe YA ₁₁ , YB _n ... in the manner shown in Fig. 2 of the wall charge V _W2 and a subsequent one

verbunden werden. In diesem Falle sind die mit den die Elektrode X₃ angelegten Spannung bewirkt. Dieget connected. In this case, the voltage applied to the electrode X _{3 is effected.} the

Anschlüssen YC₁ und YC₂ verbundenen Elektroden an die Elektrode X₃ angelegte Spannung ist in die-Terminals YC ₁ and YC ₂ connected electrodes to the electrode X ₃ applied voltage is in the-

weggelassen und die Bedingung für die Erzeugung des 15 sem Falle die Aufrechterhaltungsspannung V_s. omitted and the condition for the generation of the 15 sem case the maintenance voltage V _s .

Entladungspunktes ist derart, daß gilt XA₁ · XB₁ · Y_k Als nächstes wird eine ODER-Schaltung beschrie-The discharge point is such that XA ₁ · XB ₁ · Y _k. Next, an OR circuit is described.

= XC. ben. In dem Fall des Entladungsbetriebs, wenn eine= XC. ben. In the case of the discharge operation, when a

Auf diese Weise kann die Zahl der Anschlüsse um der Elektrode X₃ zugeführte, eingeprägte Spannung eine Stelle kleiner gemacht werden als die Zahl der V₃ ausgewählt wird, so daß V,_o > V₃ > V₁₁ gilt, Elektroden, so daß die Verbindung mit der äußeren ao kann eine logische Summieroperation (X₁) + (X_t) Schaltung leicht wird und die Elektrodenauswahl = X₃ ausgeführt werden. In dem Falle des Nichtentdurch den Mechanismus der eingesetzten logischen ladungsbetriebs wird die aufgeprägte Spannung der-Multiplikationsoperation ausgeführt werden kann, art ausgewählt, daß ein Entladungspunkt an der Elekohne eine bekannte Widerstandsdiodenmatrix zu ver- trode X₃ mit dem zusammengesetzten Wert der in wenden. Demgemäß kann Raum gespart werden und 25 der Mitte der Fig. IC gezeigten Verteilung des elekkönnen die Kosten der Vorrichtung verringert wer- trischen Feldes erzeugt werden kann. In dem Fall den. De;> weiteren wird die Herstellung nicht beson- der Verwendung der Widerstandskanalkopplung kann ders kompliziert. Die Elektroden und die Drähte zum des weiteren eine logische Summieroperation ausge· Verbinden der Elektroden und die Anschlüsse wer- führt werden, indem eine solche Spannung angelegt den z. B. auf einer Grundplatte aus Glas gebildet. 30 wird, daß ein Entladungspunkt auf Grund der Po-Isolierschichten werden auf den Teilen der Über- tentialdifferenz zwischen diesem und der Wandschneidungen der Drähte angebracht. Dann werden ladung V_w , erzeugt werden kann, oder indem aui Drähte zum Verbinden der Elektroden und der ent- den Impuls PW folgend eine Spannung V₀ angelegt sprechenden Gruppen auf den Isolierschichten gebil- wird, die höher als die Aufrechterhaltungsspannung det. Die Herstellung erhöht sich nur um zwei Her- 35 V_s ^ur>d derart ausgewählt wird, daß V_F < F₀ + V_w. Stellungsprozesse im Vergleich zum Stand der Tech- gilt, wobei V_F die Entladungsspannung ist. nik, jedoch kann die Vorrichtung leicht durch An- Als nächstes wird eine NICHT-Schaltung beschrie wendung der Technik zur Erzeugung von integrierten ben. F i g. 8 zeigt deren Elektrodenanordnung unc Schaltungen hergestellt werden. F i g. 9 zeigt ein Beispiel der Impulsformen der an·In this way, the number of connections around the impressed voltage applied to the electrode X ₃ can be made one place smaller than the number of V ₃ selected so that V, _o > V ₃ > V ₁₁ , electrodes so that the connection with the outer ao, a logical summing operation (X ₁ ) + (X _t ) circuit becomes easy and the electrode selection = X ₃ can be carried out. In the event of failure by the mechanism of the applied logic charge operation, the impressed voltage of the multiplication operation can be carried out in such a way that a discharge point on the elec trode without a known resistor diode matrix X ₃ with the composite value of in. Accordingly, space can be saved and the distribution of the electrical field shown in the center of FIG. 1C can be generated. In that case the. Furthermore, the production is not particularly complicated. Use of the resistance channel coupling can be complicated. The electrodes and the wires for a further logical summing operation. The electrodes and the connections are connected by applying such a voltage to the z. B. formed on a base plate made of glass. 30, that a discharge point due to the Po insulating layers are placed on the parts of the over-potential difference between this and the wall intersections of the wires. Then charge V _w can be generated, or by forming wires for connecting the electrodes and following the pulse PW, a voltage V ₀ -speaking groups on the insulating layers which are higher than the sustaining voltage. The production only increases by two values. 35 V _s ^ur > d is selected such that V _F <F ₀ + V _w . Positional processes compared to the prior art applies, where V _{F is} the discharge voltage. nik, however, the device can be easily changed by connection. Next, a NOT circuit will be described using the technique for generating integrated ben. F i g. 8 shows their electrode arrangement and circuits are produced. F i g. 9 shows an example of the waveforms of the

Bei dem Beispiel der F i g. 1A bis IC kann eine 40 gelegten Spannung. RF bezeichnet einen WiderstandsIn the example of FIG. 1A to IC can be a 40 applied voltage. RF denotes a resistor

logische Multiplikationsoperation durch Widerstands- film. Dies ist der Fall der Verwendung der Widerlogical multiplication operation through resistive film. Such is the case of using the cons

kanalkopplung derart ausgeführt werden, daß ein Wi- standskanalkopplung, und eine der Elektroden A channel coupling are carried out in such a way that a resistance channel coupling and one of the electrodes A

derstandsfilm auf der dielektrischen Schicht 4 gebildet und B kann weggelassen werden. Eine Elektrode 2the stand-off film is formed on the dielectric layer 4 and B can be omitted. One electrode 2

wird, welche die Elektrode Y in ihrer Längsrichtung wird mit dem Impuls PW, der die Wandladung erwhich is the electrode Y in its longitudinal direction with the pulse PW, which the wall charge er

bedeckt, und eine durch die Entladung erzeugte 45 regt, und dann mit einem Impuls V_n derselben Pocovered, and a 45 generated by the discharge excites, and then with a pulse V _{n of the} same Po

Wandladung verteilt sich längs des Widerstandsfilms larität wie der Impuls PW gespeist. Der Wert des ImWall charge is distributed along the resistance film larität as the pulse PW is fed. The value of the Im

und fließt in benachbarte Kanalbereiche. pulses V_n ist so ausgewählt, daß eine Entladung verand flows into adjacent channel areas. pulses V _n is selected so that a discharge ver

Auch in diesem Falle wird die Zündspannung der- ursacht wird, wenn die Wandspanmtng nahe »0« istIn this case, too, the ignition voltage is caused when the wall voltage is close to "0"

art ausgewählt, daß, auch wenn eine durch eine Ent- Wenn eine Entladung an der Elektrode A bewirktype selected that, even if a discharge caused by a discharge at the electrode A.

ladung einer der Elektroden X₁ und X₂ erzeugte 50 wird und die resultierende Wandladung zur Elekcharge of one of the electrodes X ₁ and X _{2 is} generated and the resulting wall charge to the Elek

Wandspannung zu der Elektrode X₃ fließt, keine Ent- trode Z gezogen wird, wird die Wandspannung V_w Wall voltage flows to electrode X ₃ and no electrode Z is drawn, the wall voltage becomes V _w

ladung durch die Elektrode X₃ erzeugt wird, ausge- der Polarität erzeugt, welche das Feld löscht, dacharge is generated by the electrode X ₃ , from the polarity generated, which extinguishes the field, since

nommen wird, ausgenommen, daß, wenn eine Ent- durch V_n erzeugt wird, und wenn die Entladungsis taken except that when a discharge is generated by V _n , and when the discharge

ladung durch die Elektroden X₁ und X₂ erzeugt wird spannung mit V_F bezeichnet wird, besteht das Ergebcharge generated by electrodes X ₁ and X ₂ voltage is denoted by V _F , the result is

und eine daraus resultierende Wandladung zu der 55 nis darin, daß V_F>V_N — V_w _x ist, und keine Entand a resulting wall charge to the 55 nis in that V _F > V _N - V _w _x and no Ent

Elektrode X₃ fließt, eine Entladung durch die Elek- ladung wird verursacht Wenn jedoch keine EntlaElectrode X ₃ flows, a discharge is caused by the elec- tric charge. However, if no discharge

trode: X₃ bewirkt wird. Die Wandladung, die in be- dung an der Elektrode A bewirkt wird, wird V_F < V_n trode: X _{3 is} effected. The wall charge which is brought about in condition at the electrode A becomes V _F < V _n

nachbarte Entladungszellenbereiche fließt, erreicht so daß die Entladung durch den Impuls V_n veruradjacent discharge cell areas flows, so that the discharge by the pulse V _n verur

ihren maximalen Wert nach einer bestimmten Zeit- sacht wird. Deshalb kann eine logische NICHT-Opeits maximum value after a certain period of time. Therefore a logical NOT-Ope

dauer, und die Zeit dafür wird kürzer mit einem Ab- 60 ration "A = Z ausgeführt werden. Ein mit gestrichelduration, and the time for this will be carried out shorter with an ab- 60 ration "A = Z. A with dashed line

fall des Widerstandswertes des Widerstandsfilms. ten Linien bezeichneter Impuls V₀ ist ein Impuls füfall of the resistance value of the resistive film. Pulse V ₀ indicated by the ten lines is a pulse for

F i g. 7 zeigt ein Beispiel der Impulsformen einer eine logische Summenoperation und ist so ausgeF i g. Fig. 7 shows an example of the pulse shapes of a logical sum operation and is so configured

angelegten Spannung zum Ausführen der logischen wählt, daß V_F< V₉+ IV₁ ist.applied voltage for performing the logic selects that V _F <V ₉ + IV ₁ .

Multiplikation durch die obenerwähnte Widerstands- Wenn die Elektroden A, B und Z sehr nahe aneinMultiplication by the aforementioned resistance- When electrodes A, B and Z are very close to each other

kanalkopplung. Wenn eine Entladung durch gleich- 65 ander angeordnet sind, ist eine Erscheinung vornanchannel coupling. If a discharge is arranged through the same 65 an appearance is ahead

zeitiges Anlegen einer Spannung an die Elektroden den, daß nämlich, wenn dieselbe Spannung den Elektimely application of a voltage to the electrodes, namely that when the same voltage the elec

X_x und JiT₂ erzeugt wird, wird die Spannung abge- troden zugeführt wird und eine Entladung an eine X _x and JiT _{2 is} generated, the voltage is dis- charged and a discharge is fed to a

schaltet, und dann wird ein Impuls PW, der Wand- der benachbarten Elektroden erzeugt wird, eine Entswitches, and then a pulse PW generated on the wall of the adjacent electrodes becomes an Ent

ίοίο

ladung schwierig an der anderen Elektrode zu erzeu- Entladung, wenn sie einmal erzeugt worden ist, kontl· gen ist. nuierlich nur an der Elektrode A durch ein konti-charge difficult to generate at the other electrode; once generated, discharge is not possible. of course only on electrode A by a continuous

Ein solcher Näherungseffekt wird üblicherweise nuierliches Einprägen der üblichen Aufrechterhalverursacht, wenn der Abstand zwischen den Elektro- tungsspannungen V_s erzeugt. Beim Einprägen einer den kleiner als 400 μ od. ä. ist, obwohl dieser ent- 5 umgekehrten Impulsspannung V_R derselben Polarität sprechend der Abmessung der Vorrichtung und der wie die Aufrechterhaltungsspannung V_s und mit Art des verwendeten Gases unterschiedlich ist. Wenn einem hohen Spitzenwert vor dem Anlegen der Aufdie Elektroden A, B und Z nahe aneinander angeord- rechterhaltungsspannung V_s, wie in Fig. 12 gezeigt, net sind und so verbunden sind, wie dies in F i g. 8 wird dann die Entladung an der Elektrode A gegezeigt ist, und wenn die Entladung an den Elek- io stoppt, und statt dessen wird eine Entladung an der troden A und B bewirkt wird, wird deshalb keine Elektrode B erzeugt. Die Spannung V_R wird ausge-Entladung an der Elektrode Z erzeugt, und wenn wählt, um die Entladungsspannung V_r zu übersteikeine Entladung an den Elektroden A und B hervor- gen. Mit dieser Spannung V_R werden Entladungen gerufen wird, wird eine Entladung an der Elektrode Z an den beiden Elektroden A und B hervorgerufen, erzeugt. Die vorher erwähnte logische NICHT-Ope- 15 und eine Wandladung V_WA der Elektrode A wird daration wird nämlich ausgeführt. Dies basiert auf der durch stark vergrößert, um eine Entladung hervorzu-Plasmakopplung, und kein Widerstandskanal ist er- rufen, und wird daraufhin gedämpft. Währenddessen forderlich. wird der Pegel der Wandladung V_WB der Elektrode B Such an approximation effect is usually caused by indentation of the usual maintenance when the distance between the electrification voltages V _{s is} generated. When impressing one is smaller than 400 μ or the like, although this corresponding 5 reversed pulse voltage V _{R of the} same polarity corresponding to the dimensions of the device and the maintenance voltage V _s and the type of gas used is different. When there is a high peak before the electrodes A, B and Z are applied close to each other, maintenance voltages V _s as shown in FIG. 12 are net and connected as shown in FIG. 8 then the discharge at the electrode A is shown, and if the discharge at the elec- trode stops, and instead a discharge is caused at the electrodes A and B , therefore no electrode B is generated. The voltage V _R generated out discharge at the electrode Z, and if selected, the discharge voltage V _r to übersteikeine discharge at the electrodes A and B hervor- gene. This voltage V _R discharges is generated, a discharge is to caused by the electrode Z at the two electrodes A and B. Namely, the aforementioned logical NOT-operation and a wall charge V _{WA of} the electrode A is carried out. This is based on the plasma coupling, magnified greatly to produce a discharge, and no resistance channel is established and is then attenuated. Meanwhile, necessary. becomes the level of wall charge V _WB of electrode B.

Im Falle einer WEDER-NOCH-Schaltung kann um die Spannung V_R angehoben, und die Entladung eine logische Operation A+B — Z ausgeführt wer- 20 wird durch die nachfolgende Aufrechterhaltungsden, indem die Elektroden A und B, die in F i g. 8 spannung V_s wie bei einer üblichen Schreiboperation getrennt sind, als Steuerelektroden verwendet wer- fortgeführt. Demgemäß wird jedesmal, wenn die den. Im Falle einer NICHT-UND-Schaltung kann Spannung V_R eingeprägt wird, eine Entladung abeine logische Operation AB = Z ausgeführt werden, wechselnd an den Elektroden A und B hervorgeruindem die Elektroden A und B, die getrennt sind, als 35 fen, um die Operation der Flip-Flop-Schaltung vor-Steuerelektroden verwendet werden und indem zusehen. V_F bezeichnet einen Löschimpuls, der eine der Impuls V_n derart ausgewählt wird, daß gilt sichergestellte Operation vorsieht, jedoch kann die (Yn ~ ^w2)< V_F<.(V_N — V_Wl). Flip-Flop-Operation durch den umgekehrten ImpulsIn the case of a WED ER-NO CH circuit, the voltage V _{R can be} increased, and a logical operation A + B - Z can be carried out on the discharge by the subsequent maintenance by placing the electrodes A and B, which are shown in F i G. 8 voltage V _{s are separated} as in a conventional write operation, used as control electrodes are continued. Accordingly, every time the. In the case of a N ICH T-AND circuit, voltage V _{R can be} impressed, a discharge can be carried out from a logical operation AB = Z, alternating between electrodes A and B , with electrodes A and B, which are separated, appearing as 35, to the operation of the flip-flop circuit can be used in front of control electrodes and by watching. V _F denotes an erasing pulse which one of the V _n pulses is selected to provide assured operation, but (Yn ~ ^ w2) < V _F <. (V _N - V _Wl ). Flip-flop operation by the reverse pulse

Fig. 10 erläutert ein Beispiel eines Aufbaus einer V_R ohne Verwendung des Löschimpulses V_E aus-Flip-Flop-Schaltung, und Fig. 11 ist ein Querschnitt 30 geführt werden.FIG. 10 illustrates an example of a structure of a V _R without using the erase pulse V _E from flip-flop circuit, and FIG. 11 shows a cross section 30.

der wesentlichen Teile dieser Schaltung. 11 und 13 Es ist voranstehend beschrieben worden, daß dieof the essential parts of this circuit. 11 and 13 It has been described above that the

bezeichnen Grundplatten aus Glas, 14 und 12 sind Erfindung verschiedene logische Operationen ermögdielektrische Schichten und 15 ist der Raum, licht, indem der Abstand zwischen den Elektroden der zwischen den gegenüberliegenden dielektrischen oder die eingeprägten Spannungen und deren Polari-Schichten begrenzt ist. A, B und Y bezeichnen Elek- 35 täten ausgewählt werden, und das Ausgangssignal troden. Die dargestellte Flip-Flop-Schaltung verwen- kann durch einen Lichtdetektor, einen Entladungsdet den vorher erwähnten Näherungseffekt, und die Stromdetektor oder durch eine Verschiebung des Elektroden A und B dienen beide als Steuer- und erzeugten Entladungspunktes abgeleitet werden. Die Ausgangselektroden. Wenn gemäß F i g. 11 angenom- Vorrichtung der Erfindung kann somit einem weiten men wird, daß eine Entladung an der Elektrode A 40 Verwendungsbereich angepaßt werden,
hervorgerufen wird, wenn eine positive Spannung Bei der Erfindung wird eine logische Operationdenote base plates made of glass, 14 and 12 are invention different logical operations allowdielectric layers and 15 is the space in which the distance between the electrodes between the opposing dielectric or impressed voltages and their polar layers is limited. A, B and Y designate elements are selected, and the output signal trode. The illustrated flip-flop circuit can use a light detector, a discharge detector to derive the aforementioned proximity effect, and the current detector or by moving the electrodes A and B both serve as control and generated discharge points. The output electrodes. If according to FIG. 11 assumed device of the invention can thus be adapted to a wide range of use that a discharge at the electrode A 40,
is caused when a positive voltage In the invention is a logical operation

den Elektroden A und B zugeführt wird und eine ne- mit einem Teil der Elektroden eines Plasma-Anzeigegative Spannung der Elektrode Y zugeführt wird, paneels ausgeführt, und die Zahl der äußeren Anwerden negative und positive Ladungen in den di- Schlüsse kann kleiner als die Zahl der Elektroden elektrischen Schichten 14 und 12 gespeichert, die je- 45 durch die Verwendung der voranstehend beschriebeweils über den Elektroden A und Y liegen, und nega- nen logischen Schaltung gemacht werden, so daß die tive Ladungen werden auch an der Elektrode B er- Zahl der Steuerkreise zum Steuern der Anzeigevorregt, so daß die negativen Ladungen wirken, um die richtung verringert werden kann, um einen vereineingeprägte Spannung zu löschen. Folglich wird die fachten Aufbau zu schaffen.is supplied to the electrodes A and B and a negative voltage is supplied to the electrode Y with a part of the electrodes of a plasma display panel, and the number of external negative and positive charges in the di-terminals may be smaller than the number of the electrodes, electrical layers 14 and 12 are stored, each overlying the electrodes A and Y by the use of the above, and a negative logic circuit is made so that the active charges are also charged to the electrode B. the control circuitry for controlling the display is energized so that the negative charges act to decrease the direction in order to clear an impressed voltage. Consequently, the multiple construction will be created.

Hierzu 6 Blatt ZeichnungenIn addition 6 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. A method for controlling a discharge in a gas discharge device with a first dielectric base plate, on which first, second and third electrodes are applied, which are arranged parallel to one another and are covered with a dielectric layer, the third electrode between the first and the second electrode is arranged, with a second dielectric base plate on which a fourth electrode is applied, which is arranged at a distance from and in such a way to the first, second and third electrodes that it crosses them, and which is also covered with a dielectric layer, and with a gas-tight seal of the filled with a discharge gas discharge space between the first and the second dielectric layer, characterized in that a first control voltage is applied with a size of the third and fourth electrodes (X _3, Y), which is not sufficient to produce a Generate discharge in the discharge space (5), and that a two ite control voltage is applied to at least one of the first and second electrodes (X ₁ , X ₂ ) , the first and second control voltages having sizes which are selected so that they together generate a discharge in the discharge space between the third and fourth electrodes are arranged.

2. The method according to claim 1, characterized in that the first control voltage applied to the third and fourth electrodes (X ₃ , Y) is selected such that it is lower than the first discharge voltage between the third and fourth electrodes due to a discharge is generated, which is generated at at least one of the first and second electrodes (X ₁ , X. ₂ ) that the first control voltage is higher than a second, further reduced discharge voltage between the third and the fourth electrode due to a Discharge is generated which is generated at each first and second electrode, and that the second control voltage is applied to the first and second electrodes and is selected such that it is greater than the discharge voltages between the first and fourth electrodes and between the second and the fourth electrode, creating a discharge in the discharge space between the third and fourth electrodes as a result of a logical multiplying operation is generated by applying the second control voltage to the first and second electrodes.

3. The method according to claim 1, characterized in that the third and fourth electrodes (X ₃ , Y) applied first control voltage is selected such that it is lower than the discharge voltage thereon, and that the second control voltage is applied to both The first and second electrodes are applied and selected such that they are of a size to generate a composite electric field of sufficient strength to cause a discharge in the discharge space between the third and fourth electrodes in cooperation with the first control voltage generate, whereby the discharge is generated in the discharge space between the third and the fourth electrode as a result of a logical multiplication operation by applying the second control voltage to the first and second electrodes.

4. The method according to claim 1, characterized in that the size of the first control voltage is selected such that it generates a discharge together with the effect that is generated in the discharge space (5) by the second control voltage when this is applied to one of the first and second electrodes (X ₁ , X ₁ ,) are applied, thereby causing a discharge in the discharge space between the third and fourth electrodes (X ₂ , Y) as a result of a logical multiplying operation by applying the second control voltage to one of the first and second electrodes is produced.